protel的常用器件库，本人积累几年的成果，尤其适合单片机开发电路设计使用。
上传时间： 2013-09-20
上传用户：hz07104032
基于又些器件在Proteus 里没有库文件，特此添加的一些，希望用得上
上传时间： 2013-09-21
上传用户：asaqq
proteus 的元件器件中英文对照翻译表
上传时间： 2013-09-22
上传用户：小火车啦啦啦
Proteus6.7是目前最好的模拟单片机外围器件的工具，真的很不错。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外围电路（如LCD，RAM，ROM，键盘，马达，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其实proteus与multisim比较类似，只不过它可以仿真MCU！
上传时间： 2013-09-29
上传用户：swz13842860183
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
放大电路的频率效应
上传时间： 2013-10-24
上传用户：qiulin1010
场效应管作用
上传时间： 2013-11-23
上传用户：qwer0574
5000种场效应管速查
上传时间： 2013-10-27
上传用户：wfl_yy
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
主要介绍场效应管H参数的模型
上传时间： 2014-01-09
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