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测量材料

  • 使用NI的采集卡测量材料的磁滞特性

    使用NI的采集卡测量材料的磁滞特性,包含数据采集及积分运算的范例。

    标签: 采集卡 测量材料

    上传时间: 2016-06-07

    上传用户:1583060504

  • 脉冲超声传感器激发接收电路设计

    重点研究了场效应管驱动电路、脉冲超声波高压激发电路及接收保护电路,并简要介绍了其余电路的实现。对研制的电路进行了性能分析,所用电子元器件均无过热现象,并获得较为理想的电脉冲信号。设计的电路板已成功用于磁致伸缩式超声传感器测量材料弹性模量。

    标签: 脉冲 接收 电路设计 超声传感器

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:fhjdliu

  • 基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量

    提出了一个考虑FP 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度。另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法。以GaAs 为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱.

    标签: 太赫兹 光谱 半导体材料 参数测量

    上传时间: 2013-12-16

    上传用户:alan-ee

  • 铁磁材料损耗及高速软磁复合材料电机的研究.rar

    准确计算电机铁耗一直是困扰电机设计者的一个难题。传统方法是假设电机内部磁场仅是交变磁化的,根据铁磁材料在交变磁化条件下测量的数据,计算电机齿部和轭部由基波磁场造成的损耗,对于计算值与实测值之间的误差通过经验系数来修正。这种方法对于已经长期制造和使用的电机而言勉强适用,对于近年来发展很快的永磁电机、高速电机和其他新结构电机,由于缺乏合适的经验系数,导致此方法难以适用。众多研究人员的成果已经证明电机的铁耗有相当一部分是由旋转磁化导致的,因此顾及旋转磁化的电机铁耗计算模型是本文的一个重要内容。 本文从铁磁材料的铁耗入手,先研究铁磁材料在交变磁化和旋转磁化方式下的计算和测量方法,目的是得到铁耗分立模型中磁滞损耗、涡流损耗和异常损耗的计算系数。本文提出并实现了数字式的25cm爱泼斯坦方圈测试系统,它可以测量在任何频率和波形电源供电下硅钢片的损耗,本文还在二维铁耗测试系统中对硅钢片在圆形旋转磁化条件下的损耗进行了测量。结果表明,在同样频率和磁密的条件下,旋转磁化下的损耗要比交变磁化下的损耗大。本文提出了基于磁密轨迹的电机铁耗计算模型,它只采用较容易获得的交变磁化损耗系数,但又能顾及到旋转磁化带来的影响。通过实际电机的计算和测试,表明轨迹法的计算结果在未经任何系数修正的情况下就具有很好的精度,适合推广使用。 软磁复合材料是一种新型的粉末金属材料,它具有涡流损耗小和易制造成具有复杂结构电机等特点。为了探索这种材料在高频领域中的应用和验证本文提出的铁耗计算模型,本文成功地设计和制造了一台采用软磁复合材料的爪极式永磁电机,由于结构复杂,本文通过三维有限元分析,对该电机的磁通、磁链、电感、转矩和铁耗等参数和性能的计算提出了计算方法。对该种电机的热分析,本文提出了热网络法和磁热耦合有限元法。由于铁耗在高速电机总损耗中占有很大比例,因此在有限元方法中,本文通过映射剖分法,使磁场和热场模型中的单元总数、大小和顺序保持完全一致,轨迹法计算得到的各单元铁耗直接耦合进热场进行计算,得到了电机准确的温度分布。本文还进行了高速电机转子的模态分析,合理地调整转子的直径、长度和轴承位置,使转子的自然共振频率远离电机的工作频率范围。本文构建了一测试平台对样机进行了发电机状态测试,并通过假转子法测量了电机铁耗,实验结果证明了本文所用方法的可行性,得到的结论对软磁复合材料的应用及爪极式电机的设计与分析都具有很好的参考价值。

