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性价比更高

  • AL-XHZ系列消弧消谐及过电压保护装置

    AL-XHZ系列消弧消谐及过电压保护装置 我公司研制出了XHZ消弧线圈及过电压保护装置,能将中性点非有效接地系统的相间、相地过电压限制在电网安全范围内,彻底解决了各种过电压对电网的威胁,提高了电网安全供电的可靠性。 1、装置动作速度快,能快速消除间歇性弧光及稳定性弧光接地故障,抑制孤光接地过电压,防止事故进一步扩大,降低线路的事故跳闸率。 2、能将系统的大气过电压和操作过电压限制到较低的电压水平,保证了电网及设备的绝缘安全。 3、能够快速、有效地消除系统的谐振过电压,防止长时间谐振过电压对系统绝缘破坏,防止谐振过电压对电网中装设的避雷器及小感性负载的损伤。 4、装置动作后,允许200A的电容电流连续通过至少2小时以上,用户可以完成转移负荷的倒闸操作之后再处理故障线路。 5、能够准确查找单相接地故障线路,对防止事故的进一步扩大,减轻运行和维护人员的工作量有重要的意义。 6、由于其限制过电压的机理与电网电流的大小无关,因而其保护性能不受电网运行方式的改变和电网扩大的影响。 7、本装置中的电压互感器可以向计量仪表和继电保护装置提供系统的电压信号,能够替代常规的PT柜。 8、能够测量系统的单相接地电容电流。 9、结构简单,体积小,安装、调试方便,适用范围广。 10、性价比,相对于消弧线圈系统而言,性价比较高。 11、选线功能,无论系统发生的是何种类型的接地故障,均能够对接地线路进行准确地选择。

    标签: AL-XHZ 消弧消谐 保护装置 过电压

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:cazjing

  • MPP CCD暗电流温度特性研究

    研究了MPP电荷耦合器件(CCD)暗电流和暗电流非均匀性的温度特性,并与非MPP CCD的暗电流和暗电流非均匀性的温度特性进行了对比分析。研究结果表明,MPP CCD抑制了表面暗电流,相较于非MPP CCD具有较低的暗电流和暗电流非均匀性,可以承受更高的工作温度。

    标签: MPP CCD 电流 温度特性

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:netwolf

  • 如何运用DC-DC升压调节器

      便携式电子器件(如智能手机、GPS导航系统和平板电脑)的电源可以来自低压太阳能电池板、电池或AC/DC电源。电池供电系统通常将电池串联叠置以实现更高的电压,但由于空间不足,此技术未必总是可行。开关转换器使用电感的磁场来交替地存储电能,并以不同电压释放至负载。因为损耗很低,所以开关转换器是个不错的高效率选择。连接至转换器输出端的电容可减少输出电压纹波。升压转换器提供较高的输出电压;而应用笔记AN-1125(如何运用DC-DC降压调节器)所讨论的降压转换器则提供较低的输出电压。内置FET作为开关的开关转换器称为开关调节器,需要外部FET的开关转换器则称为开关控制器。

    标签: DC-DC 如何运用 升压调节器

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:edisonfather

  • Power/Vac VB2型12kV户内高压真空断路器

    功能、性能、特点 采用电磁场优化分布的设计原理,使局部放电和局部过热最小。 小型化、高功能的真空灭弧室利用纵向旋转磁场灭弧原理, 有效地保证了截流值小于3A,  使开断性能极为稳定。 弹簧储能机构采用模块化设计,一件多用,使机构主件分布合理,结构简单,性能稳定。 绝缘性能优越可靠,顺利通过了凝露试验,适合在最恶劣的环境条件下运行,并具有比IEC和GB标准要求更高的爬电距离和电气间隙。 接地方式可靠,确保了断路器从工作位置到试验位置接地的连续性。

