在绘制USB电源线、信号地和保护地时，应注意以下几点： ①USB插座的1、2、3、4脚应在信号地的包围范围内，而不是在保护地的包围范围 内。 ②USB差分信号线和其他信号线在走线的时候不应与保护地层出现交叠。 ③电源层和信号地层在覆铜的时候要注意不应与保护地层出现交叠。 ④电源层要比信号地层内缩20D，D为电源层与信号地层之间的距离。 ⑤如果差分线所在层的信号地需要大面积覆铜，注意信号地与差分线之间要保证 35 mil以上的间距，以免覆铜后降低差分线的阻抗。
上传时间： 2013-04-24
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本文设计数字式液位测量仪,采用双差压法对液位进行测量,有效地克服了液体密度变化对液位测量结果的影响,提高液位测量的精度。本设计的液位测量仪还能直接显示液位高度的厘米数。关键词:双差压法 液位测量仪 普通差压法测量液位, 精度无法保证。本文提出双差压法的改进方案,以克服液体密度变化对液位测量结果的影响,提高液位测量的精度。 双差压法液位测量原理普通差压法测量液位的原理:只有在液体密度ρ恒定不变的条件下,差压△ P 才与液位高度H 呈线性正比关系,才可通过测量差压△P 间接地获取液位H 值。但液体密度ρ是液体组份和温度的多元函数。当液体组份和温度变化导致密度ρ改变时,即使液位高度H 没有变化,也将使差压信号△ P 改变,此时若还按原先的液体密度ρ从差压信号△ P 计算出液位H,显然将导致测量误差, 严重时会造成操作人员的错误判断。为此,本文提出采用两个差压传感器,如图1。其中差压传感器1 用于测量未知液位高度H 产生的差压,即密闭容器底部和液面上方的压力差:
上传时间： 2013-11-21
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虚短和虚断的概念 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。 “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。 由于运放的差模输入电阻很大，一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA，远小于输入端外电路的电流。故 通常可把运放的两输入端视为开路，且输入电阻越大，两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，这一特性 称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。 在分析运放电路工作原理时，首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大，什么加法器、减法器，什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你，让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数，这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中，把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。
上传时间： 2013-11-04
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低电压差分信号(LVDS)是一种高速点到点应用通信标准。多点LVDS (M-LVDS)则是一种面向多点应用的类似标准。LVDS和M-LVDS均使用差分信号，通过这种双线式通信方法，接收器将根据两个互补电信号之间的电压差检测数据。这样能够极大地改善噪声抗扰度，并将噪声辐射降至最低。
上传时间： 2013-11-22
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LVDS(低压差分信号)标准ANSI/TIA /E IA26442A22001广泛应用于许多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探讨了LVDS的特点及其PCB (印制电路板)设计,纠正了某些错误认识。应用传输线理论分析了单线阻抗、双线阻抗及LVDS差分阻抗计算方法,给出了计算单线阻抗和差分阻抗的公式,通过实际计算说明了差分阻抗与单线阻抗的区别,并给出了PCB布线时的几点建议。关键词: LVDS, 阻抗分析, 阻抗计算, PCB设计 LVDS (低压差分信号)是高速、低电压、低功率、低噪声通用I/O接口标准,其低压摆幅和差分电流输出模式使EM I (电磁干扰)大大降低。由于信号输出边缘变化很快,其信号通路表现为传输线特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件进行PCB (印制电路板)设计时,超高速PCB设计和差分信号理论就显得特别重要。
上传时间： 2013-11-19
