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电源环路

  • 开关电源环路零极点.pdf

    为一个典型的正激变换器闭环调节的例子。实际上是一个负反馈系统。PWM控制芯片中包含了误差放大器和PWM形成电路。控制芯片也提供许多其他的功能,但了解闭环稳定性问题,仅需考虑误差放大器和PWM。

    标签: 开关电源

    上传时间: 2021-11-24

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  • 高PF反激临界模式开关电源的环路设计

    目前开关电源市场上单端反激式的开关电源占有很大的份额,控制环路的设计是反激电源中关键的步骤之一。主要对基于L6561临界(TM)模式下高功率因数(PF)单端反激式开关电源的控制环路设计进行了论述,文中通过对环路中各级的传递函数进行了定性分析和定量计算,进而给出了环路的补偿电路。通过选择合适的相位裕量来保证系统的稳定性,并通过图解法验证了该环路可以使系统具有较好的稳定性。

    标签: 反激临界模式 开关电源 环路设计

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:zukfu

  • 开关电源TL431环路控制应用详解

    开关电源TL431环路控制应用详解 在开关电源应用率极高的一个器件

    标签: 开关电源TL431环路控制应用详解

    上传时间: 2015-06-03

    上传用户:乘春风画纸鸢

  • 开关电源控制环路设计

    开关电源控制环路设计

    标签: 开关 电源控制 环路设计

    上传时间: 2021-01-13

    上传用户:lanmm123

  • 开关电源控制环路设计 麦格米特

    开关电源控制环路设计 麦格米特  开关电源,控制,环路,设计

    标签: 开关电源

    上传时间: 2022-02-23

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  • 反激开关电源中基于PC817A与TL431配合的环路动态补偿设计

    反激开关电源中基于PC817A与TL431配合的环路动态补偿设计          

    标签: 开关电源

    上传时间: 2022-03-29

    上传用户:slq1234567890

  • 开关电源(Buck电路)的小信号模型及环路设计

    开关电源(Buck电路)的小信号模型及环路设计           

    标签: 开关电源 buck电路 环路设计

    上传时间: 2022-07-07

    上传用户:zhanglei193

  • 5kW全桥软开关DCDC电源.rar

    开关损耗及其带来的散热问题限制了变流器开关频率的提高,从而限制了变流器的小型化和轻量化。软开关技术能够有效的降低开关损耗,提高变流器的效率和开关频率,被广泛的应用在各种大功率开关电源场合。 本文首先对软开关技术进行了一个概述,介绍了软开关技术的工作原理及发展历史,特别提到了最新的控制型软开关技术。在第二章中,针对课题,着重讲述了全桥电路。作为对比,首先分析了全桥硬开关电路的工作原理和开关损耗。然后,分析了全桥软开关两种常见的实现方法:ZVS和ZVZCS,并针对几种常见拓扑,详细对比了它们的工作原理,软开关实现方法,软开关实现效果,软开关实现范围和总体效率,指出了它们的优缺点和各自适合的应用领域。在第三章中,首先介绍了全桥软开关的两种控制策略:移相全桥和有限双极性,从实现方法和对软开关效果的影响两个方面,做出比较。然后介绍了开关电源常见的三种控制方式:电压模式控制、峰值电流模式和平均电流模式控制,其中详细介绍了平均电流模式控制,给出了设计思想和步骤。最后,给出了全桥软开关电路的小信号模型,分析了软开关技术的引入对传统PWM硬开关全桥电路小信号模型的影响。第四章给出了5kW电力操作电源的具体设计步骤,如方案选择,磁设计、控制环路设计、副边整流电压尖峰吸收等关键步骤。第五章分析了实验波形和实验数据,验证了上述理论和设计的正确性。

    标签: DCDC 5kW 全桥

    上传时间: 2013-05-22

    上传用户:dajin

  • 开关电源稳定性设计

    众所周知,任何闭环系统在增益为单位增益l,且内部随频率变化的相移为360°时,该闭环控制系统都会存在不稳定的可能性。因此几乎所有的开关电源都有一个闭环反馈控制系统,从而能获得较好的性能。在负反馈系统中,控制放大器的连接方式有意地引入了180°相移,如果反馈的相位保持在180°以内,那么控制环路将总是稳定的。当然,在现实中这种情况是不会存在的,由于各种各样的开关延时和电抗引入了额外的相移,如果不采用适合的环路补偿,这类相移同样会导致开关电源的不稳定

    标签: 开关电源 稳定性设计

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:TF2015

  • 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

    介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

    标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:thesk123