手机快充协议总结，有需要的可以参考1
标签： 手机快充协议
上传时间： 2022-04-17
上传用户：tqsun2008
本文档是电动汽车直流充电桩(快充)设计难点与解决方案免费下载
上传时间： 2022-05-11
上传用户：kjl
QC2.0 电源快充解决方案（原理图、PCB源文件、程序源码、仿真等）.
上传时间： 2022-06-21
上传用户：woyaotandang
珠海智融SW6208/06全协议快充22.5W移动电源SOC
上传时间： 2022-07-04
上传用户：ibeikeleilei
快充已成为今天最热门应用，需要熟悉行业标准最重要才能准确了解设计方向。
标签： 快速充电
上传时间： 2022-07-17
上传用户：woyaotandang
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
上传时间： 2022-01-03
上传用户：zinuoyu
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
上传用户：13692533910
对于现有无线充电产品，无需更改原有方案电路，即可实现支持PD适配器快充功能
上传时间： 2022-06-25
上传用户：nicholas28
锂离子电池Li+ 是适合电子产品轻薄小需求的高能量密度高性能电池,被广泛应用于手机,PDA ,笔记本电脑等高端产品中.图一所示电路提供了一种结构简单紧凑的单节Li+电池充电方案图中墙上适配器为9VDC 800mA 限流型电压源Anam Friwo 等公司均有相应产品MAX1679内置充电终止检测电路和充电过程控制.器插入电池或充电器上电都将启动一次充电过程一次完整的充电过程包括初始化充电以较小的充电电流为电池充电使电池电压大于2.5V温度范围如果超出2.5 到47.5 则处于等待状态.快充过程快充开始后MAX1679打开外接的P 沟道场效应管快充电流由外部限流型充电电源决定.一旦检测到电池电压达到Li+电池充电终止门限电压时快充结束.充电终止门限电压由电阻RADJ确定,可参考以下公式:
上传时间： 2013-11-14
上传用户：yuanwenjiao
SW3518 是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片， 支持 A+C 口任意口快充输出， 支持双口独立限流。 其集成了 5A 高效率同步降压变换器， 支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/VOOC等多种快充协议， CC/CV 模式， 以及双口管理逻辑。 外围只需少量的器件， 即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。
标签： sw3518
上传时间： 2022-02-17
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