赛灵思spartan6系列FPGA片内资源设计指导
上传时间： 2013-10-28
上传用户：hahayou
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-12
上传用户：han_zh
为了实现软硬件协同设计和提高仿真速度的需求，采用SystemC语言的建模方法，通过对片上网络体系结构的研究，提出了一种片上网络的建模方案，并对一个mesh结构完成了SystemC的建模设计。该模型可在系统级和寄存器传输级上使用同一个测试平台，且具有仿真速度快的特点，达到了设计要求。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：ks201314
通过分析流水线结构和单周期结构的片上网络路由器，提出了一种低延时片上网络路由器的设计，并在SMIC 0.13um Mixed-signal/RF 1.2V/3.3V工艺进行流片验证。芯片测试结果表明，该路由器可以在300 MHz时钟频率下工作，并且在相同负载下，与其他结构的路由器相比较，其能够在较低延时下完成数据包传送功能。
上传时间： 2014-12-28
上传用户：bakdesec
NE602单片频率转换器
上传时间： 2013-11-08
上传用户：wivai
片内光通信技术综述
上传时间： 2013-11-19
上传用户：kr770906
Pt1000铂电阻温度传感器分度表
上传时间： 2014-12-29
上传用户：黑漆漆
介绍了限力矩离合器的结构及其摩擦片所使用的油槽结构；根据热力学理论，建立温度场的数学模型；计算了限力矩离合器摩擦片的热流密度和对流换热系数以及热流分配系数；建立了考虑油槽结构的摩擦片三维瞬态热传导模型。通过COMSOL对摩擦片进行热分析，模拟摩擦片在接合过程中不同时刻的瞬态温度场，得出摩擦片温度分布规律，为限矩离合器摩擦片的结构设计提供了一定的理论依据。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：czl10052678
OPSENS光纤应变传感器被以色列飞机工业公司-埃尔塔系统集团和导弹与航天系统集团成功应用在火箭推进器-推进燃料箱热膨胀变化的实时监测。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：zzy123456
WZPKPt100铂电阻
上传时间： 2013-11-10
上传用户：cange111
