为提高静变电源输出电压的质量，研究了一种自整定模糊PID控制方法。该方法将模糊控制优良的动态性能、灵活的控制特性和PID稳态控制性能的优势相结合，实时地对系统控制量进行调整。在Matlab/Simulink环境下，对于模糊PID和常规PID在静变电源控制中的应用分别进行了仿真。仿真结果表明，模糊PID控制器减少了超调量，抗干扰性和鲁棒性强，系统的动态、稳态性能得到了很大程度的提高。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：togetsomething
提出一种增加去耦支路损耗抑制电源分配网络PDN中并联谐振的方法。该方法通过在去耦支路引入一个串联电阻，使PDN的损耗增加，从而抑制PDN并联谐振。给出了理论模型，借助Hyperlynx PI仿真软件在DM642板卡上进行仿真实验。结果表明，在去耦支路引入一个0.45 Ω电阻，可将PDN并联谐振处的品质因数Q从282抑制到13。同时，分析了引入电阻对去耦效果的影响。当引入电阻小于0.45 Ω时，可通过增加去耦电容并联个数来补偿引入电阻对去耦的影响。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：dick_sh
介绍了由两个DC/DC开关电源模块并联构成的供电系统电路结构和工作原理。该系统采用ARM芯片STM32为主控芯片产生驱动功率开关器件MOSFET的PWM脉冲[1]，对供电系统的输出电压和各个模块的输出电流均实现了全数字闭环PI控制。系统输出电压稳定，能实现两个模块电流的比例分配，同时具有输出负载短路及延时恢复功能。仿真和实验结果验证了控制技术的正确性和可行性。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：小码农lz
为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电，开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数，通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数，以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电，在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时，谐振电感、电容应分别为625 nH，37 μF，脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH，功率器件峰值电流约300 A。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：angle
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
电源完整性的优化和仿真分析。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：yph853211
分析了高频整流电路输入电流的谐波特性，并在高频整流电路的基础上进行了改进，分别加入了并联谐振电路和低通滤波器。利用Multisim构建了仿真模型，给出了仿真模型中电路的参数，得到了仿真结果。仿真结果表明，高频整流电路的改进设计方法可有效地抑制电源模块输入电流的谐波
上传时间： 2013-11-09
上传用户：Artemis
随着用电设备对高品质的电源和电能质量的需求日益增多，高性能逆变电源的研究越来越受到关注。首先介绍了逆变电源技术的发展现状，在介绍了TMS320F2812芯片的特性之后，详细分析了基于TMS320F2812逆变电源控制器的硬件和软件设计，并对仿真结果进行分析总结。结果表明，该逆变电源能够得到稳定的正弦波输出。
上传时间： 2014-01-16
上传用户：ljt101007
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
为了研究既简单又具有优良动、静态性能的逆变电源控制方案，介绍一套全新的带有自适应功能的逆变电源模糊参数自整定系统，并通过MATLAB/SIMULINK仿真实验验证了该方法能够出色满足各项苛刻性能指标要求，具有十分广阔的应用前景。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：完玛才让
