PW4054 是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。PW4054 适合给 USB 电源以及适配器电源供电。基于特殊的内部 MOSFET 架构以及防倒充电路， PW4054 不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压固定在 4.2V，而充电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值的 1/10，芯片将终止充电循环。当输入电压断开时， PW4054 进入睡眠状态，电池漏电流将降到 1uA 以下。 PW4054 还可以被设置于停机模式，此时芯片静态电流降至 25uA。PW4054 还包括其他特性：欠压锁定，自动再充电和充电状态标志。PW4054 采用 SOT23-5L 封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品
标签： pw4054
上传时间： 2022-02-11
上传用户：jason_vip1
这是一篇哈尔滨工业大学2012年 物理电子学工学博士的毕业论文。相干多普勒激光雷达是测量遥感风场和运动目标速度的有力工具。相干多普勒激光雷达的发射源普遍使用单纵模激光器，而锁模激光所具有的宽频谱、窄脉宽、高峰值功率等特性使其在作为相干激光雷达发射源方面具有潜在的应用价值。本文从理论上和实验上对基于锁模激光的相干多普勒激光雷达进行了研究。 理论上，在单频外差探测原理的基础上，考虑了具有 m+1 个模式、纵模间隔为 ω 的本振光，与发生了 Δω 频移的信号光相干拍频后的理论模型，证明了相位差恒定的锁模激光可以实现相干混频，并可以通过低通滤波或 FFT 频谱分析的方式检测出差频信号。利用这一理论模型进行了数值模拟计算，分析了信号光在不同的频移值时的拍频波形，讨论了实现相干探测本振光与信号光应满足的条件。 基于相干多普勒激光雷达系统对发射光源的要求，进行了锁模激光器的实验研究。通过使用不同的锁模器件得到锁模激光输出，其中主动锁模和调 Q 主动锁模都获得了单脉冲宽度在百皮秒量级、锁模深度 100%、锁模几率 95%以上的稳定的锁模脉冲序列输出。对被动锁模、主动锁模、调 Q 主动锁模的激光输出特性进行了对比研究，主动锁模脉冲序列包络时间较长但峰值功率较低，而调 Q 主动锁模峰值功率高但包络时间较短，不同类型的激光输出为后续的相干测速实验提供了多种选择。 利用声光移频器模拟外差探测中信号光发生的多普勒频移，进行了锁模激光拍频实验研究，并与单纵模激光拍频实验结果进行了比较。使用锁模激光在频移为 30 ~ 80 MHz 的范围内进行了拍频实验研究，拍频波形及信号处理的结果均与理论分析相符， 测量结果的相对误差在 0.5%以下。 分别使用脉宽为 10 ns和 16 ns 的调 Q 单纵模脉冲进行拍频，在信号光频移为 150 MHz 时测量结果的相对误差分别为 3.7%和 1.6%。对比实验结果发现，调 Q 单纵模脉冲由于有限的脉宽限制了拍频后包络的数量，导致误差相对较大，而锁模脉冲序列由于具有较长包络时间，在测量较低频移值时仍具有较高的精度，即测量低速目标时更具有优势。在具有较长包络时间的同时，锁模激光还具有高峰值功率和窄脉宽的特点。使用光纤耦合的方式进行了相干拍频实验，得到了稳定的相干拍频波形，FFT 频谱分析的结果与设定值和理论分析相符。
标签： 激光雷达
上传时间： 2022-02-12
上传用户：
LT3095MPUDD双通道低噪声偏置发生器的典型应用电路凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双通道 IC LT3095，该器件从单一输入提供两路非常低噪声、低纹波的偏置电源。每个通道都纳入了单片升压型 DC/DC 转换器，一个集成的超低噪声和高 PSRR (电源抑制比) 线性稳压器对该转换器进行了后置稳压。LT3095 在输出电压高达 20V 时提供高达 50mA 的连续输出电流，总纹波和噪声 <100µVP-P。该器件在 3V 至 20V 输入电压范围内工作，从而可与多种电源兼容。 