新能源汽车用大电流大功率直流继电器技术手册 变频器可用
标签： 直流继电器
上传时间： 2021-11-03
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功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的，因此，我们了解它们是必要的。
标签： 开关电源
上传时间： 2021-11-24
上传用户：yb9018
md380,上位机,软件,485,串口,可以配合汇川MD380变频器使用.读取信息,改写参数
上传时间： 2021-11-29
上传用户：yb9018
变频器功率开关管IGBT常用驱动电路板驱动模块
上传时间： 2021-12-15
上传用户：tqsun2008
这是通过翻译软件翻译过后的通讯手册资料
上传时间： 2022-01-16
上传用户：d1997wayne
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标签： plc
上传时间： 2022-05-26
上传用户：kent
STM32F103C8T6最小系统板，引出所有IO引脚，正面背面都带2.54排针，此最小系统板原来是用于自己DIY些电子小玩意的主控板，如果每个DIY都焊接个STM32上去就很浪费了，所以就制作了这个最小系统板，尺寸4.5x5cm。电路板使用该最小系统时，可将原理图和PCB的排针封装另存，在新电路板中调用此排针封装。电路尺寸小，适合作为比赛用的核心板，STM32F103C8T6是ST旗下的一款常用的增强型系列微控制器，适用于：电力电子系统方面的应用,电机驱动,应用控制,医疗，手持设备，PC游戏外设，GPS平台，编程控制器（PLC），变频器，扫描仪，打印机，警报系统，视频对讲，暖气通风，空调系统，LED 条屏控制。STM32F系列属于中低端的32位ARM微控制器，该系列芯片是意法半导体（ST）公司出品，其内核是Cortex-M3。该系列芯片按片内Flash的大小可分为三大类：小容量（16K和32K）、中容量（64K和128K）、大容量（256K、384K和512K）。芯片集成定时器Timer，CAN，ADC，SPI，I2C，USB，UART等多种外设功能。
上传时间： 2022-06-11
上传用户：lostxc
为了满足一些重要用电设备的连续供电，对电网供电提出了更高的要求。为此，引入一种新型UPS是不间断电源（uninterruptible power system）的英文简称，是能够提供持续、稳定、不间断的电源供应的重要外部设备。UPS先将交流电直流成直流电，一路给蓄电池充电，一路经逆变器变成恒压恒频的交流电，不论是市电供电还是断电由电池供电，总是通过逆变系统提供电力，因而市电停电或来电时无任何转换间断，市电的干扰也完全不影响到UPS的输出端，另外，UPS提供的电力为纯净的正弦波交流电，适用的负载范围宽，可以为多种精密用电设备提供稳定的不间断电源，此外，UPS的优点还在于它的零转换时间以及高质量的输出电源品质，因此它更适合于一些关键性的应用场合.UPS由于其工作方式是先对电池充电，然后再由逆变器将电池的电能逆变成交流，因此在电能的转化过程中有一部分电能将被损失掉。电子技术是根据电子学的原理，运用电子器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括Analog（模拟）电子技术和Digital（数字）电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术，处理的方式主要有：信号的发生、放大、滤波、转换。现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
标签： UPS电源
上传时间： 2022-06-19
上传用户：蓝天小雨
在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
上传用户：yui0900826
近年来，随着个人数据通信的发展，功能强大的便携式数据终端和多媒体终端得到了广泛的应用。为了实现用户在任何时间、任何地点均能实现数据通信的目标，要求传统的计算机网络由有线向无线、由固定向移动、由单一业务向多媒体发展，这一要求促进了无线局域网技术的发展。在互联网高速发展的今天，可以认为无线局域网将成为未来的发展趋势.本课题采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现用于IEEE 802.1la协议的5GHz无线局域网接收机射频前端集成电路一包括低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，LNA）和下变频器电路（Downconverter），低噪声放大器是射频接收机前端的主要部分，其作用是在尽可能少引入噪声的条件下对天线接收到的微弱信号进行放大。下变须器是接收机的重要组成部分，它将低噪声放大器的输出射频信号与本振信号进行混频，产生中频信号。论文对射频前端集成电路的原理进行了分析，比较了不同电路结构的性能，给出了射频前端集成电路的电路设计、版图设计、仿真结果和测试方案，仿真结果表明，此次设计的射频前端集成电路具有低噪声、低功耗的特点，其它性能也完全满足设计指标要求
上传时间： 2022-06-20
上传用户：lijumiao
