对CPLD学习者有帮助，既讲解了硬件的结构，又讲述了VHDL语言的应用
上传时间： 2013-08-20
上传用户：leyesome
基于CPLD的双屏结构液晶控制器的研究与设计作者：黄丽薇.doc
上传时间： 2013-08-22
上传用户：leyesome
本文详细分析了COOLRUNNER系列CPLD的结构,特点及功能,使用VHDL语言实现数字逻辑,实现了水下冲击波记录仪电路的数字电路部分.
标签： COOLRUNNER CPLD
上传时间： 2013-08-26
上传用户：亚亚娟娟123
讲述CPLD和FPGA的结构，对初学者很有用。
上传时间： 2013-08-26
上传用户：奔跑的雪糕
节点是网络系统的基本控制单元，论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案，它能够提高单节点并行处理能力，其模块化结构增强了节点的可靠性。
上传时间： 2013-08-31
上传用户：shanxiliuxu
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：gxm2052
电容器专题讲座(一，常用电容器分类）(二，电容器的电气特性）(三，陶瓷电容器）(四，铝电解电容器）(五，固体钽电容器）
上传时间： 2013-11-12
上传用户：xhwst
什么是超级电容器? ◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 ◆ 超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板，在极板上加电，正极板吸引电解质中的负离子，负极板吸引正离子，实际上形成两个容性存储层，被分离开的正离子在负极板附近，负离子在正极板附近。
标签： 电解电容器
上传时间： 2014-12-23
上传用户：qzhcao
