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射频通信

在电子学理论中,电流流过导体,导体周围会形成磁场;交变电流通过导体,导体周围会形成交流变化的电磁场,称为电磁波。而射频就是射频电流(简称RF),它是一种高频交流变化电磁波的简称。当电磁波频率高于100kHz时,电磁波可以在空气中传播,并经大气层外缘的电离层反射,形成远距离传输能力,我们把这种具有远距离传输能力的高频电磁波称为射频。射频通信,即是利用了射频进行信息传输,是一种无线通信方式。
  • GPS接收机射频前端电路原理与设计.

    [摘要]在天线单元设计中采用了高频、低噪声放大器,以减弱天线热噪声及前面几级单元电路对接收机性能的影响;基于超外差式电路结构、镜频抑制和信道选择原理,选用G P2010芯片实现了射频单元的三级变频方案,并介绍了高稳定度本振荡信号的合成和采样量化器的工作原理,得到了导航电文相关提取所需要的二进制数字中频卫星信号。[被屏蔽广告]关键词:GPS接收机灵敏度超外差锁相环频率合成利用GPS卫星实现导航定位时,用户接收机的主要任务是提取卫星信号中的伪随机噪声码和数据码,以进一步解算得到接收机载体的位置、速度和时间(PVT)等导航信息。因此,GPS接收机是至关重要的用户设备。目前实际应用的GPS接收机电路一般由天线单元、射频单元、通信单元和解算单元等四部分组成,如图1所示。本文在分析GPS卫星信号组成的基础上,给出了射频前端GP2010的原理及应用。1GPS 卫星信号的组成GPS卫星信号采用典型的码分多址(CDMA)调制技术进行合成(如图2所示),其完整信号主要包括载波、伪随机码和数据码等三种分量。信号载波处于L波段,两载波的中心顿率分别记作L1和1.2,卫星信号参考时钟频率f0为10.23MHz,信号载波L1的中心频率为ro的154倍频,即:fL.1=154×f0-1575,42MHz(1)其波长A 1-19.03cm:信号载波12的中心频率为f0的120倍频,即:fL.2-120X f0-1227.60M1z(2)其波长A 2-24.42cm.两载波的频率差为347.82M1z,大约是12的28.3%,这样选择载波频率便于测得或消除导航信号从GPS卫星传播至接收机时由于电离层效应而引起的传播延迟误差,伪随机噪声码(PR N)即测距码主要有精测距码(P码)和粗测距码(C/A码)两种。其中P码的码率为10.23M12、C/A码的码率为1.023MHz。数据码是GPS卫星以二进制形式发送给用户接收机的导航定位数据,又叫导航电文或D码,它主要包括卫星历、卫星钟校正、电离层延迟校正、工作状态信息、C/A码转换到捕获P码的信息和全部卫星的概略星历:总电文由1500位组成,分为5个子帧,每个子帧在6s内发射10个字,每个字30位,共计300位,因此数据码的波特率为50bps.

    标签: gps 接收机 射频前端

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:zhaiyawei

  • 射频无线接收发射系统设计

    【摘要】HP3射频接收发组件比前一代提供了更完整的兼容性等改进。适用于低成本、高性能的902-928MHz频带的无线传输模拟或数字信号的收发。所有HP3系列模块都具有8位串行通信功能,目前也新增了高达100位的。引脚和封装兼容所有前几代,但其总的物理尺寸也有所减少。现存贴片式和直插式两种。理想情况下,HP3收发组件能够确定一个长达1000英尺可靠的传输模拟和数字信号的信道。如同所有的Linx模块,HP3无需调整或补充射频元件(天线除外),即使没有经验的射频工程师也能自如运用。【关键词】HP3射频收发封装一、引言随着科技的飞速发展,通信已经是最为迫切发展的热门行业。而现代通信正向着无线通信技术的方向发展。无线收发系统的设计成为了现代通信领域里的一大高端课题,无论短距离无线收发还是远距离无线收发都有待进一步发展。本收发系统有主要由TXM-900-HP3,RXM-900-HP3两芯片构成,之所以选择这两款芯片是因为它们具有较高的性能,价格低廉,而且无需复杂的外部电路应用简单等诸多优点。下面我们来一起了解一下这两款芯片,从而了解本系统。