    标签: Power Vac VB2 12

    上传时间: 2013-12-28

    上传用户:ommshaggar

  • UPS设计考虑要素

      1 电源环境:单相和三相 在评估和销售流程中,掌握客户现有电源基础构架至关重要。在多数销售顾问通常注重大型三相电源系统时,大多数IT经理往往涉及的是机架级单相设备。许多现有计算机房和中小型数据中心配备了机架级的单相负载。为提高效率、减少成本,并为新实施的三相解决方案创造更多销售机遇,各种推倒重来的全新设计将焦点从三相电源转移到了利用率之上。   2. 安装环境 务必了解USP未来的部署需求。因为大多数环境可以支持多种不同的解决方案,所以需要帮助客户对此进行评估。要准备针对多种解决方案提出价值主张、功能比较和报价。 经研究表明,客户一般会选择具有更高价值的方案。如果无法提供多种方案,可提供另一种更为经济高效的方案,引入其它产品公平竞争,从而得到客户的信任。切勿将让客户自己寻找其它方案。   3. 电源负载 客户电源负载的额定功率是为其整体解决方案确定合适UPS的最重要因素。明确电源环境之后(如需要单相或三相UPS),可进一步锁定UPS的规格选择范围。尽管许多客户已掌握此类信息,但您仍需要协助客户针对其设备完成电源设备的选配工作。务必考虑客户电源负载的潜在增长需求。特别是在单相设备部署场合中,通常需要选择超出客户当前电源要求但能提供更长的运行时间的UPS,从而满足未来的增长需求。

    标签: UPS

    上传时间: 2014-01-16

    上传用户:雨出惊人love

  • 集成电路高频变压器的设计与制作性能参数

      脉冲变压器也可称作开关变压器,或简单地称作高频变压器。在传统的高频变压器设计中,由于磁芯材料的限制,其工作频率较低,一般在20kHz左右。随着电源技术的不断发展,电源系统的小型化、高频化和大功率化已成为一个永恒的研究方向和发展趋势。因此,研究使用频率更高的电源变压器是降低电源系统体积、提高电源输出功率比的关键因素。

    标签: 集成电路 性能参数 高频变压器

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:wangfei22

  • 电源纹波噪声测试方法

    今天的电子电路(比如手机、服务器等领域)的切换速度、信号摆率比以前更高,同时芯片的封装和信号摆幅却越来越小,对噪声更加敏感。因此,今天的电路设计者们比以前会更关心电源噪声的影响。实时示波器是用来进行电源噪声测量的一种常用工具,但是如果使用方法不对可能会带来完全错误的测量结果,笔者在和用户交流过程中发现很多用户的测试方法不尽正确,所以把电源纹波噪声测试中需要注意的一些问题做一下总结,供大家参考。 由于电源噪声带宽很宽,所以很多人会选择示波器做电源噪声测量。但是不能忽略的是,实时宽带数字示波器以及其探头都有其固有的噪声。如果要测量的噪声与示波器和探头的噪声在相同数量级,那么要进行精确测量将是非常困难的一件事情。

    标签: 电源 测试方法 纹波噪声

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:zq70996813

  • 同步整流技术简单介绍

    同步整流技术简单介绍大家都知道,对于开关电源,在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件,通常用的是整流二极管(利用它的单向导电特性),它可以理解为一种被动式器件:只要有足够的正向电压它就开通,而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高,快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功,并且整流二极管是一种固定压降的器件,举个例子:如有一个管子压降为0.7V,其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压,损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时,损耗为0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低,损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展,如GeForce 8800GTX显卡,其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V输出电流各高达24A)的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现,为广大用户提供更高转换效率(如多核R80,完全符合80PLUS标准)的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题?寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻(几毫欧到十几毫欧)极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了!作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件,功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件,必须要在其控制极(栅极)有一定电压才能允许电流通过,这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中,一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积,故小电流时,其压降和恒定压降的肖特基不同,电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率(20%)尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案,我们可以通过灌溉农田来理解:肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道,从源头下来的水源在中途渗漏了很多,十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道,除了一点点被太阳晒掉的损失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1,多核R80,其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET,在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A,则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V,损耗比例为0.04/4=1%,比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗,其技术的进步已不仅仅是一个量的变化,而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说,我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。

    标签: 同步整流

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:杏帘在望

  • 数据中心的电源转换

    数据中心功率密度和设备多样性的增强正促使动力及制冷系统发生改变。关键业务服务器及通信设备的性能及可靠性亦取决于动力及制冷系统。 由于各公司均配备新应用程序以提高业务对数据中心系统的依存度,不断上升的设备密度使得系统的重要性不断增加。同时,随着服务器外形不断缩小,整套设施及独立机架可为越来越多的设备提供支持。 上述变化提出了对动态数据中心基础设施的更高需求。当关键基础设施系统能更好的适应新技术及新业务变化带来的密度、容量及可用性方面的改变时,即可大大提高运行的灵活性,从而可实现更高的系统可用性并降低总成本。 在关键电源领域,动态基础设施必须包括UPS系统、配电系统及在架式电源管理。

    标签: 数据中心 电源转换

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:xiaoyaa

  • 分比功率架构和V•I晶片灵活、优越的功率系统方案

    当今电子系统如高端处理器及记忆体,对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战,是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件,可提供革命性的功率转换方案,应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。

    标签: 8226 功率架构 功率

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:yan2267246