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  • 苏泊尔C21S02-B电磁炉电路图

    苏泊尔C21S02-B电磁炉电路图,红线标注,重点模块说明!

    标签: 21 02 苏泊尔 电磁炉电路图

    上传时间: 2013-06-22

    上传用户:huangzr5

  • 变频器原理与应用教程

    ·作    者: 三菱电机株式会社 I S B N: 7118019917 页    数: 176 开    本: 大16开 封面形式: 简裝本 出 版 社: 国防工业出版社   本社特价书  出版日期: 2001-7-1 定    价: 40元 变频器原理与应用教程 内容简介本书

    标签: 变频器原理 应用教程

    上传时间: 2013-08-01

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  • ADS-B接收机DIY全套资料

    制作基于PIC Mcu 的ADS-B接收机的全套资料,包括SCH、PCB、源码和PC端软件。

    标签: ADS-B DIY 接收机

    上传时间: 2013-04-24

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  • genesis9.0算号器_算号器视频文件

    genesis9.0算号器提供genesis算号器使用视频。安装文件一定要放在小写英文路径下,中文不行,有大写字母的英文也不行。1.算号器的只是算gnd的号,要算get的号,需要参考算号器的步骤。注意选择破解有效时间。2.7天过期,30天过期,永不过期等。注意要用自己机器识别号去算,在get运行弹出来的序号对话框里,有机器识别号。3.安装完成,启动时,填写进入用户名和密码时,一定不能用鼠标。直接用回车键,否则失效。密码框内的密码不可见,输完直接回车,即可进入genesis界面。

    标签: genesis 9.0 算号器 视频

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:swaylong

  • 2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路

    2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.

    标签: 2012 TI 频率补偿电路

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:ysystc670

  • 磁芯电感器的谐波失真分析

    磁芯电感器的谐波失真分析 摘  要:简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB,从而降低总谐波失真THD的历史过程,分析了诸多因数对谐波测量的影响,提出了磁心性能的调控方向。 关键词:比损耗系数, 磁滞常数ηB ,直流偏置特性DC-Bias,总谐波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年来,变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家,在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上,进行了深入的探讨和广泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施,促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。  一、 历史回顾 总谐波失真(Total harmonic distortion) ,简称THD,并不是什么新的概念,早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17-78“载波用铁氧体罐形磁心”中,规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示,利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法,专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统,其非线性失真有很严格的要求。  图中  ZD   —— QF867 型阻容式载频振荡器,输出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通滤波器,阻抗 150Ω,阻带衰耗大于61dB,       Lg88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 选频电平表,输入高阻抗, L ——被测无心罐形磁心及线圈, C  ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时,所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝, (线架为一格) , 其空心电感值为 318μH(误差1%) 被测磁心配对安装好后,先调节振荡器频率为 36.6~40KHz,  使输出电平值为+17.4 dB, 即选频表在 22′端子测得的主波电平 (P2)为+17.4 dB,然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平(P3), 则三次谐波衰耗值为:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 为放大器增益dB 从以往的资料引证, 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作,其中测量系统的高、低通滤波器,信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严,阻抗必须匹配,薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成,以保证本身的“洁净” ,不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求, 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初,1409 所和四机部、邮电部各厂,从工艺上改变了推板空气窑烧结,出窑后经真空罐冷却的落后方式,改用真空炉,并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料,在此基础上,还实现了高μ7000~10000材料的突破,从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM(频率划分调制)向PCM(脉冲编码调制) 转换时期, 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ,100KHz)的超优铁氧体材料<3>,其磁滞系数降为优铁

    标签: 磁芯 电感器 谐波失真

    上传时间: 2014-12-24

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  • 浩辰CAD 2012专业版下载

    附件附带破解补丁 浩辰CAD 2012专业版破解方法: 按正常安装浩辰CAD 2012专业版,点击安装KeyGen.exe。 浩辰CAD2012,以增强软件实用性、易用性为主要目标,新增了大量实用功能,改进了着色、消隐的正确性,提升了大幅面光栅图像处理的性能,同时改进了LISP\VBA二次开发接口的正确性和兼容性。 浩辰CAD 2012根据国内外用户的需求,增加了大量实用功能,例如动态块、DWF文件插入、隔离隐藏对象、转换EXCEL表格、块属性管理器、放样、超级填充等。 浩辰cad2012新增功能: 1、动态块(bedit)      动态块具有灵活性和智能性。 用户在操作时可以轻松地更改图形中的动态块参照。 可以通过自定义夹点或自定义特性来操作动态块参照中的几何图形。   a)通过设置图块中元素的可见性,一个图块中可以包含一种图形的多种形态,如下图的汽车模块就包含跑车、轿车和卡车的各向视图,只需在可见性列表中选择一个选项,就可以显示相应的图形。   还可对图块中的图形设置参数和动作,可对图块的整体或部分图形进行移动、旋转、翻转、缩放、阵列等;并可建立查询列表,对图块进行参数化控制。通过图块的动作设置,一个图块可以派生出数个图块,如下图所示:   2、DWF参考底图(dwfattach)      可以将dwf文件插入到当前图中作为参考底图,并可以捕捉到底图的端点、中点,如下图所示:   3、对象隔离、对象隐藏、取消对象隔离      可将选择的对象暂时隐藏,也可将选择对象以外的其他所有对象隐藏。当图中对象较多,利用此命令可以简化图纸,方便后续操作,操作起来比图层隔离更加简便、直观。   4、冻结其它图层和锁定其它图层      浩辰CAD 之前版本提供了图层隔离的功能,冻结其他图层和锁定其它图层与图层隔离功能类似,可以通过选择需要显示或可编辑对象,将其他图层进行冻结和锁定。      5、CAD表格转EXCEL表格      可以直接选择CAD中由直线、多段线和单行文字、多行文字组成的表格输出为EXCEL表格。   6、文字递增      可以对序号、编号、数值进行递增复制,间距、数量和增量均可随心所欲地控制。   7、多段线布尔运算      可直接对封闭的多段线进行差并交计算,无需转换面域,有时比修剪更简便。   8、拼写检查(spell)      此功能实现对用户输入的单词或文章进行单词校验,提示匹配的单词列表,方便用户进行正确的单词填写工作。可以实现不同语言的单词校验工作,包括英文,德文,等8种语言。      可以对全部实体(包括布局,模型中的所有实体)进行校验。      可以分别对布局或模型中的实体进行校验。      可以单独对一个实体或一个选择集进行校验。      方便用户自定义词典。      兼容的自定义词典。      支持文字,块内文字,块属性,属性,标注的校验。      9、放样(Loft)      通过对包含两条或者两条以上的横截面曲线的一组曲线进行放样(绘制实体或曲面)来创建三维实体或曲面。   10、块属性管理器(battman)      创建带属性的块后,执行 battman 对块中属性定义进行查询和修改,如果将修改应用到所有块参照,则对应块的块参照中属性实体也会做对应修改。   11、超级填充(superhatch)      超级填充命令有点像hatch命令,不同的是,可以使用该命令将光栅图像、块、外部参照和擦除这些实体作为填充实体对闭合区域进行填充。   12、线上写字      可以在选择线上书写文字,线会被自动打断,文字会放到线中间。 ◆ 重要功能改进      1、超链接      浩辰CAD 2012版的超链接不仅修改了以前存在的一些错误,而且提供了更为丰富的功能。   a)支持web链接的浏览和连接的设置。      b)支持打开操作系统可打开的所有文件。      c)支持dwg图纸的视图定位。      d)支持超链接的复制粘贴。      e)可以通过鼠标光标状态来判断是否存在链接,方便用户判断是否存在链接。      f)可以通过ctrl+鼠标点击打开设置的文件,方便用户的操作。      g)可以通过右键打开块内实体的链接。      2、光栅图像      浩辰CAD 2012版不仅增加了图像格式的支持,同时提升了大分辨率光栅图像的插入、显示和打印的效果和速度。   a) 增加了对多种图像格式的支持,诸如:CALS-1(*.cal,*.mil,*.rst,*.cg4)、RLC、GEOSPORT(.bil)、PICT(.pct/.pict)、IG4、Autodesk Animator(.fil/.flc)。      b) 内存使用问题,可以插入多张图片,内存不会增加。      c) 光栅图像打印问题(不清晰)。      d) 插入大图像时,预览速度大幅提升。      3、二次开发改进      浩辰CAD 2012版针对二次开发商和用户提出的一些LISP及VBA与AutoCAD存在的兼容性问题进行了系统梳理,兼容性有明显提升,此外还针对国外二次开发商的需求开发了Lisp调试器。      a) Lisp改进      处理了线程问题、命令范围值问题、VLX解析问题,对Lisp程序执行速度进行了优化。      b) VBA改进      处理了VBA的文档管理、接口不全、接口错误、类派生关系错误问题。      c) Lisp调试器      用户在使用浩辰CAD时,由于LISP与AutoCAD不完全兼容,用户需要一个工具进行调试,以协助用户解决及分析报告LISP问题。此系统以完成调试功能为主,不处理词法分析前的映射。适用于中级以上开发用户。

    标签: 2012 CAD 浩辰

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:giraffe

  • 基于脉冲变压器的总线式RS485隔离器

    为简化总线式RS485隔离器的设计,提出基于脉冲变压器的总线式RS485隔离器的技术方案。该方案具有简单实用、无需电源、无需考虑数据流向、在有限范围内波特率自适应、底层用户群体易于理解和掌控等特点。给出了基本实验电路和脉冲变压器的主要设计依据。基于脉冲变压器的总线式RS485隔离器,尤其适合工业环境下半双工的A、B两线制RS485通信网的升级改造,其基本思想也适用于全双工的W、X、Y、Z四线制RS485/RS422通信网。

