主要讲述静电放电、射频辐射电磁场、电快速瞬变脉 冲群、雷击浪涌、由射频场引起的传导干扰、工频磁场、 电压跌落和衰减振荡波等八项抗扰度试验，其中前七项试 验在通用抗扰度标准中已经见到；后一项试验（衰减振荡 波抗扰度试验）则在电力系统设备的抗扰度试验中经常可 以见到。考虑到国内在引进生产家用电器的企业中经常采 用的高频噪声模拟器，本章予以补充介绍。此外，汽车工 业在我国的迅速发展，拉动了与之配套的汽车电子与电器 行业的迅速发展。对后者的质量控制与检测问题便成为业 内人士所关注的一个热点。
上传时间： 2013-05-24
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传统的有声无声检测方法只能在相对安静的环境下（<20dB）进行。因此传统方法不能满足噪声环境下的检测要求；另一方面，一直以来，单通道语音增强没有取得突破性进展，一个很重要的原因是没有找到高效的有声无声检测方法。研究了一种有声/无声检测算法是根据信号低频带、高频带短时能量包络的动态变化范围来判别噪声和含噪语音。对每一帧输入信号，通过与预先设定的一系列门限值比较来判断该帧是信号帧还是噪声帧。本设计使用了这种检测方法，选用北京瑞泰创新科技有限公司开发CETECK-VC33-D板，配合自己制作的前端抗混叠滤波放大器和后端的结果演示模块（利用单片机AT89C51制作跑马灯来演示）来实现整个算法。
上传时间： 2016-11-15
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介绍一种实用的二维条码识别算法。首先探讨了二维条码的定位与分割算法,利用Hough变换与Sobel边缘检测把条码图像从原始采集的图像中有效地分割出来 然后分析了条码图像经过光学系统的噪声模型,提出了一种计算点扩展函数标准方差的算法 采用Flourier变换自适应地选取阈值去除噪声导致的无效边界,从而得到条码的基本模块。实验结果表明,该算法具有很好的抗噪性,提高了二维条码的识别率。
上传时间： 2014-11-30
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介绍一种实用的二维条码识别算法。首先探讨了二维条码的定位与分割算法,利用Hough变换与Sobel边缘检测把条码图像从原始采集的图像中有效地分割出来 然后分析了条码图像经过光学系统的噪声模型,提出了一种计算点扩展函数标准方差的算法 采用Flourier变换自适应地选取阈值去除噪声导致的无效边界,从而得到条码的基本模块。实验结果表明,该算法具有很好的抗噪性,提高了二维条码的识别率。
上传时间： 2014-11-25
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系统地分析锁相环相位噪声
上传时间： 2013-05-24
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电机噪声的分析与控制
上传时间： 2013-04-15
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系统地分析锁相环相位噪声
上传时间： 2013-04-15
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GB-T4677.4-1984 印制板抗剥强度测试方法
上传时间： 2013-04-15
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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专辑类-执行器件相关专辑-43册-296M 电机噪声的分析与控制-388页-8.3M.pdf
上传时间： 2013-06-08
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