填写要求 一、以word文档格式如实填写各项。二、表格文本中外文名词第一次出现时，要写清全称和缩写，再次出现时可以使用缩写。三、涉密内容不填写，有可能涉密和不宜大范围公开的内容，请在“其他说明”栏中注明。四、除课程负责人外，根据课程实际情况，填写1～3名主讲教师的详细信息。五、本表栏目未涵盖的内容，需要说明的，请在“其他说明”栏中注明。
标签： 单片机原理
上传时间： 2013-10-27
上传用户：q3290766
普通单片机读写U盘使用指南
上传时间： 2013-10-23
上传用户：ayfeixiao
µPSD3251标准的8032内核－3个16位定时器/计数器－2个外部中断双FLASH结构－64K字节MainFLASH－16K字节SecondFLASH－2K字节的SRAM－可编程逻辑-DPLD，CPLD－提供I2C，UART接口，PWM，ADC－提供更多的I/O口－高达50根I/O口线内置WDT在系统编程（ISP）在应用中再编程（IAP）·PSD结构提高了8051的性能·-可编程系统外围芯片·-双FLASH实现在应用中再编程（IAP）·-允许8051程序代码和数据在存储器间的切换，满足用户的需要·-JTAG编程特别适用于实验开发和生产阶段的需要·高达288K字节的存储单元，为什么要这么大的存储单元·-使用C语言编程需要用较大的存储空间·-菜单、图形、显示类的用户接口要用到大量的存储空间·-多种语言、字体以及数据表需要大空间存储器·-要想数据转换速度快同样需要大量的存储单元·-数据记录·-低成本·-与其他的以8051或某种8位MCU为内核带有大容量的SRAM和Flash的设备相比，uPSD为用节省了成本
上传时间： 2013-10-09
上传用户：rocwangdp
当前，USB接口技术的应用已十分成熟和普遍，尤其是已FLASH作为存储介质的U盘更是带动了一个IT行业新的经济增长点。在整个IT经济相对低迷的情况下，U盘能脱身而出，独秀一枝，主要归功于其把握了好的行业方向：USB接口技术高速、稳定、即插即用，注定了是未来接口技术的主流；FLASH存储媒体稳定、可靠是新一代移动数据存储的首选。但美中缺憾的是现在的U盘都只能在PC上使用，许多其它需要直接进行数据存储和交换的地方却不能直接使用U盘。如数据采集和工控行业中诸多设备都还是利用软磁盘，以太网等方式。软盘稳定性差，容量小，以太网成本太高，移动性不好。所以要在工控和嵌入式行业中实现对U盘的读写是一件非常有意义和前景的事情。本开发板就是在传统的单片机单片机实现了对U盘的读写。本开发板的核心技术是USBHOST的实现，包括USB批量传输、海量存储、文件系统等协议内容较多，协议复杂，开发难度比较高。开发板的对象主要是面对二次开发和USB初步学习的朋友，提供所有硬件，源代码，开发文档和调试软件。使大家最快掌握这一核心技术，进入USB技术的天堂。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：jx_wwq
USB总线接口芯片CH375支持USB-HOST和USB-DEVICE，可以用于单片机读写U盘。本说明中的多数内容为建议性说明，而非强制性说明，建议的目的旨在提高最终产品的稳定性和可靠性，很多内容只是针对一般情况和大多数用户而言，而未考虑个别或者例外。本说明中列举了一些发生在某些品牌U盘上的怪现象，都是我们实际测试现象的描述，我们并没有以此评价U盘的优劣，因为实际上它们可能已经算是所有U盘中比较优秀的几种，而且，我们也不排除这仅仅是品牌U盘中的个别现象，只是正好被我们碰到而已。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：yuzsu
一、实验要求编制程序，对实验箱上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。二、实验目的掌握随机存储器的读写方法。三、实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。通过本实验了解单片机读写片外存储器的读写方法，并藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和调试程序的方法。2．ADuC831片内有2K字节XRAM，当堆栈不扩展使用时，片内XRAM占用外部数据存储空间的低2K字节，所以，寻址片外数据存储器时要大于2K字节空间。四、实验电路连线本实验不需要连线。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：liu999666
简介：HT24系列的EEPROM是通过I2C协议控制其读写的。HT49系列单片机的接口部分是简单I/O口，可以用来很方便地采用I2C协议控制周边器件。
上传时间： 2013-11-25
上传用户：lizhizheng88
M50X系列SAM卡读写模块采用高性能ASIC处理器基站;用户不必关心射频基站的复杂控制方法，只需通过简单的选定UART,IIC等接口发送命令就可以实现对卡片完全的操作。该系列读写模块支持装有实时卡片操作系统COS的SAM卡片及其兼容卡片。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：GeekyGeek
摘要：提出通过颜色法提取像素点的汉字点阵字模信息提取方法，给出基于VB6.0的系统控件设置及流程实现方法。与基于内码法的汉字点阵提取方法的比较结果表明，该方法能够方便地修改显示内容、字体及字号，丰富LED或LCD显示屏控制系统的字体显示效果，提高其工作效率。关键词：点阵显示；点阵字模提取；区位码
上传时间： 2013-10-19
上传用户：yt1993410
常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间： 2013-10-10
上传用户：wcl168881111111
