虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

抑制

  • 一种具有噪声抑制功能的红外图像锐化算法

    一种具有噪声抑制功能的红外图像锐化算法,对于研究图像锐化的同行有较大帮助。

    标签: 噪声抑制 红外 图像锐化算法

    上传时间: 2017-01-06

    上传用户:haoguoming1

  • 王兆安_谐波抑制与无功功率补偿(第二版).pdf

    王兆安_谐波抑制与无功功率补偿(第二版).pdf 

    标签: 谐波抑制 无功功率补偿

    上传时间: 2017-04-10

    上传用户:15005935263

  • 谐波抑制和无功补偿

    谐波抑制和无功补偿,扫描版电子书,适合电力电子专业

    标签: 谐波抑制 无功补偿

    上传时间: 2018-03-14

    上传用户:weigee2000

  • 谐波抑制与无功功率补偿

    谐波抑制与无功功率补偿

    标签: 谐波抑制 无功功率补偿

    上传时间: 2020-06-08

    上传用户:zxcvbaaac

  • 一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计

    一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计

    标签: 电源抑制

    上传时间: 2021-10-17

    上传用户:kingwide

  • 电视干扰与抑制方法

    电视干扰与抑制方法

    标签: 电视干扰

    上传时间: 2022-01-23

    上传用户:jiabin

  • 电子系统中的噪声抑制与衰减技术(无乱码版)

    本书包括电路中噪声抑制技术实践应用的方方面面。涵盖了两种基本的噪声控制方法:屏蔽和接地;介绍了其他一些噪声抑制技术:如电路平衡、去祸、滤波等;还介绍了电缆布线、无源器件、触点保护、本征噪声源、有源器件的噪声等方面的内容;同时还介绍了数字电路与静电放电的噪声和辐射方面的问题。本书适合于从事电子设备或系统设计的工程师使用,也可作为实用噪声抑制技术的教材。此书网上可下载的都有乱码 本身对此全部纠正极大方便了阅读 

    标签: 噪声抑制 噪声消除 噪声控制

    上传时间: 2022-02-16

    上传用户:

  • 从3G-5G小区间干扰抑制技术综述

    从3G-5G小区间干扰抑制技术综述一、概述: 干扰,泛指一切进入信道或通信系统对合法信号的正常工作造成了影响非期 望信号。移动通信系统的干扰是影响无线网络掉话率、接通率等系统指标的重要 因素之一。它严重影响了网络的正常运行和用户的通话质量。 1.1、干扰的分类: (1)、从频段上可分为上行干扰与下行干扰。上行干扰定义为干扰信号在移 动网络上行段,基站受外界射频干扰源干扰。上行干扰的后果是造成基站覆盖率 的降低。物理上看,在无上行干扰的情况下,基站能够接收较远处手机信号。当上 行干扰出现时,期望的手机信号需强于干扰信号,基站才能与手机联络,因此手机 必须离基站更近,因此造成了基站覆盖率的降低。下行干扰是指干扰源所发干扰 信号在移动网络下行频段,手机接收到干扰信号,无法区分正常基站信号,使手机 与基站联络中断,造成掉话或无法登记。由于基站下行信号通常较强,对 GSM 来说, 当某一下行频点被干扰时,手机能够选择次强频点,与其他基站联络。而 CDMA 本 身即自扰系统,因此上行干扰的危害比下行干扰更严重。

    标签: 3g 综述 区间 干扰 抑制 5g

    上传时间: 2022-02-25

    上传用户:kingwide

  • MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

    设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

    标签: mosfet

    上传时间: 2022-04-02

    上传用户:默默

  • 村田噪声抑制基础教程

    本文档是村田噪声抑制基础教程电子书欢迎免费下载

    标签: 噪声抑制

    上传时间: 2022-05-12

    上传用户: