该文档为功率放大器原理及电路图讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率放大器
上传时间： 2022-02-14
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标签： 功率放大器
上传时间： 2022-02-18
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上传时间： 2022-02-20
上传用户：qdxqdxqdxqdx
全变压器耦合300B推挽功率放大器
上传时间： 2022-03-17
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基于直流电子管的推挽功率放大器电路图
上传时间： 2022-03-17
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6P1推挽电子管功率放大器的设计
上传时间： 2022-03-17
上传用户：d1997wayne
该文档为功率放大器原理及电路图总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率放大器
上传时间： 2022-03-20
上传用户：得之我幸78
一种125W短波宽带功率放大器设计
标签： 功率放大器
上传时间： 2022-03-29
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射频功率放大器在通信系统中已经得到大量应用，在实现信号放大功能中属于关键性构成组件部分。研制射频功率放大器必须要符合诸多的指标，而且不可缺少的一项就是稳定性。射频功率放大器是一种高频信号放大器，存在显著的内部无源元件寄生效应，放大器传输信号期间，可以导致信号源阻抗或负载阻抗等不能良好地匹配于放大器网络的现象，加之其他因素的影响，会容易让射频功率放大器出现正反馈，由此引发自激振荡，严重情况下损坏到设备。鉴于此，文章在分析射频功率放大器稳定性的基础上进行科学的设计，防止产生严重的损失问题，给实践工作提供有价值的指导。
标签： 射频功率放大器
上传时间： 2022-06-16
上传用户：默默
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
