并口epp模式下与fpga通信例子,附源码
上传时间: 2013-09-03
上传用户:caiqinlin
这个教程的设计是为了为你提供一个怎样建立一张原理图、从PCB更新设计信息以及产生生产输出文件的预览。
上传时间: 2013-09-18
上传用户:Miyuki
针对传统第二代电流传输器(CCII)电压跟随不理想的问题,提出了新型第二代电流传输器(CCCII)并通过采用新型第二代电流传输器(CCCII)构成二阶电流模式带通滤波器,此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单,其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。
上传时间: 2013-11-15
上传用户:jqy_china
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性,以及其基本组成共源共栅电流镜,并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上,设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路,并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。
上传时间: 2013-10-22
上传用户:wtrl
摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。 关键词: 时钟分相技术; 应用 中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203 时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的 性能。尤其现代电子系统对性能的越来越高的要求, 迫使我们集中更多的注意力在更高频率、 更高精度的时钟设计上面。但随着系统时钟频率的升高。我们的系统设计将面临一系列的问 题。 1) 时钟的快速电平切换将给电路带来的串扰(Crosstalk) 和其他的噪声。 2) 高速的时钟对电路板的设计提出了更高的要求: 我们应引入传输线(T ransm ission L ine) 模型, 并在信号的匹配上有更多的考虑。 3) 在系统时钟高于100MHz 的情况下, 应使用高速芯片来达到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但这种芯片一般功耗很大, 再加上匹配电阻增加的功耗, 使整个系统所需要的电流增大, 发 热量增多, 对系统的稳定性和集成度有不利的影响。 4) 高频时钟相应的电磁辐射(EM I) 比较严重。 所以在高速数字系统设计中对高频时钟信号的处理应格外慎重, 尽量减少电路中高频信 号的成分, 这里介绍一种很好的解决方法, 即利用时钟分相技术, 以低频的时钟实现高频的处 理。 1 时钟分相技术 我们知道, 时钟信号的一个周期按相位来分, 可以分为360°。所谓时钟分相技术, 就是把 时钟周期的多个相位都加以利用, 以达到更高的时间分辨。在通常的设计中, 我们只用到时钟 的上升沿(0 相位) , 如果把时钟的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系统的时间分辨能力就可以 提高一倍(如图1a 所示)。同理, 将时钟分为4 个相位(0°、90°、180°和270°) , 系统的时间分辨就 可以提高为原来的4 倍(如图1b 所示)。 以前也有人尝试过用专门的延迟线或逻辑门延时来达到时钟分相的目的。用这种方法产生的相位差不够准确, 而且引起的时间偏移(Skew ) 和抖动 (J itters) 比较大, 无法实现高精度的时间分辨。 近年来半导体技术的发展, 使高质量的分相功能在一 片芯片内实现成为可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能优异的时钟 芯片。这些芯片的出现, 大大促进了时钟分相技术在实际电 路中的应用。我们在这方面作了一些尝试性的工作: 要获得 良好的时间性能, 必须确保分相时钟的Skew 和J itters 都 比较小。因此在我们的设计中, 通常用一个低频、高精度的 晶体作为时钟源, 将这个低频时钟通过一个锁相环(PLL ) , 获得一个较高频率的、比较纯净的时钟, 对这个时钟进行分相, 就可获得高稳定、低抖动的分 相时钟。 这部分电路在实际运用中获得了很好的效果。下面以应用的实例加以说明。2 应用实例 2. 1 应用在接入网中 在通讯系统中, 由于要减少传输 上的硬件开销, 一般以串行模式传输 图3 时钟分为4 个相位 数据, 与其同步的时钟信号并不传输。 但本地接收到数据时, 为了准确地获取 数据, 必须得到数据时钟, 即要获取与数 据同步的时钟信号。在接入网中, 数据传 输的结构如图2 所示。 数据以68MBös 的速率传输, 即每 个bit 占有14. 7ns 的宽度, 在每个数据 帧的开头有一个用于同步检测的头部信息。