虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

外形尺寸

  • 交流电压,电流转换器

    交流电压,电流转换器 特点: 精确度0.25%满刻度(RMS) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,稳定性高 2:主要规格 精确度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大过载能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 输出反应时间: <250ms (0~90%) 输出负载能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 输出涟波: <0.1% F.S. 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行动测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波测试: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    标签: 交流电压 电流转换器

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:非衣2016

  • 微电脑型数学演算式隔离传送器

    特点: 精确度0.1%满刻度 可作各式數學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT类比输出功能 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟(input/output/power) 宽范围交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高

    标签: 微电脑 数学演算 隔离传送器

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:ydd3625

  • 3GHz射频信号源模块GR6710

    产品概要: 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块,可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出,具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述: 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块,可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出,还可以通过IQ选件实现其它任意调制输出。GR6710既可程控发生点频信号和扫频信号,也支持内部调制和外部调制。GR6710可安装于3U/6U背板上工作,也可以独立供电工作,使用灵活。该模块可用于通信测试、校准信号源。 技术指标 频率特性 频率范围:9kHz~3GHz,500KHz以下指标不保证 频率分辨率:3Hz,1Hz(载频<10MHz时) 频率稳定度:晶振保证 电平特性 电平范围:-110dBm~+10dBm 电平分辨率:0.5dB 电平准确度:≤±2.5dB@POWER<-90dBm,≤±1.5dB@POWER>-90dBm 输出关断功能 频谱纯度 谐波:9KHz~200MHz≥20dBc,200MHz~3GHz≥30dBc 非谐波:≤80dBc典型值(偏移10kHz,载频<1GHz),≥68dBc(偏移10kHz,其它载频), 锁相环小数分频杂散≥64dBc(偏移10kHz) SSB相噪: ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz(500MHz) ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz(1GHz) ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz(>1GHz) 调制输出:调幅AM、调频FM、脉冲CW,其它调制输出可以通过IQ选件实现 调制源:内、外 参考时钟输入和输出:10MHz,14dBm 控制接口:CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定义GPIO 射频和时钟连接器:SMA-K 电源接口:背板供电、独立供电 可选 电源及其功耗:+5V DC、±12V DC(纹波≤2%输出电压),≤38W 结构尺寸:3U高度4槽宽度(100mm×160mm×82mm,不含连接器部分) 工作环境:商业级温度和工业级温度 可选,振动、冲击、可靠性、MTBF 测控软件功能:射频信号发生、调制信号输出、跳频/扫频信号发生、支持WindowsXP系统 成功案例: 通信综测仪器内部的信号源模块 无线电监测设备内部的信号校准模块 无线电通信测试仪器的调制信号发生

    标签: 3GHz 6710 GR 射频信号源

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:s363994250

  • 电容的识别及读数

    电容尺寸及其容量大小的计算与识别

    标签: 电容的识别

    上传时间: 2013-11-07

    上传用户:star_in_rain

  • 电子元器件的封装尺寸

    元器件封装

    标签: 电子元器件 封装尺寸

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:zhyfjj

  • 利用传统旋钮接口控制AD5111

    数字电位计是机械电位计的最佳替代产品,因其具有小尺寸封装、更高可靠性、高精度和更小电压毛刺等优势。数字电位计可采用各种数字和手动接口。手动或按钮接口直接通过两个按钮开关进行控制, 例如AD5116或AD5228。按向上按钮可提高电阻,按向下按钮可降低电阻,如图1所示。

    标签: 5111 AD 旋钮接口 控制

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:wyiman

  • 基于Gabor小波的人脸表情特征提取研究

    为了使计算机能更好的识别人脸表情,对基于Gabor小波变换的人脸表情识别方法进行了研究。首先对包含表情区域的静态灰度图像进行预处理,包括对确定的人脸表情区域进行尺寸和灰度归一化,然后利用二维Gabor小波变换提取脸部表情特征,使用快速PCA方法对提取的Gabor小波特征初步降维。再在低维的空间中,利用Fisher准则提取那些有利于分类的特征,最后用SVM分类器进行分类。实验结果表明,上述提出的方法比传统的方法识别速度更快,能达到实时性的要求,并且具有很好的鲁棒性,识别率高。

    标签: Gabor 人脸 特征提取

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:小眼睛LSL

  • 共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较

    给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了共源共栅密勒补偿技术相对于直接密勒补偿技术的优越性.

    标签: 共源共栅 运放 补偿 比较

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:gengxiaochao

  • 高增益K波段MMIC低噪声放大器

      基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.

    标签: MMIC 增益 低噪声放大器 波段

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:masochism

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS 管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。

    标签: Construction Strategy ESD of

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:Aidane