微弧氧化是一种新型的表面处理方法,利用该电路可输出双端不对称的高压脉冲,且脉冲幅值、频率、占空比均在一定范围内连续可调。本文首先介绍了微弧氧化电源技术的发展现状,然后对试验中使用过的几种IGBT驱动模块M57959、2ED300、2SD315 3种驱动电路的结构、工作原理和使用性能做了详细分析对比。实验表明,Eupec系列的2ED300驱动电路结构简单,可靠性高,适用于大功率微弧氧化电源的驱动。
上传时间: 2014-01-21
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LED电源驱动与控制
上传时间: 2013-10-08
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LED电源驱动与控制培训教材
上传时间: 2014-12-24
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概述: MXT2576是降压型开关电源稳压器,有很好的电压调整率和负载调整率,能够提供5V的输出电压和3A的驱动电流。 MXT2576应用简单,需要的外围器件少,内置频率补偿电路和固定频率振荡器。外围器件可以采用不同厂家生产的标准系列的电感,从而简化了开关电源的设计。 在规定的输入电压和输出负载的条件下,MXT2576输出电压的容差为±4%,振荡器振荡频率的容差为±10%。 提供外部关断信号,待机电流小于200uA(典型值50uA)。内置电流保护电路和温度保护电路对芯片进行保护。 MXT2576能够很好的代替通常的三端线形稳压器,有效地减小散热片的面积,在一些情况下即使不需要散热片芯片仍可以正常工作。
上传时间: 2013-12-18
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摘要:为改善传统EMI滤波器的滤波性能,分析并采用了合成扼流圈来替代传统分立扼流圈,并根据滤波器阻抗失配原理,通过分析LISN网络与噪声源的阻抗特性,分别对共差模等效电路进行分析与设计,提出了基于合成扼流圈的开关电源EMI滤波器设计方法。试验结果证明,此方法是有效的,并已成功地应用在燃料电池轿车用DC/DC变换器的控制电路板设计中。关键词:开关电源;电磁干扰;合成扼流圈;共模电感
上传时间: 2013-10-17
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摘要:系统采用开关电源芯片TPS5430为核心制作两路稳压电源.两路电源可独立、并联使用。两路电源并联时,利用电流反馈控制技术,通过运放的动态调节实现自动均流。采用超低功耗单片机MSP430FG4618作为系统主控制电路。 系统输出电压在4.5V~5.5V之间连续可调;两路电源并联,在满载时,电流差低于0.1%;单路、双路并联时工作效率可达90%;满载时纹波均低于15mV;具有过流保护,无线电发射、接受模块,实现报警功能,故障解除后电路自动恢复正常工作;系统具有液晶实时显示电流、环境温度、时间等功能。 关键词:电流反馈,MSP430FG4618,TPS5430
上传时间: 2013-10-21
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基于单片机PWM控制逆变电源的设计:设计了一种基于AT89C51 控制SA4828 的逆变电源,它采用IGBT 作为功率器件, IR2110 作为IGBT 的驱动芯片,并采用恒 U/F 的控制策略。关键词:单片机 脉宽调制 逆变电源 本论文主要目的是设计一种全数字化三相PWM 逆变电源。三相SPWM 发生器是逆变电源的核心部分,它的性能好坏,直接关系到整个逆变电源的工作状况。鉴于以80C196MC或TMS320LF240 为核心组成的控制电路,能实现电源的全数字化控制,但系统较复杂,软件工作量大,研制周期长。在本设计中,我们选用了AT89C51 控制MITEL 公司的SA4828芯片作为波形发生器。 二、系统结构功率流程:市电输入经输入保护电路滤除噪声后,进行整流、滤波变成直流电压,然后这个直流电压输入到桥式逆变电路。PWM 发生器在单片机的控制下,通过驱动电路对输出脉冲进行调制就可改变输出电压和频率,再经输出变压器隔离后供给负载。主电路中根据磁路集成原理,将变压器和滤波电感集成为一个磁性元件,再在变压器的次级并以适当的电容,组成滤波网络以获得正弦波形输出。整个电路分为五大部分:整流滤波、全桥逆变电路、驱动电路以及将单片机控制PWM 产生器的控制电路和保护电路。另外在输入和输出端还有输入滤波和输出滤波电路。
上传时间: 2013-11-07
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通用的多电源总线,如VME、VXI 和PCI 总线,都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V(或±24V)电源,如果在这些系统中添加设备(如插卡等),则需要额外的3.3V或5V电源,这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路,将-12V 电压升压到15.3V(相对于-12V 电压),进而得到3.3V 的电源电压,输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压(-10.75V)反馈给IC1 的FB 引脚,PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率,转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸,适用于依靠台式PC机电源供电,需要提供1W输出功率的应用,这种应用中,由于-12V总线电压限制在1.2W以内,因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻(RSENSE)将峰值电流限制在120mA,N 沟道MOSFET(Q1)可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管,R1、R2 设置输出电压(3.3V 或5V)。IC1 平衡端(Pin5)的反馈电压高于PGND引脚(Pin7)1.25V,因此:VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后,可确定:I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2:R2 = (VOUT - VBE)/ I2 =(3.3V - 0.7V)/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中,IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置,频率范围为100kHz 至500kHz,有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时,能够保证较高的转换效率,并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流,可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间: 2013-10-17
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提出一种高性能全数字式正弦波逆变电源的设计方案。该方案分为前后两级,前级采用推挽升压电路将输入的直流电升压到350 V左右的母线电压,后级采用全桥逆变电路,逆变桥输出经滤波器滤波后,用隔离变压器进行电压采样,电流互感器进行电流采样,以形成反馈环节,增加电源输出的稳定性。升压级PWM驱动及逆变级SPWM驱动均由STM32单片机产生,减小了硬件开支。基于上述方案试制的400 W样机,具有输出短路保护、过流保护及输入过压保护、欠压保护功能,50 Hz输出时频率偏差小于0.05 Hz,满载(400 W)效率高于87%,电压精度为220 V±1%,THD小于1.5%。
上传时间: 2013-11-17
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MPU-2型恒功率晶闸管中频电源控制线路分析
上传时间: 2013-10-25
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