    标签: 射频 无线接收发射系统

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:wangshoupeng199

  • 手机射频测试指导

    目前国家对手机的质量问题越来越重视,公司对于手机质量的客户满意度和返修率也-致关注。其中,GSM手机的射频问题仍然是一个影响手机质量、开发进度和生产效率的重要因素。为了保证产品的品质和性能符合GSM规范和国家标准,需要在手机测试方面建立一套完整、科学的测试体系,为此我们参照GSM规范欧洲标准、国家邮电部移动通信技术规范、国家信息产业部通信行业标准以及日常积累的测试经验编写了这份射频测试规程。本规范的目的是针对研发阶段的GSM手机提供一个较全面测试和校准的指标依据,尽量保证研发阶段GSM手机的点测指标满足FTA,CTA与批量生产点测指标要求,使手机的射频问题尽可能在研发阶段暴露出来并在量产前解决,同时为评估手机的RF点测性能、指标余量、一致性、稳定性提供参考依据,另外为不熟悉测试的新员工提供一些指导。本文主要内容包括射频指标术语解释,发射机和接收机部分射频指标的测试方法,测试结果,测试参考标准等,最后还给出了指标超标的一般分析。1于我们射频知识与经验有限,不足之处请指导

    标签: 射频测试

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:kingwide

  • 射频连接器设计和测试技术研究

    为满足信息技术发展的需要,在信息传输中起连接作用的关键元件-射频同轴连接器呈现向小型化、高频率、大功率和高可靠性发展的趋势,特别是通信基站用射频连接器,在电压驻波比、射频泄漏、功率容量等方面还有较高的要求。本课题首先就射频连接器设计中的关键理论和技术进行了分析和论证,重点就传输线方程及其解,传输线的工作状态做出了阐述。目前国内对射频连接器的s参数仿真技术研究较少,有鉴于此论文对射频连接器的Ansoft HFSS仿真进行了研究,诸如电K度,反射损失,插入相位及如何通过评估TDR降低s,,不连续电容及电感的补偿等。由于SMA连按器使用范围广,其结构具有一定的通用参考价值,论文在上述仿真研究的基础上,计算和设计了标准尺寸的SMA射频连接器中心导体常用的倒扣和滚花补偿尺寸,使回损提高了10-15B,对于SMA系列连接器的设计,具有较好的实际参考价值。在Ansoft HFSS中,不仅对s参数仿真进行了研究。还采用专门用于功率仿真的模块Ephysics,研究了不同的负载和散热条件,仿真射频连接器的温度分布,找出系统耐热薄弱点以便分析改进。

    标签: 射频连接器

    上传时间: 2022-06-20

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  • WCDMA基站射频电路及天线的设计

    随着个人通信和移动通信技术在世界范围内的迅猛发展,人们对移动通信的服务质量要求也越来越高.WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)作为第三代移动通信系统的三大标准之一,因为具有优良的通信质量和较高的频谱利用率而被广泛应用.在WCDMA接收机中,射频前端电路占有重要的地位,其性能优劣直按影响着接收机的接收灵敏度以及后继信号处理部分的性能.因此,进行WCDMA射频电路的研究和设计具有重要的现实意义.天线和低噪声放大器(LNA)是射频(RF)接收机芯片的重要组成部分。本文在广泛查阅国内、外参考文献的基础上,对微带天线的宽频带技术和LNA的设计原理进行了深入地研究.综合多种宽频带技术,本文采用L形探针馈电与双E形槽贴片相结合的方法,提出了一款适合于WCDMA基站的宽频带微带天线结构。利用电磁仿真软件HFSS对该天线的性能进行了研究,研究了天线贴片尺寸对天线性能的影响。在此基础上,优化设计了适用于WCDMA基站的宽频带微带天线,并对其进行了加工、测试和分析,仿真和测试结果均表明,该天线-10dB回波损耗带宽为520MHz,天线在2GHz的增益为7.88dBi,满足WCDMA基站的要求.另外,本文还根据WCDMA基站对LNA性能的要求,利用仿真软件ADS(Advanced Design System)设计了一款高线性的两级平衡低噪声放大器,给出了电路原理图,并制作了版图,结果表明,该低噪声放大器在1.92GH2~1.98GHz频段增益不低于30dB,噪声系数小于1dB,满足WCDMA的要求,具有一定的实用价值。

    标签: wcdma 基站 射频电路 天线

    上传时间: 2022-06-20

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  • FDD+LTE基站收发模块射频性能测试与调试.