    标签: 铁磁 材料 损耗

    上传时间: 2013-06-27

    上传用户:hjshhyy

  • 基于ARM的材料试验机测试系统的研究与开发

    材料试验机是测定材料机械性能的基本设备之一,应用范围广泛。它主要由机械、加载及测试等系统组成,其中测试系统是试验机不可缺少的组成部分,它对试验机的性能又起着决定性作用。随着实验科学的发展、科技的进步以及应用需求的增加,旧有的测试系统已逐渐不能适应人们的测试需求,为了扩大传统材料试验机的应用范围,全面提高测量的准确性、实验效率和智能化水平,越来越多的高新技术正在被引入到材料试验机测试系统领域。 本课题属于企业委托的技术开发项目,其目的是开发一套用于材料性能测试的试验机测试系统。针对项目委托方提出的功能要求,经过对试验机测试技术及其发展趋势的研究分析,最终确定采用USB总线技术,设计一款基于32位嵌入式微处理器ARM的集数据采集、分析、显示为一体的试验机测试系统。 基于课题的研究内容,本文在分析研究USB和ARM技术的基础上,围绕着设计目标,从整体方案的选择、测试系统的软硬件设计等方面阐述了主要开展的设计研究工作。重点对系统硬件电路设计、固件程序设计、设备驱动程序设计和应用程序设计的实现进行了深入论述。 为验证所设计的测试系统是否达到实际要求,本文采用实测的方式进行测试研究。测试结果表明,本测试系统工作稳定可靠,各项功能均达到了预定的设计要求。

    标签: ARM 材料 试验机 测试系统

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:pei5

  • LS7266R1在电子式万能材料试验机中的应用

    针对材料试验机等设备中要求测量或控制材料拉伸或压缩的位移,一般采用光电轴角编码器检测位置信号,输出正交编码脉冲信号。若采用其他方法检测位置信号,必然导致电路设计复杂,可靠性降低。因此,提出一种基于LS7266R1的电子式万能材料试验机设计方案。给出了试验机中的控制器工作原理,LS7266R1与单片机的接口硬件设计,以及主程序软件流程图。巧妙地把力量传感器,位移传感器等机械运动状态的压力或拉力以及位置坐标,变成了电压信号和电脉冲数字信号,供A/D测量和LS7266R1计数,从而实现了独立完成材料试验控制或通过PC机串口命令完成材料试验控制。 Abstract:  Aiming at the requirement that the displacement of the tension and compression always be tested and controlled in the equipement such as material testing machine. The position signal was tested by photoelectric axial angle coder. Therefore, the paper proposes the design of electronic universal testing machine design based on LS7266R1. If the position signal detected by other methods, will inevitably lead to the circuit design complexity, reliability decreased. The work theory of the controller, the hardware interface design between LS7266R1 and single chip, and the flow chart of main program, are presented in this paper. The signal of the compression or tension power and displacement at working, which tested by power sensor and displacement sensor especially, is changed into electric voltage and electric pulse numerical signals. And these signals can be tested by A/D and counted by LS7266R1. Finally the test of the material properties can be controlled by itself, or controlled by the COM command of PC.

    标签: 7266R 7266 LS R1

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:yl1140vista

  • 纳米技术测量手册-纳米科学应用的电性测量指南

      吉时利纳米技术测量手册:纳米科学的应用中的电子测量指南在纳米材料和器件的精确的低直流电和脉冲测量上提供了实际的帮助。它既可以作为参考也可以帮助理解实验室中观察到的低电流现象,同时提供了在低电流、高阻值、低电压和低阻值测量中理论和应用考虑的概括。

    标签: 测量 纳米技术 纳米

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:libenshu01

  • 无损分析与扫描测量

    无损分析的方法和测量方法,无损三维尺寸测量,材料结构分析,无损检测

    标签: 扫描测量

    上传时间: 2016-08-19

    上传用户:非洲之星

  • 半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN SiC)材料及器件测试

    半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对样品形状没有要求, 且不需要测量样品所有尺寸, 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。

    标签: 半导体 gan sic

    上传时间: 2022-01-03

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  • [网盘]机械设计原理制造自材料理论视频-45.90GB

    机械设计、原理、 制造、自材料、理论视频教程课程26:CAPP开发应用技术25讲.rar - 879.03MB课程25:传感器与测试技术39讲.rar - 1.71GB课程24:电工技术54讲.rar - 2.04GB课程23:电机学视频73讲.rar - 1.39GB课程22:电子技术64讲.rar - 2.10GB课程21:工业工程导论40讲.rar - 1.60GB课程20:公差与技术测量19讲.rar - 1.37GB课程19:机床概论26讲.rar - 961.03MB......

    标签: 机械设计

    上传时间: 2022-05-09

    上传用户:wangshoupeng199