测试技术专辑 134册 1.93G机械工程测试技术基础 417页 10.5M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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[机械]低压电工[机械]低压电工实用技术.目录实用技术.目录[机械]低压电工实用技术.目录
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薄膜晶体管液晶显示器件的制造、测试与技术发展 王大巍等编著.pdf
上传时间： 2022-01-01
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小型机械整流同步发电机土法制造工艺 by 无 (z-lib.org).pdf
标签： 发电机
上传时间： 2022-01-13
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测试技术基础-21 世纪全国应用型本科大机械系列实用规划教材
标签： 测试技术
上传时间： 2022-01-22
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2020年3月，国家电网有限公司组织编制ChaoJi充电技术白皮书，全面阐述了ChaoJi充电系统、通信协议、连接器等技术方案、未来标准和产业规划等。日本基于同一解决方案同步编制了新一代充电标准CHAdeMO3.0。ChaoJi充电技术是基于国际三种主流直流充电系统和充电接口技术研发的面向下一代的全球统一的充电接口技术，在完全向前兼容原有系统的基础上，考虑了未来技术的发展趋势，实现了传导充电技术路线的升级。 1）解决现有问题。ChaoJi充电系统解决了现有2015版接口设计上的固有缺陷，如公差配合，IPXXB安全设计、电子锁可靠性以及PE断针和人体PE的问题。在机械安全、电气安全、电击防护、防火及热安全设计上有了大幅度的改进，提升了充电安全性和可靠性。 2）引入新的应用。ChaoJi充电系统已经率先在大功率充电中得到应用，最大充电功率可提升到900kW，解决了一直以来存在的续航里程短，充电时间长的问题；同时为慢充提供了新的解决方案，加速了小功率直流充电技术的发展。 3）适应未来发展。ChaoJi充电系统也为今后的技术升级做了充分的考虑，包括具有超大功率的适应能力、支持V2X、信息加密、安全认证等新技术应用，支持未来通信接口从CAN向以太网升级，为千安以上超大功率充电预留了升级空间。 4）兼容性好，不改变现有车桩产品。采用适配器方式解决了新车到老桩充电问题，避免了对原有设备和产业改造的难题，可以实现技术平稳升级。 5）与国际接轨，引领发展。ChaoJi充电系统在研究过程中，就充电连接器接口、控制导引电路、通讯协议、向前向后的兼容方案以及国际标准化等方面与日本、德国、荷兰等专家开展了深入的合作，进行了充分讨论与信息交换，为ChaoJi充电方案成为广泛接受的国际标准奠定了基础。 下一步，中日将携手积极营造ChaoJi充电技术的产业生态环境，联合国内外的汽车制造厂家，同步进行充电技术的升级和标准的国际化。通过国际合作，推动新一代ChaoJi充电系统纳入国际标准，使ChaoJi成为具有全球兼容性的通用标准。
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上传时间： 2022-04-24
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该文档为农业机械自动导航技术研究进展总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 自动导航技术
上传时间： 2022-05-08
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王兆安《电力电子技术》机械工业出版社讲义_603760
标签： 电力电子技术
上传时间： 2022-07-04
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 集成电路制造公司商标及其产品型号前缀-1页-0.1M-pdf版.pdf
上传时间： 2013-04-24
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