    随着现代移动通信系统在全球商用化的快速推进与蓬勃发展,以及通信系统日益增长的高速多媒体数据业务需求,新一代移动通信系统需要更多更先进的技术来实现更高的传输速率和系统容量,目前世界各国已将研究重点转入第四代移动通信系统的研究和开发。第三代合作伙伴计划(3GPP)通用移动通信系统技术的长期演进(LTE)作为第四代移动通信系统的主要研究技术方向,具有高速率、高系统容量、良好兼容性、应用更多先进技术等特点。基站收发机在移动通信系统中特别是LTE基站中起着十分重要的作用,也是基站重要功能组成部分之一。收发机的射频性能直接决定了基站通信质量以及能否正常运行,在正常使用过程中,基站与其他通信设备之间是否互相影响与相互间是否造成干扰也是收发机射频应用部分重点关注的问题之一。本课题将通过完成基站射频收发机项目的研发和应用,包括频分双工(FDD)LTE基站射频系统测试与调试,对射频收发模块关键技术指标与电路进行研究,对收发链路重要参数进行说明,并分析测试原理与意义,介绍测试系统与平台、测试方法和技术要点。在本文研究过程中,主要包括三个方面的工作:1)介绍FDD LTE基站收发模块系统的基本结构,并对其关键技术进行研究,比如收发射频链路,数字预失真等。

    标签: fdd lte 基站

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:fliang

  • 射频卡协议iso14443中文版

    讲术了射频卡的应用规范和通信协议等。有助于开发者对射频卡有全面认识。

    标签: 射频卡 iso14443

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:wangshoupeng199

  • 无线局域网接收机射频前端集成电路设计

    近年来,随着个人数据通信的发展,功能强大的便携式数据终端和多媒体终端得到了广泛的应用。为了实现用户在任何时间、任何地点均能实现数据通信的目标,要求传统的计算机网络由有线向无线、由固定向移动、由单一业务向多媒体发展,这一要求促进了无线局域网技术的发展。在互联网高速发展的今天,可以认为无线局域网将成为未来的发展趋势.本课题采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现用于IEEE 802.1la协议的5GHz无线局域网接收机射频前端集成电路一包括低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)和下变频器电路(Downconverter),低噪声放大器是射频接收机前端的主要部分,其作用是在尽可能少引入噪声的条件下对天线接收到的微弱信号进行放大。下变须器是接收机的重要组成部分,它将低噪声放大器的输出射频信号与本振信号进行混频,产生中频信号。论文对射频前端集成电路的原理进行了分析,比较了不同电路结构的性能,给出了射频前端集成电路的电路设计、版图设计、仿真结果和测试方案,仿真结果表明,此次设计的射频前端集成电路具有低噪声、低功耗的特点,其它性能也完全满足设计指标要求

    标签: 无线局域网 接收机

    上传时间: 2022-06-20

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  • 射频IC MFRC522在智能仪表中的应用

    1引言由于环境温度、湿度、油污等外界条件对诸如预付费水表、预付费燃气表、预付费热量表等接触式卡表的影响明显,卡座磨损、腐蚀,以及潮气、灰尘等大大缩短了对卡表的使用寿命,因此非接触卡表已成为当前发展趋势。这里给出了一种基于射频器件MFRCS22"的智能仪表设计,提高了智能仪表的使命寿命。2 MFRC522简介2.1 MFRC522的特点MFRC522采用串行通信方式与主机通信,可根据用户需求,选用SPIPC或串行UART工作模式,有利于减少连线,缩小PCB板面积,降低成本。MFRC522主要特点如下:高度集成的调制解调电路,采用少量外部器件,即可将输出驱动级接至天线;支持ISO/EC 14443 TypeA接口和MIFARE通信协议;支持多种主机接口:10 Mbitls的SPI接口;PC接口,快速模式的速率为400 Kbit/s,高速模式的速率为3400 Kbitls;串行UART,传输速率可以高达1 228.8 kbits,取  RS232 口;特有的发送器掉电机制可关团内部天线驱动器,即关闭RF场,达到低功耗;内置温度传感器,在过热时自动停止RF发射;独立的多组电源供电,避免相互干扰,优化EMC特性和信号退构性能;25 V-3.6 V的低压、低功耗,采用5 mmx5mmx0.85 mm的超小型HVQFN32封装。

    标签: 射频 ic mfrc522 智能仪表

    上传时间: 2022-06-20

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  • 射频功率放大器集成电路研究

    射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要,因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOS工艺的功率输出能力不大,很难应用于高输出功率的场合;而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间,价格相对低廉并和CMOS电路兼容,非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现,分别使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三种工艺.(1)由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz,采用了两级共源共栅电路结构,在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右,1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面积为1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz,分为前置推动级和末级功率级,电源电压为3.3V,仿真结果为小信号增益28dB左右,1dB压缩点处输出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大饱和输出功率为29.5dBm,芯片面积为1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz,使用了三级功率放大器结构,在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%,芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程,对三种工艺实现的功率放大器进行了对比,并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

    标签: 射频功率放大器 集成电路

    上传时间: 2022-06-20

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