一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅 ”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
标签： 双向可控硅实用电路500例
上传时间： 2015-05-07
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高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小，功耗的不断降低，要求 供电电压也越来越低，而输出电流则越来越大。 z 电源本身的高输出电流、低成本、高频化（ 500kHz～1MHz）高 功率密度、高可靠性、高效率的方向发展。 z 在低电压、大电流输出DC-DC变换器的整流管，其功耗占变换器 全部功耗的50～60％。 z用低导通电阻MOSFET代替常规肖特基整流/续流二极管，可以大大 降低整流部分的功耗，提高变换器的性能，实现电源的高效率，高功 率密度。
标签： 同步整流技术
上传时间： 2015-11-18
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SVPWM 宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
标签： svpwm
上传时间： 2019-07-09
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场效应管的驱动输出是一个比较常见的问题。虽然场效应管导通电阻比晶体管要低很多很多，但要让它完全导通与关闭并不简单。比较简单的驱动办法是用专门的集成电路。美国IR2110芯片系常用的双通道驱动场效应管的集成芯片。设计为高、低双通道驱动输出。本电路不同点在于舍去了低通道驱动输出，采用高通道独立驱动场效应管输出的电路接法。这种驱动电路并不常见。但应用领域还是比较广泛的，
上传时间： 2020-05-02
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BUCKBOOST电路原理分析uck变换器：也称降压式变换器，是一种输出电压小于输入电压的单管不隔离直流变换器。 图中，Q为开关管，其驱动电压一般为PWM(Pulse、width、modulation脉宽调制)信号，信号周期为Ts，则信号频率为f=1/Ts，导通时间为Ton，关断时间为Toff，则周期Ts=Ton+Toff，占空比Dy=、Ton/Ts。 Boost变换器：也称升压式变换器，是一种输出电压高于输入电压的单管不隔离直流变换器。 开关管Q也为PWM控制方式，但最大占空比Dy必须限制，不允许在Dy=1的状态下工作。电感Lf在输入侧，称为升压电感。Boost变换器也有CCM和DCM两种工作方式 Buck/Boost变换器：也称升降压式变换器，是一种输出电压既可低于也可高于输入电压的单管不隔离直流变换器，但其输出电压的极性与输入电压相反。Buck/Boost变换器可看做是Buck变换器和Bo
上传时间： 2021-10-18
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电路主要包括以下七个单元电路：正弦波产生电路、正弦波放大及电平变换电路、峰值检测电路、增益控制电路、三角波产生电路、比较电路、低通滤波电路。正弦波产生电路采用文氏桥正弦波振荡电路，由放大电路、反馈电路（正反馈）、选频网络（和反馈电路一起）、稳幅电路构成，它的振荡频率为：f=1/(2Π*RC)，由R4和C1构成RC并联振荡，产生正弦波，与R5和C2构成选频网络，同时R5和C2又构成该电路的正反馈；稳幅电路是由该电路的负反馈构成，当振幅过大时，二极管导通，R3短路，Av=1+（R2+R3）/R1减小，振幅减小，反之Av=1+（R2+R3）/R1增大，振幅增大，达到稳幅效果，从而保证正弦波的正常产生。正弦波放大及电平变换电路由R10，R7分别与R15滑动电阻部分相连，通过滑动R15来分VCC和VEE的电压，通过放大器正相来抬高或降低正弦波来达到特定范围内的幅值，滑动电阻R6与地相连，又与放大器反相端相连，滑动R6分压来改变振幅，后又由R9和R8构成反馈来达到放大的效果，从而达到正弦波放大及电平变化的目的。峰值检测电路是由正弦波放大及电平变换电路产生的正弦波送入电压跟随器的正相端，通过两个反向二极管后再连电容，快速充放电达到峰值，然后再送回正弦波放大及电平变换电路的反相端，构成负反馈，达到增益稳幅控制效果三角波产生电路主要由两个NPN型三极管Q3Q4，一个PNP型三极管Q2，两个电容C3C4，两个非门，一个滑动电阻R16组成，通过充放电后经过非门产生三角波。比较电路产生的正弦波送入放大器的正相端，产生的三角波送入放大器的反相端，通过作差比较产SPWM波，后又经过由R22和C8组成的低通滤波电路，还原正弦波。
上传时间： 2021-10-30
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了导通电阻很低，还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%，对此我们非常感兴趣。此次，想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先，请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装，采用这种封装的背景和目的是什么。首先，采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法，近年来发布了一种4引脚的新型封装，即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外，另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通过采用最新的沟槽栅极结构，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采用4引脚封装，进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能，并降低开关损耗。那么，我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先，什么是“驱动器源极引脚”？驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式，在电流路径基础上加上两条测量电压的线路，以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法，是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极，通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除ID对栅极驱动电路的影响。
上传时间： 2021-11-07
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随着开关电源的发展，软开关技术得到了广泛的发展和应用，已研究出了不少高效率的电路拓扑，主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来，随着半导体器件制造技术的发展，开关管的导通电阻，寄生电容和反向恢复时间越来越小了，这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。对于谐振变换器来说，如果设计得当，能实现软开关变换，从而使得开关电源具有较高的效率。LLC谐振变换器实际上来源于不对称半桥电路，后者用调宽型(PWM)控制，而LLC谐振是调频型（PFM）。
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上传时间： 2021-11-25
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开关电源中的开关管从导通到截止，严格来说是一个非常复杂的过程，但我们在进行工作原理分析的时候，一般都会先对一些非主要问题进行简单化。例如，当电源开关管导通或截止的时候，我们就把它看成是一个理想的开关，其工作时只有两种状态，通或断。但实际上开关管的导通和关断都是一个很复杂的过程，它除了通或断之外，还有一个在高频时不能忽视的问题，就是开关管导通时，是从截止区到放大区，然后再由放大区到饱和区的工作过程。这个工作过程需要用微分方程才能求解，在这里我不想对你介绍得太复杂。
标签： 开关电源
上传时间： 2021-12-04
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