可编程逻辑器件使用参考资料。 解答可编程器件使用中的常见问题。 供参考。
上传时间: 2013-05-19
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有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作为下一代显示器倍受关注,它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点,完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件,OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示,应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景,吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而,OLED也存在一些问题,特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标,除了器件的材料,结构设计外,封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料,从绿光OLED器件制作工艺、发光机理,结构和封装入手,首先,探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能;ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大,明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次,针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验,在光刻工艺中,光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素,其厚度在1.2μm左右时,光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺,摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺,实验一中,在封装玻璃的四周涂上UV胶,放入手套箱,在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶,真空下用紫外冷光源照射1min,固化进行二次封装。实验二中,在各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层,然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比,研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长,其中,Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍,Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多,Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍,研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后,分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间: 2013-07-11
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GAL器件的开发与应用.rar GAL器件的开发与应用.rar
上传时间: 2013-07-14
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本文提出了一种适合于嵌入式SoC的USB器件端处理器的硬件实现结构。并主要研究了USB器件端处理器的RTL级实现及FPGA原型验证、和ASIC实现研究,包括从模型建立、算法仿真、各个模块的RTL级设计及仿真、FPGA的下载测试和ASIC的综合分析。它的速度满足预定的48MHz,等效门面积不超过1万门,完全可应用于SOC设计中。 本文重点对嵌入式USB器件端处理器的FPGA实现作了研究。为了准确测试本处理器的运行情况,本文应用串口传递测试数据入FPGA开发板,测试模块读入测试数据,发送入PC机的主机端。通过NI-VISA充当软件端,检验测试数据的正确。
上传时间: 2013-07-24
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easy,51pro,3.0编程器在2.0的基础上增加了更多的芯片器件
上传时间: 2013-07-25
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I2C总线规范与I2C器件C51读写程序 本文简要介绍了I2C总线,并给出了I2C器件的C51读写程序,极大的方便了大家对I2C总线的学习和设计应用。程序设计采用模块化设计,方便
上传时间: 2013-06-22
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光电子器件模型与OEIC模拟 作者:陈维友;杨树人;刘式墉 本书是作者多年来在光电子器件电路模型和光电集成回路计算机辅助分析研究方面的工作总结。
上传时间: 2013-04-24
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FPGA是一种可通过用户编程来实现各种数字电路的集成电路器件。用FPGA设计数字系统有设计灵活、低成本,低风险、面市时间短等好处。本课题在结合国际上FPGA器件方面的各种研究成果基础上,对FPGA器件结构进行了深入的探讨,重点对FPGA的互连结构进行了分析与优化。FPGA器件速度和面积上相对于ASIC电路的不足很大程度上是由可编程布线结构造成的,FPGA一般用大量的可编程传输管开关和通用互连线段实现门器件的连接,而全定制电路中仅用简单的金属线实现,传输管开关带来很大的电阻和电容参数,因而速度要慢于后者。这也说明,通过优化可编程连接方式和布线结构,可大大改善电路的性能。本文研究了基于SRAM编程技术的FPGA器件中逻辑模块、互连资源等对FPGA性能和面积的影响。论文中在介绍FPGA器件的体系构架后,首先对开关矩阵进行了研究,结合Wilton开关矩阵和Disioint开关矩阵的特点,得到一个连接更加灵活的开关矩阵,提高了FPGA器件的可布线性,接着本课题中又对通用互连线长度、通用互连线间的连接方式和布线通道的宽度等进行了探讨,并针对本课题中的FPGA器件,得出了一套适合于中小规模逻辑器件的通用互连资源结构,仿真显示新的互连方案有较好的速度和面积性能,在互连资源的面积和性能上达到一个很好的折中。 接下来课题中对FPGA电路的可编程逻辑资源进行了研究,得到了一种逻辑规模适中的粗粒度逻辑块簇,该逻辑块簇采用类似Xilinx 公司的FPGA产品的LUT加触发器结构,使逻辑块簇内部基本逻辑单元的联系更加紧密,提高了逻辑资源的功能和利用率。随后我们还研究了IO模块数目的确定和分布式SRAM结构中编程电路结构的设计,并简单介绍了SRAM单元的晶体管级设计原理。最后,在对FPGA构架研究基础上,完成了一款FPGA电路的设计并设计了相应的电路测试方案,该课题结合CETC58研究所的一个重要项目进行,目前已成功通过CSMC0.6μm 2P2M工艺成功流片,测试结果显示其完全达到了预期的性能。
上传时间: 2013-04-24
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半导体器件物理基础 电子入门到精通
上传时间: 2013-04-24
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·单片机外围器件实用手册存储器分册
上传时间: 2013-04-24
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