主要讲述静电放电、射频辐射电磁场、电快速瞬变脉 冲群、雷击浪涌、由射频场引起的传导干扰、工频磁场、 电压跌落和衰减振荡波等八项抗扰度试验,其中前七项试 验在通用抗扰度标准中已经见到;后一项试验(衰减振荡 波抗扰度试验)则在电力系统设备的抗扰度试验中经常可 以见到。考虑到国内在引进生产家用电器的企业中经常采 用的高频噪声模拟器,本章予以补充介绍。此外,汽车工 业在我国的迅速发展,拉动了与之配套的汽车电子与电器 行业的迅速发展。对后者的质量控制与检测问题便成为业 内人士所关注的一个热点。
上传时间: 2013-05-24
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开关电源的安全及EMC设计 基于EMC 的ESD 防护设计静电问题是一直困扰电子产品的问题,静电放电导致 ... 经验 认为,每千伏的静电电压击穿距离在1mm 左右,因此PCB 器件,走线
上传时间: 2013-07-23
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是西门子电机保护器3UF7的系统手册,全面解决使用过程中遇到的各种问题,也可作为入门的学习手册,非常全面
上传时间: 2013-07-08
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低,性能可靠,只需要外接几个电阻、电容,就可以实现多谐振荡器、单稳态触发器及施密特触发器等脉冲产生与变换电路。它也常作为定时器广泛应用于仪器仪表、家用电器、电子测量及自动控制等方面。555 定时器的内部包括两个电压比较器,三个等值串联电阻,一个 RS 触发器,一个放电管 T 及功率输出级。它提供两个基准电压VCC /3 和 2VCC /3 555 定时器的功能主要由两个比较器决定。两个比较器的输出电压控制 RS 触发器和放电管的状态。在电源与地之间加上电压,当 5 脚悬空时,则电压比较器 A1 的反相输入端的电压为 2VCC /3,A2 的同相输入端的电压为VCC /3。若触发输入端 TR 的电压小于VCC /3,则比较器 A2 的输出为 1,可使 RS 触发器置 1,使输出端 OUT=1。如果阈值输入端 TH 的电压大于 2VCC/3,同时 TR 端的电压大于VCC /3,则 A1 的输出为 1,A2 的输出为 0,可将 RS 触发器置 0,使输出为 0 电平。
上传时间: 2013-10-15
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负载保护电路
上传时间: 2013-10-10
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静电放电(ESD)是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此,电子产品中必须加上ESD保护,提供ESD电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ESD保护电路,使ESD保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ESD引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ESD模拟的软件,并对一些相关模拟结果进行了分析比较。
上传时间: 2013-11-05
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基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的,采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发,分析了uC与时间常数之间的关系,给出了几种Multisim仿真测试时间常数的实验方案。仿真实验可直观形象地描述RC电路的工作过程及有关参数测试。将电路的硬件实验方式向多元化方式转移,利于培养知识综合、知识应用、知识迁移的能力,使电路分析更加灵活和直观。
上传时间: 2013-11-10
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ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.
上传时间: 2013-11-24
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一、实验目的 1.观察RC电路充放电过程,掌握时间常数的测量方法。 2.研究RC积分电路和微分电路的特点。 二、实验任务 1.观察记录图示电路的放电过程。求出时间常数τ。 2.设计时间常数τ为1ms的RC积分电路和微分电路,用示波器观察在脉冲信号源周期不同(与时间常数相比,即输入脉冲宽度T<<τ、T=τ、T>>τ)时的电路输出,记录输入、输出波形。
上传时间: 2013-10-25
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS 管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。
标签: Construction Strategy ESD of
上传时间: 2013-11-09
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