在深入了解Flash存储器的基础上,采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第1、第2页内容,判断该块的好坏,并给出具体的实现过程,以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能,并通过读取ID号检测Flash的性能,同时该设计能够存储和读取1GB数据。 Abstract: On the basis of in-depth understanding the Flash chips,this paper designs a new program which using the SCM to detect the invalid block.Mainly through reading the data of the first and second page to detect the invalid block.Specific implementation procedure was given,and the key circuit schematic diagram and C language program code was introduced.This design achieved the function of using the MCU checks the invalid block finally,and increased the function by reading the ID number of Flash to get the performance of the memory.And the design also can write and read1GB data
上传时间: 2013-10-25
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概述 P89C51/89C52/89C54/89C58含有非易失FLASH\并行可编程的程序存储器,所有器件都是通过引导装载器串行编程(ISP)见P89C51RC+/89C51RD+数据手册. 种系列单片机采用先进CMOS工艺的单片位微控制器,是80C51微控制器系列的派生.和80C51指令相同.
上传时间: 2013-12-26
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气压是气象监测中的一个重要参数,提出了一种气压数据采集模块设计方案,该模块采用数字气压传感器MS5534B、MSP430单片机MSP430F2272和带实时时钟(RTC)64 KB铁电存储器。通过低功耗软件设计方法以微安级整体平均功耗实现了气压数据的采集和存储,适合电池供电的连续高精度气压采集应用。给出了模块的软硬件设计以及MS5534B的性能指标和使用经验。 Abstract: Air pressure is an important parameter in weather monitor.This paper futs forward a new design scheme of low power-air pressure data acquisition module.The module uses a digital output barometer sensor MS5534B,MSP430 microcontroller MSP430F2272 and integrated RTC 64KB FRAM,precision air pressure measurement and storage chip.Another point of this module is low power consumption, so it is well suited for battery powered air pressure data acquisition applications. At the same time,the software and hardware deign of module is presented,And the speciaties and use notices of MS5534B are given.
上传时间: 2014-12-27
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LM3S 系列微控制器Flash 存储器应用 在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统,该存储器系统可用作代码和数据的存储。它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置,一般其起始地址从零开始。
上传时间: 2013-10-09
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CAT1024 CAT1025 器件数据手册 CAT1024和CAT1025是基于微控制器系统的存储器和电源监控的完全解决方案。它们利用低功耗CMOS技术将2kbit的串行EEPOM存储器和带掉电保护的系统电源监控电路集成在一起。存储器采用400kHz的I2C总线接口。
上传时间: 2013-12-02
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NXP半导体设计的LPC3000系列ARM芯片,适用于要求高性能和低功耗结合的嵌入式应用中。 NXP通过使用90纳米的处理技术,将一个带有矢量浮点协处理器的ARM926EJ-S CPU内核与一系列包括USB On-The-Go在内的标准外设结合起来,从而实现LPC3000的性能目标。LPC3000系列ARM可工作在高于266MHz的CPU频率下。ARM926EJ-S CPU内核加入5级流水处理并采用哈佛结构。该内核还具有一个完整的存储器管理单元(MMU),以提供支持现代操作系统多程序设计所需的虚拟存储器功能。ARM926EJ-S CPU内核还包含了带有单周期MAC操作的一系列DSP指令扩展,以及Jazelle Java字节代码执行。NXP实现的器件具有一个32kB指令高速缓存和32kB数据高速缓存。
上传时间: 2013-11-20
