1引言现代电力电子学是研究用大功率半导体器件对电能进行变换与控制,达到节能、省材、高频、优化之目的。随着电力电子学的发展,工作频率已逐步由低频,向中频、高频方向发展。在电力电子学中,一般定义工作在400赫兹以下的频率称为低频;400赫兹以上、10千赫兹以下为中频;10千赫兹以上为高频。在实践中,人们逐渐认识到高频化潜在着巨大的优越性甚至不仅仅是量的变化,而是质的变化,是电力电子发展的飞跃。就电源而言,从工作在低频下50Hz传统直流电源到今天的开关电源(指广义开关电源)不仗达到小塑轻量化的自的,而直潜在着对应用对象的工艺性能有极大的改善如高频逆变式整流焊机电源、高频直流电渡电源等。然而这些电源都要进行高频整流。高频整流中一些在低频整流中被忽视的问题而在高频设计中必须被认真考虑,予以重视。
标签: 高频
上传时间: 2022-06-26
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性, 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值, 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值, 则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏, 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V,1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时, 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
上传时间: 2022-06-26
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开关柜智能操控装置原理图和PCB源文件
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工业与民用电力装置的接地设计规范
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P89C51RD2单片机控制的智能化路灯节能装置的设计
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这几年随着电动汽车的逐渐推广,电动汽车充电桩越来越多,充电桩模块大多前级整流都是用的VIENNA整流拓扑;附件内容主要是针对现在广泛应用的VIENNA_I和VIENNA_II型拓扑进行一个分析仿真,还有对现在两种比较常见的电流回滞控制算法和QD正交控制算法进行原理仿真; 仿真软件用的是PSIM,有兴趣的朋友可以下载试试看; PSIM是趋向于电力电子领域以及电机控制领域的仿真应用包软件。PSIM全称Power Simulation。PSIM是由SIMCAD 和SIMVIEM两个软件来组成的。 PSIM具有仿真高速、用户界面友好、波形解析等功能,为电力电子电路的解析、控制系统设计、电机驱动研究等有效提供强有力的仿真环境。软件版本如下:压缩包内容:
上传时间: 2022-07-06
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三相桥式整流电路功率因数PSPICE仿真分析
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基于STM32C8T6单片机与CS5463芯片和互感器的单相用电器分析监测装置
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51单片机基于霍尔传感器的电机测速装置测速
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高频化、高功率密度和高效率,是DC/DC变换器的发展趋势。传统的硬开关变换器限制了开关频率和功率密度的提高。移相全桥PWNZVSDC/DC变换器可以实现主开关管的ZVS,但滞后桥臂实现ZVS的负载范围较小:整流二极管存在反向恢复问题,不利于效率的提高;输入电压较高时,变换器效率较低,不适合输入电压高和有掉电维持时间限制的高性能开关电源。LLC串联谐振DC/DC变换器是直流变换器研究领域的热点,可以较好的解决移相全桥PWMZVSDC/DC变换器存在的缺点。但该变换器工作过程较为复杂,难于设计和控制,目前尚处于研究阶段。本文以LLC串联谐振全桥DC/DC变换器作为研究内容。以下是本文的主要研究工作:对LLC串联谐振全桥DC/DC变换器的工作原理进行了详细研究,利用基频分量近似法建立了变换器的数学模型,确定了主开关管实现ZVS的条件,推导了边界负载条件和边界频率,确定了变换器的稳态工作区域,推导了输入,输出电压和开关频率以及负载的关系。仿真结果证明了理论分析的正确性。采用扩展描述函数法建立了变换器在开关频率变化时的小信号模型,在小信号模型的基础上分析了系统的稳定性,根据动态性能的要求设计了控制器。仿真结果证明了理论分析的正确性。讨论了一台500m实验样机的主电路和控制电路设计问题,给出了设计步骤,可以给实际装置的设计提供参考。最后给出了实验波形和实验数据。实验结果验证了理论分析的正确性。
上传时间: 2022-07-21
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