随着电子计算机和通信技术的发展，人类已经逐渐地进入信息化社会。信息和材料、能源一样成为一种社会的基本生产资料，在人类的社会生产活动中发挥着重要的作用。同时人们对信息和数据的利用与处理也已进入自动化、网络化和社会化的阶段，因此，开发相关的管理信息系统已经成为各行各业的必要和必需了，对内来看，可以提高工作效率；对外来看，获得竞争优势。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：lizhizheng88
COM_DCOM技术内幕书籍的电子版本，详细的叙述了COM、DCOM的技术内幕，是学习COM技术的一本好材料。
上传时间： 2013-12-21
上传用户：yepeng139
电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M材料加工工艺过程检测与控制原理及方法 455页 22.0M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M材料编码手册 114页 0.4M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方 法，计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能 量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有 间接带隙的半导体材料，带隙宽为1.126 eV；价带和导带的形成是由Mo和S 的价电子起作用产生的。通过分析 其光学性质，发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区，当光子能量的升高，介电函数值会缓 慢降低；材料MoS2对可见紫外区域的光子具有很强的吸收，最大吸收系数为3.17×105cm-1；MoS2在能量为18.33eV 位置出现了共振现象，其它区域内能量的损失值都趋于为0，说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了 该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用，尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景，为未来对 MoS2材料的进一步研究提供理论参考。
上传时间： 2020-11-08
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硬件工程师 电子工程师必备知识手册关键字： 电阻 基础知识 线绕电阻器 薄膜电阻器 实心电阻器 电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧， 分别用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、 X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类 型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6- 精密、7-精密、8-高压、 9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以
上传时间： 2022-02-17
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机械设计、原理、 制造、自材料、理论视频教程课程26：CAPP开发应用技术25讲.rar - 879.03MB课程25：传感器与测试技术39讲.rar - 1.71GB课程24：电工技术54讲.rar - 2.04GB课程23：电机学视频73讲.rar - 1.39GB课程22：电子技术64讲.rar - 2.10GB课程21：工业工程导论40讲.rar - 1.60GB课程20：公差与技术测量19讲.rar - 1.37GB课程19：机床概论26讲.rar - 961.03MB......
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上传时间： 2022-05-09
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上传时间： 2022-05-27
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32位单片机C语言编程：基于PIC32.pdf - 22.86MB16位单片机C语言编程：基于PIC24.pdf - 18.56MB图灵电子丛书图灵电子与电气工程丛书国外电子与通信教材系列国外电子与电气工程技术丛书信号、系统和变换 原书第5版_（美）菲尔普斯,（美）帕尔,（美）瑞斯肯著_北京：机械工业出版社.pdf - 91.90MB电子电路原理 原书第7版_（美）AlbertMalvino，（美）DavidJ.Bates著_北京：机械工业出版社.pdf - 181.68MB电磁场与波 电磁材料及MATLAB计算_（美）凯鲁瑞著_北京：机械工业出版社.pdf - 87.68MB......
标签： 图灵电子丛书
上传时间： 2022-05-27
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本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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