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6.1 存储器概述1、存储器定义 在微机系统中凡能存储程序和数据的部件统称为存储器。2、存储器分类 微机系统中的存储器分为内存和外存两类。3、内存储器的组成 微机系统中的存储器由半导体存储器芯片组成。 单片机内部有存储器,当单片机内部的存储器不够用时,可以外扩存储器。外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。 当用半导体存储器芯片组成内存时必须满足个要求:①每个存储单元一定要有8个位。②存储单元的个数满足系统要求。注意:内存的容量是指它所含存储单元的个数(每个存储单元一定要有8个位,可以存储8位二进制信息)。6.2 半导体存储器由于集成工艺水平的限制,一个半导体存储器芯片上所集成的单元个数和每个单元的位数有限,用它构成内存时必须满足:内存容量和一个存储单元有8个位的要求,因此内存常常由多个半导体存储器芯片构成。 半导体存储器芯片的存储容量是指其上所含的基本存储电路的个数,用单元个数×位数表示。掌握:① 已知内存容量和半导体存储器芯片的容量,求用半导体存储器芯片构成内存时需要的芯片个数。② 内存的容量=末地址—首地址+1 半导体存储器芯片分成ROM和RAM两类。6.2.1 ROM芯片6.2.2 RAM芯片6.3 MCS-51单片机存储器扩展 在微机系统中存储器是必不可少。MCS51系列单片机内部的存储器不够用时需要外扩半导体存储器芯片,外扩的半导体存储器芯片与MCS51系列单片机通过三总线交换信息。二者连接时必须考虑如下问题:1.二者地址线、数据线、控制线的连接。2.工作速度的匹配。CPU在取指令和存储器读或写操作时,是有固定时序的,用户要根据这些来确定对存储器存取速度的要求,或在存储器已经确定的情况下,考虑是否需要Tw周期,以及如何实现。3.片选信号的产生。目前生产的存储器芯片,单片的容量仍然是有限的,通常总是要由许多片才能组成一个存储器,这里就有一个如何产生片选信号的问题。4.CPU的驱动能力 。在设计CPU芯片时,一般考虑其输出线的直流负载能力,为带一个TTL负载。现在的存储器一般都为MOS电路,直流负载很小,主要的负载是电容负载,故在小型系统中,CPU是可以直接与存储器相连的,而较大的系统中,若CPU的负载能力不能满足要求,可以(就要考虑CPU能否带得动,需要时就要加上缓冲器,)由缓冲器的输出再带负载。6.3.1 ROM芯片的扩展6.3.2 RAM芯片的扩展
标签: 存储器接口
上传时间: 2013-11-22
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SM-IIC/2051 模块用户说明简介:SM-IIC/2051 是一个基于2051 单片机的I2C 总线控制模块。上位机接口可直接与PC的RS232 连接,下位机可实现对应用电路中I2C 控制总线的连接,块内设置2K 的FLASH 存储器,可存储用户I2C 初始化数据。模块采用2051 单片机,使电路简单可靠。型号:SM-IIC/2051名称:I2C 数据控制模块功能:RS232 串行信号与I2C 数据转换 接口说明:编号信号标志信号名称规格备注CK1-1 VCC 供电+5VCK1-2 VCC 供电+5VCK1-3 GND 地GroundCK1-4 GND 地GroundCK2-1 TOUT 串口输出RS232CK2-2 RIN 串口输入RS232CK2-3 GND 地GroundCK2-4 GND 地Ground编号信号标志信号名称规格备注CK3-1 GND 地GroundCK3-2 SCL I2C 时钟TTLCK3-3 SDA I2C 数据TTLCK3-4 GND 地GroundCK3-5 P1.2 PI/O 端口TTLCK3-6 P1.3 PI/O 端口TTLCK3-7 P1.4 PI/O 端口TTLCK3-8 P1.5 PI/O 端口TTLCK3-9 P1.6 PI/O 端口TTLCK3-10 P1.7 PI/O 端口TTLCK3-11 P3.7 PI/O 端口TTLCK3-12 T1 定时端口TTLCK3-13 T0 定时端口TTLCK3-14 INT1 中断端口TTLCK3-15 INT0 中断端口TTLCK3-16 GND 地Ground
上传时间: 2013-11-18
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存储器技术.doc 计算机的主存储器(Main Memory),又称为内部存储器,简称为内存。内存实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存的主要作用是用来存放计算机系统执行时所需要的数据,存放各种输入、输出数据和中间计算结果,以及与外部存储器交换信息时作为缓冲用。由于CPU只能直接处理内存中的数据 ,所以内存是计算机系统中不可缺少的部件。内存的品质直接关系到计算机系统的速度、稳定性和兼容性。 4.1 存储器类型计算机内部存储器有两种类型,一种称为只读存储器ROM(Read Only Memiry),另一种称为随机存储器RAM(Random Access Memiry)。 4.1.1 只读存储器只读存储器ROM主要用于存放计算机固化的控制程序,如主板的BIOS程序、显卡BIOS控制程序、硬盘控制程序等。ROM的典型特点是:一旦将数据写入ROM中后,即使在断电的情况下也能够永久的保存数据。从使用上讲,一般用户能从ROM中读取数据,而不能改写其中的数据。但现在为了做一日和尚撞一天钟于软件或硬件程序升级,普通用户使用所谓的闪存(Flash Memiry)也可以有条件地改变ROM中的数据。有关只读存储器ROM的内容将在第11章中介绍,本章主要介绍随机存储器。4.1.2 随机存取存储器随机存取存储器RAM的最大特点是计算机可以随时改变RAM中的数据,并且一旦断电,TAM中数据就会立即丢失,也就是说,RAM中的数据在断电后是不能保留的。从用于制造随机存取存储器的材料上看,RAM又可分为静态随机存储器SRAM(Static RAM)和动态随机存储器DRAM(Dymamic RAM)两种。1. 动态随机存储器在DRAM中数据是以电荷的形式存储在电容上的,充电后电容上的电压被认为是逻辑上的“1”,而放电后的电容上的电压被认为是逻辑上的“0”认。为了减少存储器的引脚数,就反存储器芯片的每个基本单元按行、列矩阵形式连接起来,使每个存储单元位于行、列的交叉点。这样每个存储单元的地址做一日和尚撞一天钟可以用位数较少的行地址和列地址两个部分表示,在对每个单元进行读写操作时,就可以采用分行、列寻址方式写入或读出相应的数据,如图4-1所示。 由于电容充电后,电容会缓慢放电,电容 上的电荷会逐渐
标签: 存储器
上传时间: 2014-01-10
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使用功能强大的FPGA来实现一种DDR2 SDRAM存储器的用户接口。该用户接口是基于XILINX公司出产的DDR2 SDRAM的存储控制器,由于该公司出产的这种存储控制器具有很高的效率,使用也很广泛,可知本设计具有很大的使用前景。本设计通过采用多路高速率数据读写操作仿真验证,可知其完全可以满足时序要求,由综合结果可知其使用逻辑资源很少,运行速率很高,基本可以满足所有设计需要。
上传时间: 2013-11-07
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