电压带隙基准一个在模拟电路中很重的一部分,本文论述了带隙基准的一个高阶补偿方法
上传时间: 2014-01-02
上传用户:huql11633
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间: 2014-12-03
上传用户:88mao
关于pineline ADC的设计文献
上传时间: 2013-11-24
上传用户:iven
~{JGR 8vQ IzWwR5SC5D2V?bD#DbO5M3~} ~{3v?b~} ~{Hk?b~} ~{2iQ/5H9&D\~} ~{?IRTWw@)3d~} ~{TZ~}JDK1.4.2~{OBM(9}~}
上传时间: 2015-02-22
上传用户:ommshaggar
这是s3cev40开发板光盘自带的存储器测试实验源码
上传时间: 2013-12-16
上传用户:baitouyu
利用matlab计算三维光子晶体带隙的fdtd算法
上传时间: 2015-07-01
上传用户:zhyiroy
本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算光子晶体带隙的
上传时间: 2014-01-08
上传用户:离殇
本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算一维光子晶体带隙的另一个程序
上传时间: 2013-12-08
上传用户:sunjet
b to b 模式 电子商务系统 ,c# 开发 , B/S结构
上传时间: 2014-01-20
上传用户:hanli8870
一组很好的FDTD计算二维光子带隙的程序,matlab 7.0以上版本适用
上传时间: 2013-12-22
上传用户:独孤求源