我们要找到与它同步性好的时钟信号, 一般时间 分辨应该达到1ö4 的时钟周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 这就是说, 系统时钟频率应在300MHz 以 上, 在这种频率下, 我们必须使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型门延迟为340p s) , 如前所述, 这样对整个系统设计带来很多的困扰。 我们在这里使用锁相环和时钟分相技术, 将一个16MHz 晶振作为时钟源, 经过锁相环 89429 升频得到68MHz 的时钟, 再经过分相芯片AMCCS4405 分成4 个相位, 如图3 所示。 我们只要从4 个相位的68MHz 时钟中选择出与数据同步性最好的一个。选择的依据是: 在每个数据帧的头部(HEAD) 都有一个8bit 的KWD (KeyWord) (如图1 所示) , 我们分别用 这4 个相位的时钟去锁存数据, 如果经某个时钟锁存后的数据在这个指定位置最先检测出这 个KWD, 就认为下一相位的时钟与数据的同步性最好(相关)。 根据这个判别原理, 我们设计了图4 所示的时钟分相选择电路。 在板上通过锁相环89429 和分相芯片S4405 获得我们所要的68MHz 4 相时钟: 用这4 个 时钟分别将输入数据进行移位, 将移位的数据与KWD 作比较, 若至少有7bit 符合, 则认为检 出了KWD。将4 路相关器的结果经过优先判选控制逻辑, 即可输出同步性最好的时钟。这里, 我们运用AMCC 公司生产的 S4405 芯片, 对68MHz 的时钟进行了4 分 相, 成功地实现了同步时钟的获取, 这部分 电路目前已实际地应用在某通讯系统的接 入网中。 2. 2 高速数据采集系统中的应用 高速、高精度的模拟- 数字变换 (ADC) 一直是高速数据采集系统的关键部 分。高速的ADC 价格昂贵, 而且系统设计 难度很高。以前就有人考虑使用多个低速 图5 分相技术应用于采集系统 ADC 和时钟分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于时钟分相电路产生的相位不准确, 时钟的 J itters 和Skew 比较大(如前述) , 容易产生较 大的孔径晃动(Aperture J itters) , 无法达到很 好的时间分辨。 现在使用时钟分相芯片, 我们可以把分相 技术应用在高速数据采集系统中: 以4 分相后 图6 分相技术提高系统的数据采集率 的80MHz 采样时钟分别作为ADC 的 转换时钟, 对模拟信号进行采样, 如图5 所示。 在每一采集通道中, 输入信号经过 缓冲、调理, 送入ADC 进行模数转换, 采集到的数据写入存储器(M EM )。各个 采集通道采集的是同一信号, 不过采样 点依次相差90°相位。通过存储器中的数 据重组, 可以使系统时钟为80MHz 的采 集系统达到320MHz 数据采集率(如图6 所示)。 3 总结 灵活地运用时钟分相技术, 可以有效地用低频时钟实现相当于高频时钟的时间性能, 并 避免了高速数字电路设计中一些问题, 降低了系统设计的难度。
上传时间: 2013-12-17
上传用户:xg262122
pcb生产拼版尺寸设计简介
上传时间: 2013-10-19
上传用户:franktu
随着科学技术的不断发展,人们的生活水平的不断提高,通信技术的不断扩延,计算机已经涉及到各个不同的行业,成为人们生活、工作、学习、娱乐不可缺少的工具。而计算机主板作为计算机中非常重要的核心部件,其品质的好坏直接影响计算机整体品质的高低。因此在生产主板的过程中每一步都是要严格把关的,不能有丝毫的懈怠,这样才能使其品质得到保证。 基于此,本文主要介绍电脑主板的SMT生产工艺流程和F/T(Function Test)功能测试步骤(F/T测试步骤以惠普H310机种为例)。让大家了解一下完整的计算机主板是如何制成的,都要经过哪些工序以及如何检测产品质量的。 本文首先简单介绍了PCB板的发展历史,分类,功能及发展趋势,SMT及SMT产品制造系统,然后重点介绍了SMT生产工艺流程和F/T测试步骤。
上传时间: 2013-11-06
上传用户:paladin
国外生产厂商型号前缀互联网网址.pdf
上传时间: 2013-12-23
上传用户:wangfei22
随着计算机软、硬件技术的快速发展,给人类生产、生活及传统的产品设计和生产组织模式都带来了深刻的变革,随着计算机应用领域的日益扩大,涌现了许多以计算机技术为基础的新兴学科,模具CAD/CAE/CAM便是其中之一。模具CAD/CAE/CAM是一门基于计算机技术而发展起来的、与机械设计和制造技术相互渗透、相互结合、多学科综合性的技术,随着计算机技术的迅速发展、数控机床的广泛应用及相关软件的日益完善,CAD/CAE/CAM技术在电子、机械、航空、航天、轻工等领域得到了广泛的应用。
上传时间: 2013-10-30
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结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间: 2013-11-14
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