为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能数字芯片上使用，版图面积为1 mm×1 mm，并参与MPW（多项目晶圆）计划流片，流片测试结果表明，在输出负载很大时，本设计能提供足够的驱动电流，同时延迟时间短、并占用版图面积小。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：小鹏
在对低噪声CMOS图像传感器的研究中，除需关注其噪声外，目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向，设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit，10 Msps的流水线型ADC，并基于0.5 ?滋m标准CMOS工艺进行了流片。最后，通过在PCB测试版上用本文设计的ADC实现了模拟输出的低噪声CMOS图像传感器的模数转换，并基于自主开发的成像测试系统进行了成像验证，结果表明，成像画面清晰，该ADC可作为低噪声CMOS图像传感器的芯片级模数转换器应用。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：xz85592677
计数时钟芯片代码，实现实时计时，代码可综合，仿真通过，已成功流片，并通过最后的测试。
上传时间： 2013-12-14
上传用户：225588
华大机顶盒源码，包括所有源代码，还有详细的说明文档，不可多得实际工程，现已流片生产
上传时间： 2016-05-05
上传用户：zhangliming420
这是一个MIPS架构的开发的CPU软核OR2000，比OR1200更高的版本，里面还有SOC程序，多次MPW流片成功
上传时间： 2014-01-20
上传用户：kr770906
ZGL7289全套中文资料+实例 ZLG7289B是广州周立功单片机发展有限公司自行设计的，具有SPI串行接口功能的可同时驱动8位共阴式数码管(或64只独立LED)的智能显示驱动芯片，该芯片同时还可连接多达64键的键盘矩阵，单片即可完成LED显示﹑键盘接口的全部功能，该芯片经过了多年的验证，现正式转化为ASIC芯片，一次性流片成功，让您使用无忧！。ZLG7289B内部含有译码器，可直接接受BCD码或16进制码，并同时具有2种译码方式，此外，还具有多种控制指令，如消隐﹑闪烁﹑左移﹑右移﹑段寻址等。ZLG7289B具有片选信号，可方便地实现多于8位的显示或多于64键的键盘接口。
上传时间： 2017-08-31
上传用户：wweqas
本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为：先进行器件背面的FS层制作，然后进行正面结构（包括元胞和终端）的制作，最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为：耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值，通过进一步改进工艺及结构，提高产品良率，最终可以形成有竞争力的产品。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
该源代码运行于89c51系列单片机上,可从输入FLEX二进制码流中解交织,处理CRC纠错,并最终解码出有效ASCII码数据.
上传时间： 2015-06-27
上传用户：comua
電源供應器analog電壓電流回受控制備PID功能並將運算結果透過SPI介面回傳另一顆單片機
上传时间： 2017-03-19
上传用户：duoshen1989
