介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
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为了有效地利用太阳能，有必要对光伏发电系统进行最大功率点跟踪（MPPT）控制研究。文中以两级式光伏并网发电系统为研究对象，建立了任意外界环境下的光伏阵列数学模型。由于光伏阵列的非线性输出特性，将模糊控制思想引入最大功率点跟踪，提出占空比模糊控制的扰动观察法的MPPT控制策略，并通过计算机进行仿真验证。与传统的占空比扰动观察法相比较，该方法能够更加快速、准确地跟踪上太阳能电池的最大功率点。
上传时间： 2014-01-07
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介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-08
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
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开关电源占空比学习实例及全图
标签： 开关电源
上传时间： 2013-10-08
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摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
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当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
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针对目前矩阵变换器电压传输比多数只能达到0.866的问题，进行了深入研究，设计了一种泵式矩阵变换器结构，使电压传输比任意可调,并从机理上解决了矩阵式变换器的传输比低的问题。
上传时间： 2013-11-19
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双色点阵控制卡原理图PCB
上传时间： 2014-01-09
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摘要：针对气相色谱热导检测器的弱信号失真问题，研究与设计热导检测器的弱信号测量电路及其单片机控制系统，进一步提高气相色谱热导检测系统的灵敏度和可靠性。关键词：热导检测 单片机控制 弱信号测量
上传时间： 2014-12-27
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