用单片机实现蜂鸣器，用于实现定时闹铃功能。
上传时间： 2017-01-16
上传用户：zhuyibin
l、设计用于竞赛的四人抢答器，功能如下： (1) 有多路抢答器，台数为四； (2) 具有抢答开始后20秒倒计时，20秒倒计时后无人抢答显示超时，并报警； (3) 能显示超前抢答台号并显示犯规警报； (4) 能显示各路得分，并具有加、减分功能； 2、系统复位后进入抢答状态，当有一路抢答键按下时，该路抢答信号将其余各路抢答封锁，同时铃声响，直至该路按键松开，显示牌显示该路抢答台号。 3、用VHDL语言设计符合上述功能要求的四人抢答器，并用层次设计方法设计该电路
上传时间： 2014-11-17
上传用户：ynwbosss
1 产品简介1.1 产品特点下载速度快，超越 JLINK V8，接近 JLINK V9采用 2.4G 无线通信，自动跳频支持 1.8V~5V 设备，自动检测支持 1.8V/3.3V/5V 电源输出，上位机设置支持目标板取电/给目标板供电支持 MDK/IAR 编译器，无需驱动，不丢固件支持 Cortex M0/M1/M3/M4/M7 等内核 ARM 芯片支持仿真调试，支持代码下载、支持虚拟串口提供 20P 标准 JTAG 接口、提供 4P 简化 SWD 接口支持 XP/WIN7/WIN8/WIN10 等操作系统尺寸小巧，携带方便1.2 基本参数产品名称 ATK-HSWLDBG 高速无线调试器产品型号 ATK-HSWLDBG支持芯片 ARM Cortex M0/M1/M3/M4/M7 全系列通信方式 USB（免驱）仿真接口 JTAG、SWD支持编译器 MDK、IAR串口速度 10Mbps（max）烧录速度 10M通信距离 ≥10MTX 端工作电压 5V（USB 供电）TX 端工作电流 151mARX 端工作电压 3.3V/5V(USB 或者 JTAG 或者 SWD 供电)RX 端工作电流 132mA@5V工作温度 -40℃~+85℃尺寸 66.5mm*40mm*17mm1.3 产品实物图图 发送端图 接收端图 接收端接口输出电压示意图，所有标注 GND 的引脚均为地线1.4 接线示意图高速无线调试器发送端，接线图：高速无线调试器接收端，JTAG/SWD 接口供电，接线示意图：高速无线调试器接收端，USB 接口供电，接线示意图：1.5 高速无线调试器工作原理示意图电脑端 高速无线调试器发送端 USB 接口目标 MCU 高速无线调试器接收端 JTAG/SWD 接口目标 MCU 高速无线调试器接收端5V 电源JTAG/SW 接口 USB 接口高速无线调试器JTAG/SW 接口 目标 MCU 高速无线调试器接收端USB 接口 电脑端 高速无线调试器发送端无线模块无线模块2、MDK 配置教程注意：低版本 MDK 对高速无线调试器的支持不完善，推荐 MDK5.23及以上版本。MDK5.23~MDK5.26 对高速 DAP 的支持都有 bug，必须打补丁。参考“mdk 补丁”文件夹下的相关文档解决。SWD 如果接3 线，请查看第 10 章，常见问题 1。要提高速度，参考 4.2 节配置无线参数为大包模式。如果无线通信不稳定，参考常见问题 4。
标签： 高速无线调试器
上传时间： 2022-06-04
上传用户：d1997wayne
电动汽车、混合动力汽车、燃料电池汽车为代表的新能源汽车是实现节能减排目标的重要行业之一。IGBT模块作为新能源汽车的核心，其发展受到广泛关注.IGBT模块发展的关键在于改善封装方式。本文指出了日前的封装材料在电动汽车逆变器大功率IGBT模块的封装过程中存在的缺陷，引入了新型连接材料纳米银焊膏。为了验证纳米银焊膏的连接性能，以确定其能否应用在所需的1GBT模块的制作过程中，本文首先设计了单个模拟芯片的烧结连接实验，通过微x射线断层扫描仪、剪切实验、1描电镜等检测手段，对烧结后的连接层进行了全方位的检测，结果发现虽然连接层没有发现明显的缺陷，但是剪切强度较低，经过分析猜想可能是磁控溅射镀层的质量并不十分可靠，因此又设计用真芯片和小块镀银铜板的烧结连接实验，连接传况良好，剪切实验的过程中，发现是芯片先出现破损，这证明了连接的质量是可靠的。因此可以将纳米银焊膏应用在IGBT模块的制作中。本文重点介绍了整个IGBT模块的制作方法。采用和之前单个芯片烧结相类似的操作过程，完成整个模块的烧结。烧结完成后通过微 射线断层扫描仪对烧结的质量进行了检测，通过检测发现连接层质量良好。模块烧结连接之后，更做出最终成型的IGBT模块，还需要经过外壳设计与制造、打线、灌度、组装等工T艺，从而得到最终的成品，并通过晶体管特性测试仪对模块的基本电性能进行了检测。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：
电路见图1当把开关K1打向“逆变”位置时，BG1导通，由时基电路NE555及外围元件组成的无稳态多谐振荡器开始振荡，其充？放电时间常数可调节？如果选择R1=R2则输出脉冲的占空比为50%，该多谐振荡器的振荡频率f=1.443/（R1+R2+2W）C2，图中的元件数值可使振荡频率调在50Hz，振荡脉冲由役脚输出，波形为方波，该方波经C4耦合，R3？C5积分变为三角波，这个三角波又经RPC6，第二次积分和R5？C7第三次积分，变为近似的正弦波，通过C8耦合到BG2，由BG2放大后在B1的L2线圈上输出？当L2上端电压为正时，D4截止，D3导通，使BGPBG6截止，BG3？BG5导通，电流由电瓶正极→B2的L1-BG5-电瓶负极；当L2上端电压为负时，D3截止，D4导通，使BG2BG5截止，BG4？BG6导通，电流由电瓶正极一B2的L2-BG6电瓶负极？BGBG6交替导通？截止，经变压器B2合成正负对称的正弦波，并由L3升压送至逆变输出插座CZ12CZ2，供用电器使用，同时LED1（红色）亮，指示逆变状态？当开关打向“充电”位置时，市电经变压器B2降压？D5？D6全波整流？R11限流后对电瓶充电，同时LED2（绿色）亮，指示充电状态？
上传时间： 2022-06-27
上传用户：
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
上传用户：zhaiyawei
超声波换能器材料
上传时间： 2013-06-03
上传用户：eeworm
调制解调器实用指南
标签： 调制解调器
上传时间： 2013-05-29
上传用户：eeworm
IA4421 通用ISM频段FSK收发器
上传时间： 2013-06-01
上传用户：eeworm
光学温度变送器
上传时间： 2013-07-21
上传用户：eeworm
