MSP430控制LED代码及原理图(PROTEL格式）
上传时间： 2013-09-10
上传用户：butterfly2013
PIC18F452下的uCOS2移植成功代码＋MPLAB IDE V8.0的项目文件。其中包含Proteus仿真电路图，为了方便初学者成功编译，对原有结构进行了修改，结构非常精简，易于理解，使用前请参考其中的“使用前先读我.txt”，否则可能无法正确编译。
上传时间： 2013-09-25
上传用户：zhangyi99104144
《Proteus在MCS-51&ARM7系统中的应用百例》书中附带原程序代码
上传时间： 2013-09-30
上传用户：moshushi0009
本文档包含了一些常见得软件错误代码
上传时间： 2013-10-28
上传用户：gtzj
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：hjkhjk
mos管门级驱动电阻计算
上传时间： 2013-12-19
上传用户：王楚楚
上下拉电阻的小结，希望对大家有用
标签： 下拉电阻
上传时间： 2013-10-21
上传用户：18165383642
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
0欧电阻的作用
标签： 电阻
上传时间： 2014-12-23
上传用户：Yukiseop
I2C 的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K 或2.2K.
上传时间： 2013-11-07
上传用户：michael20
