反激式开关电源变压器设计—Fairchild_资料
上传时间： 2013-11-06
上传用户：松毓336
提出了一种基于UC3842实现的新型电流PWM控制的反激式开关电源，分析了UC3842在反激电路中用于输出直接反馈的新用法。与传统方法相比，该方法具有电压纹波小、负载调整率和电压调整率低的特点。实验结果证实了该方法的良好效果。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：c12228
反激式开关电源变压器设计
上传时间： 2014-01-13
上传用户：zxh122
摘要:采用ONSEMI公司的NCP12系列芯片制成了准谐振(QR)零电压切换(ZVS)电源.介绍了用准谐振技术使反激式开关电源获得的零电压切换效果,详细讨论了该电源工作频率的确定方法,给出了所研制电源的电路及其工作波形.由电路波形及测量数据看出,改进后的电路开关损耗显著降低,取得了较好的效果. 关键词:电源;脉宽调制/准谐振;零电压切换
上传时间： 2013-11-17
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LTC3803-5是Linear公司的工作在–55℃ 到150℃的固定频率恒流模式的反激电源控制器,最适合用来驱动高输入电压的N-MOSFET.工作电压可低至5V,输出电压精度可达±1.5%,静态电流仅为240uA,主要用在42V和12V汽车电源,通信电源,以太网供电(POE),辅助电源等.本文介绍了LTC3803-5主要特性, 方框图和多种应用电路.
上传时间： 2014-04-30
上传用户：chongcongying
在对具有多路输出的反激变换器进行理论分析的基础上，进行了模型仿真及试验。其结果揭示了由于各路输出时间常数的不同，而导致变换器在连续工作模式下出现假断续状态，此分析结果为反激变换器的输出参数设计提供了很好的依据。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：gyq
介绍了一种准谐振软开关反激变换器。它的主要优点是利用开关两端的电容与变压器原边电感产生的谐振，通过适当控制实现了零电压开通，减小了开关损耗，提高了变换器的效率。整个电路结构简单，满载效率高，空载损耗小。
上传时间： 2013-10-07
上传用户：13736136189
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如激射波长、噪声性能、模式跳动）的变化，这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。 本公司设计和生产的半导体激光电源LDD-AAVV-T是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源方案，选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。LDD-AAVV型半导体激光电源采用单片机管理和控制，是一种智能化高精度恒流型开关电源，可作为半导体激光打标机的配套电源。针对激光打标设备的特点，电源还可管理水泵、指示光、振镜和Q开关几部分的开关。电源有LCD液晶显示，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的显示，具备过压、过流、水温和水压报警功能，实为半导体激光器的理想电源。本电源还可以作为其它高精度恒流源，供设备使用。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lifangyuan12
51单片机步进电机正反转停止实验
上传时间： 2013-11-20
上传用户：yiwen213
DSP的使用正呈爆炸式发展。OFDM、GPS相关器、FFT、FIR滤波器或H.264之类计算密集型算法在从移动电话到汽车的各种应用中都很常见。设计人员实现DSP有三种选择：他们可以使用DSP处理器、FPGA或掩膜ASIC。ASIC具有最高的吞吐量、最低的功耗和最低的成本，但其极大的NRE和较长研制周期使其对许多设计而言并不适用。定制ASIC的研制周期可达一年之久，比最终产品的使用寿命都长。FPGA已占居较大的市场份额，因为其能提供比DSP处理器更好的吞吐量，而且没有ASIC的极大NRE和较长研制周期。 因此，常常将基于ARM的MCU和FPGA结合使用来实现这些设计，其中FPGA实现设计的DSP部分。然而，FPGA也有其自身的不足--最突出的是功耗很高(静态功耗接近2W)，且性能比ASIC慢。FPGA时钟用于逻辑执行时通常限制为50MHz，而ASIC可以400MHz或更高频率执行逻辑。其他缺点还包括在IP载入基于SRAM的FPGA时安全性还不够理想，成本也较高。尽管FPGA成本已迅速降低，但价格通常在10,000片左右就不再下降，因此仍比较昂贵。 新型可定制Atmel处理器（CAP）MCU具有的门密度、单元成本、性能和功耗接近基于单元的ASIC，而NRE较低且开发时间较快。与基于ARM的非可定制标准产品MCU一样，不需要单独的ARM许可。 可定制MCU利用新型金属可编程单元结构（MPCF）ASIC技术，其门密度介于170K门/mm2与210K门/mm2之间，与基于单元的ASIC相当。例如，实现D触发器（DFF）的MPCF单元与标准的单元DFF都使用130nm的工艺，所用面积差不多相同。
上传时间： 2013-10-29
上传用户：xymbian