LT3095 的固定频率、峰值电流模式升压型 DC/DC 转换器包括一个集成的 950mA 电源开关、肖特基二极管和内部频率补偿。开关频率在 450kHz 至 2MHz 内可通过单个电阻器编程，或可同步至一个外部时钟，因此允许使用纤巧的外部组件。结合紧凑的 3mm x 5mm QFN 封装，LT3095 可提供简单、占板面积紧凑、高效率的解决方案，适用于仪表放大器、RF 和数据转换系统、以及其他低噪声偏置应用。 LT3095 的线性稳压器运用凌力尔特专有的电流源基准架构，从而提供了很多优势，例如能够用单个电阻器设定输出电压，带宽、噪声、PSRR 和负载调节性能基本上不受输出电压影响。集成输出噪声 (在 10Hz 至 100kHz 带宽) 仅为 4µVRMS，而且在整个开关频率范围内 PSRR 超过70dB，从而使总的噪声和纹波 <100µVP-P。线性稳压器调节升压型转换器的输出电压，使其比线性稳压器输出电压高 2V，从而优化了功耗、瞬态响应和 PSRR 性能。为了提高系统可靠性，LT3095 提供短路和热保护，还为每个通道提供独立和精确的使能 / UVLO 门限。微功率工作时，两个 EN 引脚均被拉低。
标签： 噪声偏置发生器
上传时间： 2022-02-15
上传用户：
本资料包含完整的GJB150A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150A-2009中华人民共和国国家军用标准代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 军用装备实验室环境试验方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 军用装备实验室环境试验方法第2部分:低气压（高度）试验（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.7A-2009 军用装备实验室环境试验方法第7部分:太阳辐射试验（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 军用装备实验室环境试验方法第8部分:淋雨试验（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.11A-2009 军用装备实验室环境试验方法第11部分 盐雾试验（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 军用装备实验室环境试验方法第12部分:砂尘试验（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.14A-2009 军用装备实验室环境试验方法第14部分:浸渍试验（代替GJB150.14-86）GJB150.15A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.16A-2009 军用装备实验室环境试验方法第16部分振动试验（代替GJB150.16-86）GJB150.17A-2009 军用装备实验室环境试验方法第17部分:噪声试验（代替GJB150.17-86）GJB150.18A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.20A-2009 军用装备实验室环境试验方法第20部分:炮击振动试验（代替GJB150.20-86）GJB150.21A-2009 军用装备实验室环境试验方法第21部分:风压试验（代替GJB150.21-87）GJB150.22A-2009 军用装备实验室环境试验方法第22部分:积冰/冻雨试验（代替GJB150.22-87）GJB150.23A-2009 军用装备实验室环境试验方法第23部分:倾斜和摇摆试验（代替GJB150.23-91）GJB150.24A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.25A-2009 军用装备实验室环境实验方法GJB150.26A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.27A-2009 军用装备实验室环境实验方法GJB150.28A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.29A-2009 军用装备实验室环境试验方法第29部分:弹道冲击试验
