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气敏

  • 量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法

    采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。

    标签: 量子点 接触器 电势 数值

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:ZOULIN58

  • 反激变换器的变压器学习

    对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大,漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。

    标签: 反激变换器 变压器

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:84425894

  • 中兴通讯硬件巨作:信号完整性基础知识

    中兴通讯硬件一部巨作-信号完整性 近年来,通讯技术、计算机技术的发展越来越快,高速数字电路在设计中的运用越来 越多,数字接入设备的交换能力已从百兆、千兆发展到几十千兆。高速数字电路设计对信 号完整性技术的需求越来越迫切。 在中、 大规模电子系统的设计中, 系统地综合运用信号完整性技术可以带来很多好处, 如缩短研发周期、降低产品成本、降低研发成本、提高产品性能、提高产品可靠性。 数字电路在具有逻辑电路功能的同时,也具有丰富的模拟特性,电路设计工程师需要 通过精确测定、或估算各种噪声的幅度及其时域变化,将电路抗干扰能力精确分配给各种 噪声,经过精心设计和权衡,控制总噪声不超过电路的抗干扰能力,保证产品性能的可靠 实现。 为了满足中兴上研一所的科研需要, 我们在去年和今年关于信号完整性技术合作的基 础上,克服时间紧、任务重的困难,编写了这份硬件设计培训系列教材的“信号完整性” 部分。由于我们的经验和知识所限,这部分教材肯定有不完善之处,欢迎广大读者和专家 批评指正。 本教材的对象是所内硬件设计工程师, 针对我所的实际情况, 选编了第一章——导论、 第二章——数字电路工作原理、第三章——传输线理论、第四章——直流供电系统设计, 相信会给大家带来益处。同时,也希望通过我们的不懈努力能消除大家在信号完整性方面 的烦脑。 在编写本教材的过程中,得到了沙国海、张亚东、沈煜、何广敏、钟建兔、刘辉、曹 俊等的指导和帮助,尤其在审稿时提出了很多建设性的意见,在此一并致谢!

    标签: 中兴通讯 硬件 信号完整性 基础知识

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:大三三

  • 太阳能光伏发电解决方案

    ADI公司在高精度信号测量和控制方面处于业界领先地位,致力于以极具成本竞争力的高质量IC实现可靠的计量、测量和控制。其产品广泛用于再生能源、输配电以及水、电、气计量应用。ADI公司凭借在优化系统级信号处理性能方面的成熟经验和种类丰富的产品,为开发人员提供精密、可靠、易于设计的能源管理解决方案。

    标签: 太阳能光伏发电 方案

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:wyc199288

  • 静电传感器电极与屏蔽罩间电容值的计算

    在静电传感器测量气/固两相流参数的基础上,以J.B.Gajewski教授的成果为基础,对电容的计算进行了研究。将静电传感器电极与屏蔽罩间的电容cp看作圆柱型电容,对其建立的静电传感器数学模型中的感应电极与屏蔽罩间电容值进行探讨,并得到了这个电容的计算式。

    标签: 静电传感器 电极 屏蔽罩 电容值

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:erkuizhang

  • ASC8512-CN两节锂电充电芯片

    两节锂电充电IC-ASC8512 ASC8512 为开关型两节锂聚合物电池充电管理芯片,非常适合于便携式设备的充电管理应用。ASC8512 集内置功率MOSFET、高精度电压和电流调节器、预充、充电状态指示和充电截止等功能于一体,采用TSSOP-14、SSOP-14两种封装形式。ASC8512对电池充电分为三个阶段:预充(Pre-charge)、恒流(CC/Constant Current)、恒压(CV/Constant Voltage)过程,恒流充电电流通过外部电阻决定,最大充电电流为2A.ASC8512 集成电流限制、短路保护,确保充电芯片安全工作。ASC8512 集成NTC 热敏电阻接口,可以采集、处理电池的温度信息,保证充电电池的安全工作温度。 两节锂电池充电IC ASC8512特点: 1.充2节锂离子和锂聚合物电池 2.开关频率达400K 3.充电电流最大可做2A 4.输入电压9V到18V 5.电池状态检测 6.恒压充电电压值可通过外接电阻微调 7.千分之五的充电电压控制精度 5.防反向保护电路可防止电池电流倒灌 6.NTC 热敏接口监测电池温度 7.LED充电状态指示 8.工作环境温度范围:-20℃~70℃ 9.TSSOP-14 应用领域:应用 ●手持设备,包括医疗手持设备 ●Portable-DVD,PDA,移动蜂窝电话及智能手机 ●上网本、平板电脑、MID ●自充电电池组

