磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-24
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N79E8132移动电源方案功能介绍 本方案的特色是采用新唐生产的兼容MCS-51核心的N79E8132单片机，可以在-40度到85度温度范围内安全工作，具备4K FLASH，4K DATAFLASH，512B RAM，高精度10位ADC，内置带隙电压可省去外部参考电压，内置22.1184M、11.0592M振荡器，并具有可分频的时钟供单片机核心使用，可以根据性能需要灵活选择工作时钟，提高工作效率，具备外部中断、按键中断，可以灵活实现单片机进入掉电模式后的唤醒功能，具备停机、掉电模式，在产品不使用的时候进入掉电模式，实现环保节能，支持ICE仿真工具，ICP、串口ISP烧写，开发硬件成本低。软件开发可以使用KEIL C，容易上手。 充电部分采用通用的TP4056，价格便宜，容易采购，可以通过外部元件灵活配置充电电流。 升压部分采用日本精工的S8365，工作频率1.2M，外置MOS，容易实现大电流，高效率，电感小型化节省成本。 技术参数 1. 输入： USB 5V/1A ，充电电流可达500-850mA，可根据需要进行设置 2. 输出： USB 5V/1A，效率最高可达到90％以上，可根据需要提高到2A 3. 电量指示： （可根据需要自行设定） 四灯全亮 75%-100% 三个指示灯亮 50%-75% 两个灯亮 25%-55% 一个指示灯亮 5%-25% 无指示灯亮 5%以下 4.充电指示： 25%以下 一个指示灯闪 25%-50% 一个指示灯亮 第二个闪 50%--75% 二个指示灯亮 第三个闪 75%-99% 三个指示灯亮 第四个闪 100% 四个指示灯长亮。 5．智能保护： 低电保护：电池电压低于3V时自动关闭升压 放电保护：放电电流大于额定电流自动关闭升压输出(1A模式设置为1.5A保护) 温度保护：检测电池温度，高于55度自动关闭升压输出（可选） 低电流关机：当外部设备的电流需求小于100mA时，关闭升压输出以节省电力。 6．按键操作： 短按按键，4个LED显示剩余电量3～5秒自动关闭 按键长按， LED点亮，闪烁3次后开启升压，显示电量，30秒内没有连接外部设备自动关机。 开机状态长按，点亮照明LED，再长按熄灭照明LED，照明LED点亮状态不会进入自动关机 带照明功能。（可选）8．原理图 9．BOM 序号 类型 参数 位号 封装 数量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 贴片电阻 0.1R R25 1206 1 5 贴片电阻 1A R28 1812 1 6 贴片电阻 22R R24 0603 1 7 贴片电阻 22R R30 0805 1 8 贴片电阻 100R R3 0805 1 9 贴片电阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 贴片电阻 2.4K R4 0603 1 11 贴片电阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 贴片电阻 43.2KF R46 0603 1 13 贴片电阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 贴片电阻 68KF R27 0603 1 15 贴片电阻 75KF R48 0603 1 16 贴片电阻 100K R2 R16 0603 2 17 贴片电阻 220KF R17 R26 0603 2 18 贴片电阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 贴片电容 47P C1 C7 0603 2 20 贴片电容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 贴片电容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 贴片电容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 贴片电感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二极管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二极管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能说明
上传时间： 2013-11-16
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依据我国及世界各国特高压输电研究成果以及前苏联和日本特高压输电线路运行经验，并结合我国的特高压输电示范工程路径的特点和途径地区已有各电压等级输电线路的运行经验，对晋东南一南阳一荆门1000 kV交流特高压输电示范工程建成投运后的运行特性及其对自然环境的影响进行了分析，重点分析了特高压输电线路的雷电、防污闪、冰风、防鸟害等特性，对建成后特高压输电线路的电磁环境进行了评估，并对特高压输电线路的运行指标作出了预
上传时间： 2013-10-08
