剖析LED的散热问题.简单易懂，很实用，值得一看。免积分下载！
上传时间： 2013-06-18
上传用户：sssnaxie
开关损耗及其带来的散热问题限制了变流器开关频率的提高，从而限制了变流器的小型化和轻量化。软开关技术能够有效的降低开关损耗，提高变流器的效率和开关频率，被广泛的应用在各种大功率开关电源场合。 本文首先对软开关技术进行了一个概述，介绍了软开关技术的工作原理及发展历史，特别提到了最新的控制型软开关技术。在第二章中，针对课题，着重讲述了全桥电路。作为对比，首先分析了全桥硬开关电路的工作原理和开关损耗。然后，分析了全桥软开关两种常见的实现方法：ZVS和ZVZCS，并针对几种常见拓扑，详细对比了它们的工作原理，软开关实现方法，软开关实现效果，软开关实现范围和总体效率，指出了它们的优缺点和各自适合的应用领域。在第三章中，首先介绍了全桥软开关的两种控制策略：移相全桥和有限双极性，从实现方法和对软开关效果的影响两个方面，做出比较。然后介绍了开关电源常见的三种控制方式：电压模式控制、峰值电流模式和平均电流模式控制，其中详细介绍了平均电流模式控制，给出了设计思想和步骤。最后，给出了全桥软开关电路的小信号模型，分析了软开关技术的引入对传统PWM硬开关全桥电路小信号模型的影响。第四章给出了5kW电力操作电源的具体设计步骤，如方案选择，磁设计、控制环路设计、副边整流电压尖峰吸收等关键步骤。第五章分析了实验波形和实验数据，验证了上述理论和设计的正确性。
上传时间： 2013-05-22
上传用户：dajin
热插拔表示一个系统在输入端、输出端和信号总线都处于工作状态的情况下，安装或拆卸电源模块的能力。热插拔冗余电源系统增加了系统的容错程度，这对于要求紧急停机的系统格外需要。 为了实现一个热插拔电源系统，设计者应当深入了解一些电气方面的有关问题，比如冗余技术和电流共享，并且他还应当对散热、安全性和机械方面的问题加以注意。 电源系统的冗余通常用n+x的方法来描述，这里的n代表在满足系统最大供电要求时所需要的电源模块数量，x表示所安装附加电源模块的数量。所以，一个n+1的系统就表示系统有比能提供最大负载电流条件下所需最少的电源模块数还多1个的电源模块。 正如其它冗余电源系统一样，在热插拔系统中加上更多的电源模块可以增加冗余度，所以，如果在一个系统中安装了比能支持最大系统负载所需要的最少模块还多x个的电源模块，就能够在有x个模块失效的情况下仍保证维持系统全部正常工作。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：gundamwzc
在我最近撰写的专栏文章（刀片服务器和虚拟化揭密）中，我曾就电源和散热以及刀片服务器等方面的误解和现实情况发表了自己的看法。显然，电源和散热是IT机构当前所面临的最大的挑战之一。本文将着重探讨虚拟化和刀片技术如何以及在何处帮助解决这些难题。 除不断攀升的开支之外，电源和散热方面的问题主要涉及以下几个方面：数据中心供电及散热能力不足、UPS或备用电池上的电路以及空调系统（机房空调即CRAC）等方面的问题。另外有一点我们不能忽略，散热系统需要消耗额外的电能来提供散热能力，因此这是对数据中心供电能力的双重考验。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：ming52900
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-12
上传用户：han_zh
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-21
上传用户：jjq719719
晶闸管实用技术问题解答 2.6
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
电磁场问题的有限元解法 pdf版
上传时间： 2013-07-20
上传用户：eeworm
晶闸管实用技术问题解答
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
电脑常见问题与故障1000例
上传时间： 2013-07-30
上传用户：eeworm
