使用片式磁珠和片式电感的原因：是使用片式磁珠还是片式电感主;要还在于应用。在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时，使用片式磁珠是最佳的选择。 磁珠是用来吸收超高频信号，象-一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠。而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过错50MHZ。 磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声，RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号，而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。通常高频信号为30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响
标签： pcb
上传时间： 2021-11-06
上传用户：xsr1983
电视干扰与抑制方法
标签： 电视干扰
上传时间： 2022-01-23
上传用户：jiabin
本书包括电路中噪声抑制技术实践应用的方方面面。涵盖了两种基本的噪声控制方法:屏蔽和接地；介绍了其他一些噪声抑制技术:如电路平衡、去祸、滤波等;还介绍了电缆布线、无源器件、触点保护、本征噪声源、有源器件的噪声等方面的内容;同时还介绍了数字电路与静电放电的噪声和辐射方面的问题。本书适合于从事电子设备或系统设计的工程师使用，也可作为实用噪声抑制技术的教材。此书网上可下载的都有乱码 本身对此全部纠正极大方便了阅读
上传时间： 2022-02-16
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从3G-5G小区间干扰抑制技术综述一、概述： 干扰,泛指一切进入信道或通信系统对合法信号的正常工作造成了影响非期 望信号。移动通信系统的干扰是影响无线网络掉话率、接通率等系统指标的重要 因素之一。它严重影响了网络的正常运行和用户的通话质量。 1.1、干扰的分类： （1）、从频段上可分为上行干扰与下行干扰。上行干扰定义为干扰信号在移 动网络上行段,基站受外界射频干扰源干扰。上行干扰的后果是造成基站覆盖率 的降低。物理上看,在无上行干扰的情况下,基站能够接收较远处手机信号。当上 行干扰出现时,期望的手机信号需强于干扰信号,基站才能与手机联络,因此手机 必须离基站更近,因此造成了基站覆盖率的降低。下行干扰是指干扰源所发干扰 信号在移动网络下行频段,手机接收到干扰信号,无法区分正常基站信号,使手机 与基站联络中断,造成掉话或无法登记。由于基站下行信号通常较强,对 GSM 来说, 当某一下行频点被干扰时,手机能够选择次强频点,与其他基站联络。而 CDMA 本 身即自扰系统,因此上行干扰的危害比下行干扰更严重。
上传时间： 2022-02-25
上传用户：kingwide
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
标签： mosfet
上传时间： 2022-04-02
上传用户：默默
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标签： 噪声抑制
上传时间： 2022-05-12
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IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，省去阻容吸收电路，并优化了高频电流在不同电容间的分布，抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感，并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器，表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻，采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热，并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔，同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理，并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验，以确保每个器件在安全范围内工作；设计了系统控制和三类系统级保护电路：驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后，在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下，对变流模块进行了测试，并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。
上传时间： 2022-06-22
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由于来自电路的EMI噪声发射、传导和辐射的过程十分复杂，因此抑制这种EM噪声非常困难。为了提高静噪效率，必须全面考察采取静噪措施的位置和方法。在本手册的前半部分，我们将通过引用实验数据阐述电路发射EMI噪声的原理以及EM噪声通过电路传导和辐射的原理。同时，我们还将阐述抑制EMI噪声的方法。在本手册的后半部分，将讲述使用EM静噪滤波器采取静噪措施的注意事项，并给出EM静噪滤波器在典型电路中的应用示例。我们衷心希望您在考虑静噪措施时参考本手册。由于发生EMI噪声问题的电路中使用很多IC，使得EMI噪声发射过程变得非常复杂。为了能够将EMI噪声现象说明得简单清楚，本章将通过使用2、3个C的实验电路示例来描述电路发射EM噪声的过程。
上传时间： 2022-07-06
上传用户：XuVshu
开关电源中电磁干扰的抑制
上传时间： 2022-07-20
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该文档为电源纹波抑制器的原理与设计总结文档如何 降低 ＡＣ．ＤＣ 和 ＤＣ—ＤＣ 变换器输 出电压 中的纹波和噪声 ，是所有设计和使用该类 电源者较 为 关注的 问题之一 介 绍 了一种综合运 用有 源滤波和无 源滤波设计 电源纹波抑制 器的原 理和方法 。详 细叙述 了有 源低通 滤波的设计原理 、计算方法和采 用计 算机 仿真优化软件设 计无源低通滤 波器的元件 参数的思路与方 法。设 计制作 出的电源纹 波抑 制器具有体积 小、重量轻等特点 ，可 以从较 低的频率开始对 电源中的纹波和噪声进行 有 效的抑 制 ，从 而使得 电源变换 器输 出电压 中的纹波满足许 多要求较 高的应 用场合 。
上传时间： 2022-07-26
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