iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2kω）能实现小信号远程无失真的传输。 ic内部可采用陶瓷基板、印刷电阻全smt的可靠工艺制作及使用新技术隔离措施，使器件能满足信号输入/输出/辅助电源之间3kv三隔离和工业级宽温度、潮湿震动等现场环境要求。外接满度校正和零点校正的多圈电位器可实现 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信号之间的隔离和转换。（精度线性高，隔离电压3000vdc）
上传时间： 2014-12-23
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对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
简易数字电压表的设计
标签： 数字电压表
上传时间： 2013-12-19
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本教程旨在考察标定运算放大器的增益和带宽的常用方法。需要指出的是，本讨论适用于电压反馈(VFB)型运算放大器——电流反馈(CFB)型运算放大器将在以后的教程(MT-034)中讨论。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：大三三
摘要本设计以VCA822、MSP430F2012、DAC7611芯片为核心，加以其它辅助电路实现对宽带电压放大器的电压放大倍数、输出电压进行精确控制。放大器的电压放大倍数从0.2倍到20倍以0.1倍为步进设定，输出电压从6mv到600mv以1mv为步进设定，控制误差不大于5%，放大器的带宽大于15MHz。键盘和显示电路实现人机交互，完成对电压放大倍数和输出电压的设定和显示。关键词：程控放大器；高精度；控制电压；电压变换；D/A；A/D。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：iswlkje
电压源电流源名字上仅差一个字…HE HE.有一些朋友对此不太明白.所以特此说明下…并以软件仿真…详细介绍工作原理…以及注意事项….下面就是电压源和电流的符号…左边是电流源,右边是电压源. 电压源…电压源其实就是我们普通经常用的一种电源.比如说电池呀电瓶或自己做的稳压电路.一般属于电压源… 电压源的特性是: 输出端,可以开路,但不能短路…总而言之电压源的输出电压是恒定的…比如5V 电压源输出的电压就是5V.随不同的负载会改变电流…比如在5V 的电压源上加一个1 欧的负载… 流过的电流就是5/1=5A 电流… 如果接的电阻为2 欧.流过电流就等于5/2=2.5A….这个简单的计算相信谁都会…电流源电流源和电压源区别比较大…电流源输出端不能开路,但可以短路…为什么不能开路呢…HE HE…是因为开路了…电流源输出的电压就为无限高了…(实际上电压也是有一定值的)总而言之电流源的输出电流是恒定的.不管你负载的大小…就是你短路了.他的电流还是保持不变.改变的是电压…比如一个1A的恒流源…你接上一个1欧的负载…他输出的电压是.1x1=1V 电压…当你接上一个10 欧电阻的时候…他就是1x10=10V电压输出…
上传时间： 2013-10-08
上传用户：kaixinxin196
运行典型高速ADC评估板设置
上传时间： 2013-10-22
上传用户：ly1994
protel_dxp规则设置
标签： protel_dxp
上传时间： 2013-12-25
上传用户：zhangxin
热转印制PCB板中的打印设置
上传时间： 2013-11-16
上传用户：gaoqinwu
有关一些protel其本设置，适合新手
标签： protel
上传时间： 2014-01-02
上传用户：zhuyibin