    标签: 8512 ASC CN 充电

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:chfanjiang

  • 变频器维修手册大全

    变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。主要由整流(交流变直流)、滤波、再次整流(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成的。 目前,通用型变频器绝大多数是交—直—交型变频器,通常尤以电压器变 频器为通用,其主回路图(见图1.1),它是变频器的核心电路,由整流回路(交—直交换),直流滤波电路(能耗电路)及逆变电路(直—交变换)组成,当然 还包括有限流电路、制动电路、控制电路等组成部分。 1)整流电路 如图所示,通用变频器的整流电路是由三相桥 式整流桥组成。它的功能是将工频电源进行整流,经中间直流环节平波后为逆变电路和控制电路提供所需的直流电源。三相交流电源一般需经过吸收电容和压敏电阻 网络引入整流桥的输入端。网络的作用,是吸收交流电网的高频谐波信号和浪涌过电压,从而避免由此而损坏变频器。当电源电压为三相380V时,整流器件的最 大反向电压一般为1200—1600V,最大整流电流为变频器额定电流的两倍。 2)滤波电路 逆变器的负载属感性负载的异步电动机,无论异步电 动机处于电动或发电状态,在直流滤波电路和异步电动机之间,总会有无功功率的交换,这种无功能量要靠直流中间电路的储能元件来缓冲。同时,三相整流桥输出 的电压和电流属直流脉冲电压和电流。为了减小直流电压和电流的波动,直流滤波电路起到对整流电路的输出进行滤波的作用。通用变频器直流滤波电 路的大容量铝电解电容,通常是由若干个电容器串联和并联构成电容器组,以得到所需的耐压值和容量。另外,因为电解电容器容量有较大的离散性,这将使它们随 的电压不相等。因此,电容器要各并联一个阻值等相的匀压电阻,消除离散性的影响,因而电容的寿命则会严重制约变频器的寿命。 3)逆变电路 逆变电路的作用是在控制电路的作用下,将直流电路输出的直流电源转换成频率和电压都可以任意调节的交流电源。逆变电路的输出就是变频器的输出,所以逆变电路是变频器的核心电路之一,起着非常重要的作用。最常见的逆变电路结构形式是利用六个功率开关器件(GTR、IGBT、GTO等)组成的三相桥式逆变电路,有规律的控制逆变器中功率开关器件的导通与关断,可以得到任意频率的三相交流输出。通常的中小容量的变频器主回路器件一般采用集成模块或智能模块。智能模块的内部高度集成了整流模块、逆变模块、各种传感器、保护电路及驱动电路。如三菱公司 生产的IPMPM50RSA120,富士公司生产的7MBP50RA060,西门子公司生产的BSM50GD120等,内部集成了整流模块、功率因数校正 电路、IGBT逆变模块及各种检测保护功能。模块的典型开关频率为20KHz,保护功能为欠电压、过电压和过热故障时输出故障信号灯。逆变电路中都设置有续流电路。续流电路的功能是当频率下降时,异步电 动机的同步转速也随之下降。为异步电动机的再生电能反馈至直流电路提供通道。在逆变过程中,寄生电感释放能量提供通道。另外,当位于同一桥臂上的两个开 关,同时处于开通状态时将会出现短路现象,并烧毁换流器件。所以在实际的通用变频器中还设有缓冲电路等各种相应的辅助电路,以保证电路的正常工作和在发生 意外情况时,对换流器件进行保护 。

    标签: 变频器 维修手册

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:子虚乌有

  • 新型无损快速智能充电器的设计

    当前的快速充电器不能遵循蓄电池自身的特性进行快速充电,致使析气多,温升大,缩短电池的使用寿命。针对上述问题,创新性地提出应用ANFIS对电池的可接受电流进行预测,保证电池在最佳充电速率下快速无损充电。详细介绍以单片机XC164CM为核心,完成新型快速无损智能充电器的设计,具有电流检测和控制等功能。样机测试表明,充电过程中析气少,温升低,充电效率高,解决了充电速率与电池寿命之间的矛盾。

    标签: 智能充电器

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:guanhuihong

  • S11MD5V中文资料

    光敏耦合器

    标签: S11 MD5 11 MD

    上传时间: 2014-01-03

    上传用户:huanglang

  • NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

    采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。

    标签: NIP 非晶硅 薄膜太阳能电池

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:wanqunsheng