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最新的HDMI I.3（高清晰度多媒体接口1.3）标准把以前的HDMI 1.0 - 1.2标准所规定的数据传送速度提高了一倍，每对差动信号线的速度达到3.4 Gbps。由于数据传送速度这么高，要求电路板的电容小，确保信号的素质很好，这给电路板的设计带来了新的挑战。在解决这个问题，实现可靠的静电放电（ESD）保护时，这点尤其重要。在HDMI系统设计中增加ESD保护时，如果选用合适的办法，就可以把问题简化。泰科电子的ESD和过电流保护参考设计，符合3.4 GHz的HDMI 1.3规范，达到IEC 61000-4-2关于ESD保护的要求，并且可以优化电路板的空间，所有这些可以帮助设计人员减少风险。本文探讨在HDMI 1.3系统中设计ESD保护的要求和容易犯的错误。 概述 在高清晰度视频系统中增加ESD保护，提出了许多复杂而且令人为难的问题，这会增加成本，会延长产品上市的时间。人们在选择ESD保护方案时，往往是根据解决这个问题的办法实现起来是否容易。不过，最简单的办法也许不可能提供充分的ESD保护，或者在电路板上占用的空间不能让人最满意。有些时候，在开始时看上去是解决ESD保护问题的最好办法，到了后来，会发现需要使用多种电路板材来保证时基信号达到要求。在实现一个充分的静电放电保护时，往往需要在尺寸、静电放电保护的性能以及实现起来是否容易这几方面进行折衷。一直到现在仍然是这样。
上传时间： 2013-10-22
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提出了共模插入损耗和差模插入损耗的计算方法,推导了滤波器插入损耗与阻抗关系的表达式,并且对这一关系作了仿真分析,仿真结果验证了理论计算和分析的正确性。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：baba
找一块电源仔细看一下，在电源部分中，跨接L-N之间的小方块（单位是μF）电容就是X电容，通常在是电源入口的第一个；同样，在电源部分的跨接L-PE和N-PE之间的蓝色的安规电容（单位pF）就是Y电容，通常是成对出现的。 或者你可以形象的看，X电容具有2个输入端，2个输出端，很象X；Y电容具有一个输入端，一个输出端以及一个公共的大地，很象一个Y 没有什么概念的，一个在差模回路上，一个在共模回路上，X、Y的名称纯粹是一个称呼，就象是X和Y轴一样 X电容主要用于流电源线路中，此时当电容失时不致产生线间放电。X电容器的测试条件是：在交流电压的有效值*1.5的电压下工作100Hour；再加上1KV的高压测试。Y电容器在一旦失效会导致放电危险（尤其是对外壳）时是强制使用的。Y类型电容器的测试条件是：在交流电压的有效值*1.7的电压下工作100Hour，加上2KV高压测试。如果电容器用于不接地的II类产品中，则要增加至4KV。
上传时间： 2013-10-24
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摘要:为改善传统EMI滤波器的滤波性能,分析并采用了合成扼流圈来替代传统分立扼流圈,并根据滤波器阻抗失配原理,通过分析LISN网络与噪声源的阻抗特性,分别对共差模等效电路进行分析与设计,提出了基于合成扼流圈的开关电源EMI滤波器设计方法。试验结果证明,此方法是有效的,并已成功地应用在燃料电池轿车用DC/DC变换器的控制电路板设计中。关键词:开关电源;电磁干扰;合成扼流圈;共模电感
上传时间： 2013-10-17
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在16MHZ频率下速度为16MIPS的8位RISC结构单片机，内含硬件乘法器。 支持JTAG端口仿真和编程，仿真效果比传统仿真同更真实有效。 8通道10位AD转换器，支持单端和双端差分信号输入，内带增益可编程运算放大器。 16K字节的FLASH存贮器，支持ISP、IAP编程，使系统开发、生产、维护更容易。 多达1K字节的SRAM，32个通用寄存器，三个数据指针，使用C语言编程更容易。 512字节的EEPROM存贮器，可以在系统掉电时保存您的重要数据。 多达20个中断源，每个中断有独立的中断向量入口地址。 2个8位定时/计数器，1个16位定时/计数器，带捕捉、比较功能，有四个通道的PWM。 硬件USART、SPI和基于字节处理的I2C接口。 杰出的电气性能，超强的抗干扰能力。每个IO口可负载40mA的电流，总电流不超过200mA。 可选片内/片外RC振荡、石英/陶瓷晶振、外部时钟，更具备实时时钟（RTC）功能；片内RC振荡可达8MHZ，频率可校调到1%精度；片外晶振振荡幅度可调，以改善EMI性能。 内置模拟量比较器。 可以用熔丝开启、带独立振荡器的看门狗，看门狗溢出时间分8级可调。 内置上电复位电路和可编程低电压检测（BOD）复位电路。 六种睡眠模式，给你更低的功耗和更灵活的选择。 ATMEGA16L工作电压2.7V-5.5V，工作频率0-8MHZ；ATMEGA16工作电压4.5-5.5V，工作频率0-16MHZ。 32个IO口，DIP40、TQFP44封装。 与其它8位单片机相比，有更高的程序安全性，保护您的知识产权。
上传时间： 2013-11-22
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