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工艺设计

  • 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63°。

    标签: CMOS 增益 低功耗 轨到轨

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:xlcky

  • 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

    提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。

    标签: gm_ID 可变增益放大器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:笨小孩

  • 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

    设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns,共模抑制比153 dB。

    标签: CMOS 增益提高 运算 放大器设计

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:jiiszha

  • 采用FlatP_Cell技术的ROM设计和分析

    本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。

    标签: FlatP_Cell ROM

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:84425894

  • 快响应低漂移微电流放大器的设计

    介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术,该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一,其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。

    标签: 低漂移 微电流放大器

    上传时间: 2013-10-25

    上传用户:boyaboy

  • CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路

    共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应,在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路,且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。

    标签: CMOS 工艺 共源共栅 偏置电路

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:debuchangshi

  • 一种增益增强型套筒式运算放大器的设计

    设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为26.2 mW.运放在4 ns的时间内可以达到0.01%的建立精度,满足系统设计要求.

    标签: 增益 增强型 运算放大器

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:563686540

  • 模拟cmos集成电路设计(design of analog

    模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T,Bell Lab,HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。... 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 CMOS Processing Technology 18 Layout and Packaging

    标签: analog design cmos of

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:杜莹12345

  • PCB设计基本工艺要求

    PCB工艺要求

    标签: PCB 工艺要求

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:LIKE

  • PCB设计要求简介

    PCB设计要点 一.PCB工艺限制 1)线  一般情况下,线与线之间和线与焊盘之间的距离大于等于13mil,实际应用中,条件允许时应考虑加大距离;布线密度较高时,可考虑但不建议采用IC脚间走两根线,线的宽度为10mil,线间距不小于10mil。特殊情况下,当器件管脚较密,宽度较窄时,可按适当减小线宽和线间距。  2)焊盘 焊盘与过渡孔的基本要求是:盘的直径比孔的直径要大于0.6mm;例如,通用插脚式电阻、电容和集成电路等,采用盘/孔尺寸 1.6mm/0.8mm(63mil/32mil),插座、插针和二极管1N4007等,采用1.8mm/1.0mm(71mil/39mil)。实际应用中,应根据实际元件的尺寸来定,有条件时,可适当加大焊盘尺寸;PCB板上设计的元件安装孔径应比元件管脚的实际尺寸大0.2~0.4mm左右。  3)过孔 一般为1.27mm/0.7mm(50mil/28mil);当布线密度较高时,过孔尺寸可适当减小,但不宜过小,可考虑采用1.0mm/0.6mm(40mil/24mil)。  二.网表的作用     网表是连接电气原理图和PCB板的桥梁。是对电气原理图中各元件之间电气连接的定义,是从图形化的原理图中提炼出来的元件连接网络的文字表达形式。在PCB制作中加载网络表,可以自动得到与原理图中完全相

    标签: PCB

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:LP06