与SPI类似，microwire总线标准，定义了总线的规范及电气特性。
上传时间： 2018-08-27
上传用户：平静亦是力量
PCIE3.0规范协议，电气特性英文手册
标签： pcie3
上传时间： 2019-04-01
上传用户：shineyang
本手册是STM32微控制器产品的技术参考手册参照2009年12月 RM0008 Reference Manual 英文第10版，技术参考手册是有关如何使用该产品的具体信息，包含各个功能模块的内部结构、所有可能的功能描述、各种工作模式的使用和寄存器配置等详细信息。 技术参考手册不包含有关产品技术特征的说明，这些内容在数据手册中。数据手册中的内容包括：产品的基本配置(如内置Flash和RAM的容量、外设模块的种类和数量等)，管脚的数量和分配，电气特性，封装信息，和定购代码等。
标签： stm32f103
上传时间： 2021-12-02
上传用户：
瑞萨16位 MCU RL78 F13/F14 家族系列产品 用户手册，说明各型号引脚功能，处理器功能，内部功能模块结构，电气特性等，辅助用户硬件设计和软件开发
标签： Renesas RL78F13 RL78F14 单片机
上传时间： 2022-02-14
上传用户：
本手册是STM32微控制器产品的技术参考手册参照2009年12月 RM0008 Reference Manual 英文第10版,共计29章节，754页。技术参考手册是有关如何使用该产品的具体信息，包含各个功能模块的内部结构、所有可能的功能描述、各种工作模式的使用和寄存器配置等详细信息。技术参考手册不包含有关产品技术特征的说明，这些内容在数据手册中。 数据手册中的内容包括：产品的基本配置(如内置Flash和RAM的容量、外设模块的种类和数量等)，管脚的数量和分配，电气特性，封装信息，和定购代码等。
标签： stm32
上传时间： 2022-04-18
上传用户：d1997wayne
赛灵思芯片手册，介绍的很详细。包含芯片资源情况、电气特性、物理结构介绍的很详细。
标签： FPGA
上传时间： 2022-04-20
上传用户：bluedrops
本手册是STM32微控制器产品的技术参考手册参照2009年12月 RM0008 Reference Manual 英文第10版，技术参考手册是有关如何使用该产品的具体信息，包含各个功能模块的内部结构、所有可能的功能描述、各种工作模式的使用和寄存器配置等详细信息。 技术参考手册不包含有关产品技术特征的说明，这些内容在数据手册中。数据手册中的内容包括：产品的基本配置(如内置Flash和RAM的容量、外设模块的种类和数量等)，管脚的数量和分配，电气特性，封装信息，和定购代码等。
标签： stm32
上传时间： 2022-05-19
上传用户：
屏蔽、滤波与接地是防止电磁干扰的重要措施 , 而屏蔽与接地技术的应用尤为广泛。本书对屏 蔽机理、屏蔽的理论计算、屏蔽实例、接地技术、接地装置阻值的计算等均作了较详尽的 介绍。对多层组 合屏蔽体、土壤电气特性及土壤电阻率的测定方法也作了必要的阐述。全书力求理论结合实际 , 可供从 事电磁兼容技术的科研人员及大专院校师生阅读参考。
上传时间： 2022-05-19
上传用户：jason_vip1
ADS1256 是TI（Texas I nstruments ）公司推出的一款低噪声高分辨率的24 位Si gma - Delta（"- #）模数转换器（ADC）。"- #ADC 与传统的逐次逼近型和积分型ADC 相比有转换误差小而价格低廉的优点，但由于受带宽和有效采样率的限制，"- #ADC 不适用于高频数据采集的场合。该款ADS1256 可适合于采集最高频率只有几千赫兹的模拟数据的系统中，数据输出速率最高可为30K 采样点／秒（SPS），有完善的自校正和系统校正系统， SPI 串行数据传输接口。本文结合笔者自己的应用经验，对该ADC 的基本原理以及应用做简要介绍。ADs1256 的总体电气特性下面介绍在使用ADs1256 的过程中要注意的一些电气方面的具体参数：模拟电源（AVDD ）输入范围+ 4 . 75V !+ 5 .25V，使用的典型值为+ 5 .00V；数字电源（DVDD ）输入范围+ 1 . 8V !+ 3 .6V，使用的典型值+ 3 .3V；参考电压值（VREF= VREFP- VREFN）的范围+ 0 .5V!+ 2 .6V，使用的典型值为+ 2 .5V；耗散功率最大为57mW；每个模拟输入端（AI N0 !7 和AI NC M）相对于模拟地（AGND）的绝对电压值范围在输入缓冲器（BUFFER）关闭的时候为AGND-0 .1 !AVDD+ 0 . 1 ，在输入缓冲器打开的时候为AGND !AVDD-2 .0 ；满刻度差分模拟输入电压值（VI N = AI NP -AI NN）为+ ／-（2VREF／PGA）；数字输入逻辑高电平范围0 .8DVDD!5 .25V（除D0 !D3 的输入点平不可超过DVDD 外），逻辑低点平范围DGND!0 .2DVDD；数字输出逻辑高电平下限为0 .8DVDD，逻辑低电平上限为0 .2DVDD，输出电流典型值为5mA；主时钟频率由外部晶体振荡器提供给XTAL1和XTAL2 时，要求范围为2 M!10 MHz ，仅由CLKI N 输入提供时，范围为0 .1 M!10 MHz 。
上传时间： 2022-06-10
上传用户：
摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250，EXB系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项，对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点，最后得出结论：IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词：绝缘栅双极晶体管：集成电路；过流保护1前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型品体管（IGBT）[1].在IGBT中，用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是日前最为常见的一种器件。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