标签： 实验室环境
上传时间： 2022-03-05
上传用户：wangshoupeng199
半导体物理学 刘恩科 第六版本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考丛编项：普通高等教育"十一五"国家级规划教材
标签： 半导体物理学
上传时间： 2022-03-19
上传用户：
◆无线充电是电子产品“无尾化”进程的一部分。摇脱线缆的来缚是消夤电子产业发展的必然趋势，也是无线互联网时代的自然害求。包抬3G4G等在内的无线通信技术主要麟决了数据文互的无线化，而能量传输的无线化作为“无尾化”发展趋势的重要组织部分，必须通过无线充电技术来完或。在盘据传输无线化进入高湖的今天能量传的无线化将得到更多的重视。而“无尾化”趋势的最终发展方向则是无线数据传输和无线能量传的融合◆无践充电技术在消费电子领域大有可为，消费电子市场下游体量巨大，智能手机平板电脑，PC以及近期越演越烈的可穿鵡風湖为无线充电产品提供了足够的发展空间。在智能予机和乎板电脑增长呈现疲态的后智能化时代，无线充电技术是各大厂商无法避开的产品创新。而从消費者角度讲。无线充电技术在无线互联网和智能终端大爆发的背景下能够带来用户体验的大幅提高。◆。无线充电产业启动的外部环境在2014年得到很大改善，根搭 isuppli的预计到2015年全球无线充电行业产值将达到240亿美元，但是其在2013年的渗遗逵度却远低于业界预期，主要是成本过高。标准不统一和充电效率不理想这三大固素制了产业启动。而在2014年，随着技术的进步以及多模方案的成热，这些限制概颈将逐一被突破，无线充电产业发展的外部环境将得到很大改善，这就使得产业启动成为可能巨头纷纷加入，无线充电产业有望在2014年迎来扬点。不管是在技术实力上，还是场号召力上，行业巨头的态度直接决定了无线充电产业何时启动以及以何种方式唇动，而在2014年的CEs上，包括me，高通、悔通等在内的行业巨头，一改此前出声不出力的做法，开始实质性的加大了对无线充电技术的投入力度，各种相关产品和方袋纷纷亮相。行业巨头们的强势加入将形成巨大的带动效应，推动无线充电产业在2014年实現实质性启动
标签： 无线充电
上传时间： 2022-03-30
上传用户：
本次设计介绍了电力系统故障分析方法及 Matlab/Simulink的基本特点。通过算例对电力系统故障进行分析计算。然后对算例，运用 Matlab/Simulink进行电力系统故障仿真，得出仿真结果。并将电力系统故障的分析计算结果与 Matlab仿真的分析结果进行比较，从而得出结论。结果表明运用 Matlab对电力系统故障进行分析与仿真，能够准确直观地考察电力系统故障的动态特性，验证了 Matlab在电力系统仿真中的强大功能。关键词：电力系统：故障：Matlab；仿真短路是电力系统的严重故障。所谓短路，是指一切不正常的相与相之间或相与地（对于中性点接地的系统）发生系统通路的情况。电力系统在运行中，相与相之间或相与地（或中性线）之间发生非正常连接（即短路）时流过的电流。其值可远远大于额定电流，并取决于短路点距电源的电气距离。例如，在发电机端发生短路时，流过发电机的短路电流最大瞬时值可达额定电流的10~15倍。大容量电力系统中，短路电流可达数万安。这会对电力系统的正常运行造成严重影响和后果供电网络中发生短路时，很大的短路电流会使电器设备过热或受电动力作用而遭员坏，同时使网络内的电压大大降低，因而破坏了网络内用电设备的正常工作，为了消除或减轻短路的后果，就需要计算短路电流，以正确地选择电器设备、设计继电保护和选用限制短路电流的元件
上传时间： 2022-04-02
上传用户：
有源相控阵雷达技术在世界各国的国防与经济建设中发挥着重要的作用。为了全面展现有源相控阵雷达天线结构的研制，本书较详尽地阐述了有源相控阵雷达天线结构在总体技术、工业造型技术、热控技术、仿真与试验技术、有源模块结构技术、新材料与工艺技术等方面的研究，并介绍了许多国内外雷达领域的设计实例，本书的内容具有较强的实用性。