    标签: 485 RS 脉冲变压器 总线式

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:lizx30340

  • 38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器

    38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器 随着电力电子技术的发展,电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域,涉及到国民经济各行各业。特别是近年来,随着IGBT的广泛应用,开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率,高性能的开关电源成为趋势。某电源系统要求输入电压为AC220V,输出电压为DC38V,输出电流为100A,输出电压低纹波,功率因数>0.9,必要时多台电源可以直接并联使用,并联时的负载不均衡度<5%。   设计采用了AC/DC/AC/DC变换方案。一次整流后的直流电压,经过有源功率因数校正环节以提高系统的功率因数,再经半桥变换电路逆变后,由高频变压器隔离降压,最后整流输出直流电压。系统的主要环节有DC/DC电路、功率因数校正电路、PWM控制电路、均流电路和保护电路等。 1 有源功率因数校正环节 由于系统的功率因数要求0.9以上,采用二极管整流是不能满足要求的,所以,加入了有源功率因数校正环节。采用UC3854A/B控制芯片来组成功率因数电路。UC3854A/B是Unitrode公司一种新的高功率因数校正器集成控制电路芯片,是在UC3854基础上的改进。其特点是:采用平均电流控制,功率因数接近1,高带宽,限制电网电流失真≤3%[1]。图1是由UC3854A/B控制的有源功率因数校正电路。   该电路由两部分组成。UC3854A/B及外围元器件构成控制部分,实现对网侧输入电流和输出电压的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件构成Boost升压电路。开关管V选择西门康公司的SKM75GB123D模块,其工作频率选在35kHz。升压电感L2为2mH/20A。C5采用四个450V/470μF的电解电容并联。因为,设计的PFC电路主要是用在大功率DC/DC电路中,所以,在负载轻的时候不进行功率因数校正,当负载较大时功率因数校正电路自动投入使用。此部分控制由图1中的比较器部分来实现。R10及R11是负载检测电阻。当负载较轻时,R10及R11上检测的信号输入给比较器,使其输出端为低电平,D2导通,给ENA(使能端)低电平使UC3854A/B封锁。在负载较大时ENA为高电平才让UC3854A/B工作。D3接到SS(软启动端),在负载轻时D3导通,使SS为低电平;当负载增大要求UC3854A/B工作时,SS端电位从零缓慢升高,控制输出脉冲占空比慢慢增大实现软启动。 2 DC/DC主电路及控制部分分析 2.1 DC/DC主电路拓扑 在大功率高频开关电源中,常用的主变换电路有推挽电路、半桥电路、全桥电路等[2]。其中推挽电路的开关器件少,输出功率大,但开关管承受电压高(为电源电压的2倍),且变压器有六个抽头,结构复杂;全桥电路开关管承受的电压不高,输出功率大,但是需要的开关器件多(4个),驱动电路复杂。半桥电路开关管承受的电压低,开关器件少,驱动简单。根据对各种拓扑方案的工程化实现难度,电气性能以及成本等指标的综合比较,本电源选用半桥式DC/DC变换器作为主电路。图2为大功率开关电源的主电路拓扑图。

    标签: 100 38 AC DC

    上传时间: 2013-11-13

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  • 80C51特殊功能寄存器地址表

    /*--------- 8051内核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0;             //累加器 sfr B = 0xF0;  //B 寄存器 sfr PSW    = 0xD0;           //程序状态字寄存器 sbit CY    = PSW^7;       //进位标志位 sbit AC    = PSW^6;        //辅助进位标志位 sbit F0    = PSW^5;        //用户标志位0 sbit RS1   = PSW^4;        //工作寄存器组选择控制位 sbit RS0   = PSW^3;        //工作寄存器组选择控制位 sbit OV    = PSW^2;        //溢出标志位 sbit F1    = PSW^1;        //用户标志位1 sbit P     = PSW^0;        //奇偶标志位 sfr SP    = 0x81;            //堆栈指针寄存器 sfr DPL  = 0x82;            //数据指针0低字节 sfr DPH  = 0x83;            //数据指针0高字节 /*------------ 系统管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON  = 0x87;           //电源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E;              //辅助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2;             //辅助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F;        //时钟输出和唤醒控制寄存器 sfr CLK_DIV  = 0x97;          //时钟分频控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1;        //总线速度控制寄存器 /*----------- 中断控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE     = 0xA8;           //中断允许寄存器 sbit EA    = IE^7;  //总中断允许位  sbit ELVD  = IE^6;           //低电压检测中断控制位 8051

    标签: 80C51 特殊功能寄存器 地址

    上传时间: 2013-10-30

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