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斜坡补偿

  • 一种新型并联混合型有源滤波器的研究

    为实现对非线性负载的谐波补偿和功率因数连续调节,采用了一种无变压器并联混合型有源滤波器,阐述了其工作原理。综合考虑成本与滤波效果的情况下选择采用7次单调谐无源滤波器,针对7次单调谐无源滤波器对于5次谐波补偿能力较差的状况,采用了反馈加5次前馈的控制策略.为了进一步对系统的无功功率进行补偿,在原有的反馈控制环节上进行了一定的改进.仿真结果证明了该并联混合性有源滤波工作的有效性。

    标签: 并联 混合型 有源滤波器

    上传时间: 2013-12-05

    上传用户:zm7516678

  • 在AD9981上实现自动失调功能

    AD9981是首款集成自动失调功能的显示电子器件(DEPL)。自动失调功能通过计算所需的失调设置来工作,从而在箝位期间产生给定的输出代码。当自动失调使能时(寄存器0x1B:5 = 1),寄存器0x0B-0x10的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码(或目标代码),而非失调值。电路会在箝位后(但仍在“后肩”期间)输出代码和目标代码作比较,然后上调或下调失调以进行补偿。在自动失调模式下,目标代码为11位二进制补码字,并将0x0B位7用作红色通道的符号位(0x0D位7用于绿色通道,0x0F位7用于蓝色通道)。

    标签: 9981 AD 自动失调

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:glxcl

  • 在AD9880上实现自动失调功能

    AD9880集成自动失调功能。动失调功能通过监控各ADC在箝位期间的输出并计算所需的失调设置来工作,从而产生给定的输出代码。当自动失调功能使能时(寄存器0x1C:7= 1),“目标代码”寄存器(0x09、0x0B、0x0D)中的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码。电路会在箝位后(但仍在“后肩”期间)对比输出代码和目标代码,然后上调或下调失调以进行补偿。在自动失调模式下,失调寄存器(0x08、0x0A、0x0C)均为8位二进制补码字格式,各对应寄存器的位7为符号位。

    标签: 9880 AD 自动失调

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:wanghui2438

  • 校准iMEMS陀螺仪

    校准iMEMS陀螺仪,本内容介绍了一种执行校准和温度补偿的方法

    标签: iMEMS 校准 陀螺仪

    上传时间: 2014-01-01

    上传用户:huang111

  • 双通道通用精密运算放大器评估板

    EVAL-PRAOPAMP-2R/2RU/2RM评估板支持采用SOIC、TSSOP和MSOP封装的双运算放大器。它能以不同的应用电路和配置为用户提供多种选择和广泛的灵活性。该评估板不是为了用于高频器件或高速放大器。但是,它为用户提供了不同电路类型的多种组合,包括有源滤波器、仪表放大器、复合放大器,以及外部频率补偿电路。本应用笔记会给出几个应用电路的例子。

    标签: 双通道 精密 运算放大器 评估板

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:kxyw404582151

  • 在AD9980上实现自动失调功能

    AD9980集成自动失调功能。自动失调功能通过计算所需的失调设置来工作,从而在箝位期间产生给定的输出代码。当自动失调使能时(寄存器0x1B:5 = 1),寄存器0x0B至0x10的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码(或目标代码),而非失调值。电路会在箝位后(但仍在后沿箝位期间)对比输出代码和目标代码,然后上调或下调失调以进行补偿。在自动失调模式下,目标代码为11位二进制补码字,并将0x0B位7用作红色通道的符号位(0x0D位7用于绿色通道,0x0F位7用于蓝色通道)。

    标签: 9980 AD 自动失调

    上传时间: 2013-10-24

    上传用户:zl5712176

  • XTR105_BURR-BROWN_273961

    XTR105、XTR112、XTR114是美国Burr-Brown公司在传感器领域推出的用于RTD的两线制专用集成变送电路,这个电路的突出优点是可以对Pt电阻中的二次项进行线性化补偿。文章介绍了它们的工作原理及其在一体化温度变送器中的应用。 关键词:XTR;RTD;线性化;温度变送器

    标签: BURR-BROWN 273961 XTR 105

    上传时间: 2014-02-17

    上传用户:mahone

  • 电容性负载稳定性输出引脚补偿

    运放

    标签: 电容性 引脚 负载稳定性 补偿

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:laozhanshi111

  • 环路计算补偿和仿真

    模电知识

    标签: 环路计算 仿真 补偿

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:KSLYZ

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291