标签： 雷达
上传时间： 2022-04-07
上传用户：
TPA31xxD2系列产品是用于驱动高达100W/2Q的单声道扬声器的立体声高效、数字放大器功率级。TPA3130D2的高效率使得它能够在一个单层印刷电路板（PCB）上实现2x15W而无需外部散热片。TPA3118D2甚至能够在一个双层PCB上在不需要散热片的情况下运行2x30W/8Q。如果需要更高的功率，TPA3116D2在它正面散热垫（PowerPad）上连接一个小型散热片后，运行2x50W/4Q。所有这三个器件共用同一封装，这使得可在不同的功率级范围内使用一个单一PCB。TPA31XXD2高级振荡器/可编程锁相环路（PLL）电路采用一个多重开关频率选项来避免AM干扰；在实现此功能的同时，还有一个主器件/从器件选项，这使得多重器件同步成为可能。TPA31XxD2器件在短路和过热，以及过压、欠压和DC情况下受到完全保护。故障被报告给处理器，从而避免过载情况下对器件造成的损坏。特性·支持多路输出配置-21V时，2x50W被驱动进入一个4Q桥接式（BTL）负载（TPA3116D2）-24V时，2x30W被驱动进入一个8QBTL负载（TPA3118D2）-15V时，2x15W被驱动进入一个8QBTL负载（TPA3130D2）·宽电压范围：4.5V-26V·高效D类操作-大于90%的功率效率与低空闲损失组合在一起大大减少了散热片尺寸-高级调制系统·多重开关频率-AM干扰防止-主器件/从器件同步-高达1.2MHz开关频率·带有高电源抑制比（PSRR）的反馈电源级架构减少了对于PSU的需要·可编程功率限制·差分/单端输入
上传时间： 2022-04-08
上传用户：
目前cPU+ Memory等系统集成的多芯片系统级封装已经成为3DSiP（3 Dimension System in Package，三维系统级封装）的主流，非常具有代表性和市场前景，SiP作为将不同种类的元件，通过不同技术，混载于同一封装内的一种系统集成封装形式，不仅可搭载不同类型的芯片，还可以实现系统的功能。然而，其封装具有更高密度和更大的发热密度和热阻，对封装技术具有更大的挑战。因此，对SiP封装的工艺流程和SiP封装中的湿热分布及它们对可靠性影响的研究有着十分重要的意义本课题是在数字电视（DTV）接收端子系统模块设计的基础上对CPU和DDR芯片进行芯片堆叠的SiP封装。封装形式选择了适用于小型化的BGA封装，结构上采用CPU和DDR两芯片堆叠的3D结构，以引线键合的方式为互连，实现小型化系统级封装。本文研究该SP封装中芯片粘贴工艺及其可靠性，利用不导电胶将CPU和DDR芯片进行了堆叠贴片，分析总结了SiP封装堆叠贴片工艺最为关键的是涂布材料不导电胶的体积和施加在芯片上作用力大小，对制成的样品进行了高温高湿试验，分析湿气对SiP封装的可靠性的影响。论文利用有限元软件 Abaqus对SiP封装进行了建模，模型包括热应力和湿气扩散模型。模拟分析了封装体在温度循环条件下，受到的应力、应变、以及可能出现的失效形式：比较了相同的热载荷条件下，改变塑封料、粘结层的材料属性，如杨氏模量、热膨胀系数以及芯片、粘结层的厚度等对封装体应力应变的影响。并对封装进行了湿气吸附分析，研究了SiP封装在85℃RH85%环境下吸湿5h、17h、55和168h后的相对湿度分布情况，还对SiP封装在湿热环境下可能产生的可靠性问题进行了实验研究。在经过168小时湿气预处理后，封装外部的基板和模塑料基本上达到饱和。模拟结果表明湿应力同样对封装的可靠性会产生重要影响。实验结果也证实了，SiP封装在湿气环境下引入的湿应力对可靠性有着重要影响。论文还利用有限元分析方法对超薄多芯片SiP封装进行了建模，对其在温度循环条件下的应力、应变以及可能的失效形式进行了分析。采用二水平正交试验设计的方法研究四层芯片、四层粘结薄膜、塑封料等9个封装组件的厚度变化对芯片上最大应力的影响，从而找到最主要的影响因子进行优化设计，最终得到更优化的四层芯片叠层SiP封装结构。
标签： sip封装
上传时间： 2022-04-08
上传用户：