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淮南煤矿区地跨淮河两岸，辖有大通、田家庵、谢家集、八公山、潘集5个行政区，人口106．30万，是国家大型煤炭生产基地之一。淮南供电始于民国19年（1930年）4月，当时仅有1台7．5千瓦直流发电机发电，供九龙岗矿场地面照明。民国25年，九龙岗东西两矿，有1路1．70公里的2．3千伏送电线相联，各装1台10千伏安变压器。民国27年后，日本侵略军占领淮南，在大通、九龙岗两区建矿采煤，掠夺煤炭资源，民国32年，建成下窑（田家庵）发电所，架设经大通至九龙岗22千伏同杆（铁塔）双固路输电线，和大通、九龙岗2个变电所，以3．3千伏向矿井配电。抗日战争胜利后，民国36年4月，淮南路矿公司架设田家庵至八公山22千伏输电线。至此22千伏线路全长37．10公里，变电所4个，降压变压器11台，总容量7500千伏安。民国37年售电量1189．60万千瓦·时，主要供煤矿用电。建国后，先后对谢一、谢二、谢三矿和李咀孜矿进行勘探建井。1954年，原22千伏线路和变电所升压为35千伏供电。1958年起以110千伏电压供电。至1972年，发展成为工商业区和政治文化中心的东部地区，也升压为110千伏供电。1975年淮河北岸潘集矿区开始建设，负荷中心北移，由田家庵电厂出线跨越淮河至潘集矿区的110千伏输变电工程同时投运。1978～1982年间，淮南矿区又先后建成田家庵电厂经西山变电所至淮河北岸芦集变电所的220千伏系统。1985年，田家庵、洛河电厂装机总容量达90．10万千瓦，市内供电网相应加强，全矿区已形成主要由田家庵电厂110千伏母线和220千伏西山变电所、芦集变电所3点分片供电，以220千伏和110千伏高压配电网联合供电的格局。同时，一些大型厂矿都有自备35千伏及以上变电所，并向附近中小企业转供电，形成东部田家庵、大通两区，中部望峰岗地区，西部谢集、八公山两区，淮河北岸潘集区组成的4个公用中低压配电网络。1985年，全市最高负荷19．55万千瓦，供电量16亿多千瓦·时。其中，煤炭工业最高负荷9．34万千瓦，用电量4．99亿千瓦·时，占全市用电量的三分之一。
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上传时间： 2013-10-12
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日本富士通公司（FUJITSV）是世界著名的电子公司，在计算机和通信领域占有重要 位置，1995年列日本通信企业营业额第二名，做为通信公司和计算机技术的核心——CPU 技术，富士通公司在技术上是先进的。本书对该公司的8位单片机做了系统介绍，包括 CPU硬件结构，软件应用，程序示例，并对该公司8位单位机F↑2MC—8L系列各品种做了 概括介绍，使读者能够对该公司的单片机选型、开发及应用。单片机技术的主要应用范围 是控制领域，尤其是在中国的家电领域，有广阔的应用前景。
上传时间： 2013-10-22
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来自日本东京，韩国首尔，美国德克萨斯普莱诺，2009年12月10日—MICROTUNE,INC.今日发布一款基于最新高集成硅技术的标准射频-基带芯片，此款芯片以极具吸引力的价格提供出色的电视接收性能。MT3141单芯片为全球电视制造商在下一代数字电视设计中引入高性能、低成本、超小型的接收器，从而使他们能够提供所有品牌、型号、价格和屏幕尺寸的超薄超轻的高性能数字电视产品。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：xitai
摘要：介绍了日本NEC公司8位单片机产品μPD780208中的FIP显示控制器及显示与键盘扫描的应用方案，给出了该设计方案的原理电路和程序流程。解决了显示和键盘输入独立控制时所造成的CPU资源占用较多的问题。关键词：单片机 μPD780208 微控制器 FIP 显示控制器
上传时间： 2013-10-19
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3Y30机芯为日本三洋系列的超级单片机芯，主芯片为三洋最新的LA76930，它内部集成中放解调、CPU控制、色解码、行场扫描小信号处理等等，使该机芯外围元件大为减少，性价比高。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：manlian
摘 要:本文以日本东芝公司的线阵CCD器件TCD1206SUP为例,在研究了线阵CCD器件工作原理和驱动电路波形的基础上,介绍了采用图形式层次设计方法,用复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计线阵CCD驱动脉冲的实现方法。用一片EPM7064设计出TCD1206SUP正常工作所需的驱动波形,减小了驱动器的体积。讨论了电路的工作原理和设计特点,同时给出了电路原理图和CPLD电路的时序仿真波形。关键词:电荷耦合器件;复杂可编程逻辑器件;线阵CCD;驱动时序;驱动电路
上传时间： 2013-11-04
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用单片机制作通用型电视遥控器:本文介绍了一种用MCS-51系列单片机AT89C52代替专用遥控芯片的设计方案，通过软件模拟实现了电视机遥控编码的发射，并且达到“一器多用”。上世纪八十年代初，日本率先在电视产品中使用了红外遥控技术，目前已经在电视机上得到了广泛应用。电视遥控器使用的是专用集成发射芯片来实现遥控码的发射，如东芝TC9012，飞利浦SAA3010T等。这些芯片价格较贵，且相互之间采用的遥控编码格式互不兼容，所以各机型的遥控器通常只能针对各自的遥控对象而无法通用。本文在试验验证的基础上，介绍了如何利用低成本的MCS-51系列单片机来实现遥控码的模拟发射，并实现遥控器的通用化。遥控发射技术的基本原理通常彩电遥控信号的发射，就是将某个按键所对应的控制指令和系统码(由0和1组成的序列)，调制在32~56KHz范围内的载波上，然后经放大、驱动红外发射管将信号发射出去。不同公司的遥控芯片，采用的遥控码格式也不一样。在此介绍较普遍的两种，一种是NEC标准，一种是PHILIPS 标准。
上传时间： 2013-11-17
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