专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-T-249-1989-半导体分立器件型号命名方法.pdf
上传时间： 2013-06-06
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专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-T-12560-1990-半导体器件-分立器件分规范-可供认证用-.pdf
上传时间： 2013-06-12
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单片机外围器件实用手册丛书,学习单片机的兄弟们能用的上了.
上传时间： 2013-05-18
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直接转矩控制技术(DTC)是继矢量控制技术之后交流调速领域中新兴的控制技术，它采用空间矢量分析的方法，直接在定子坐标系下计算并控制异步电机的转矩和磁链，采用定子磁场定向，直接对逆变器的开关状态进行最佳控制，从而能够快速而准确地控制异步电动机的转矩和磁链，以获得转矩的高动态性能。目前在高速离心机行业，普遍采用通用型变频器，其通用性好，但参数较多，价格较贵，为了降低成本增强控制性能，本文利用直接转矩控制技术的优点，采用直接转矩控制策略设计并制作了针对高速离心机的专用变频器。 本文介绍了异步电动机和逆变器的基本数学模型，分析了异步电机直接转矩控制的基本原理，以及直接转矩控制系统的基本组成，对直接转矩控制系统进行了仿真研究，建立了基于MATLAB/Simulink的仿真系统，介绍了仿真模型的各组成部分，包括3/2变换、定子磁链、电机转矩观测模型、转矩调节器、磁链调节器、扇区判断、开关表选择等，给出了系统加减负载和加减转速仿真结果，仿真结果表明了其磁链轨迹近似为圆形，系统具有良好的动态和稳态性能，同时证明了建立的转矩和磁链观测模型以及控制算法的正确性和可行性。根据仿真实现方法以及结果的指导，设计并制作了整个系统的硬件电路，包括主电路(单相整流、滤波、制动电路、启动限流电路、逆变电路)、控制电路(DSP、驱动隔离放大、采样)并对各器件进行选型，给出了硬件各部分电路图；最后介绍了系统的软件流程以及各模块的程序实现，系统的软件部分采用C语言进行编程，实现了定子相电流的采样、定子相电压的计算、定子磁链的计算和开关信号的输出等功能。在分别对硬件和软件各部分进行调试后，进行了系统的联合调试，以TMS320F2808作为控制器，在一台功率为1.5KW的交流异步电机上实现了直接转矩控制。
上传时间： 2013-05-31
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本文介绍了一种新型金融终端(POS)，其座机与手持机之间采用射频通信方式，并在射频通信中采用跳频和防碰撞设计，使得座机和手持机之间的通信速率高、稳定可靠。本设计中的金融终端还具有非接触式IC卡数据采集功能，这在设备功能上是一个巨大的创新。手持机可移动操作，方便了客户操作，在很大程度上可以帮助商家提高服务质量，非常适用于餐厅、酒店以及娱乐场所等。 本设计中的金融终端包括手持机和座机，手持机的主要功能是采集金融信息，采集的对象可以是磁条卡，接触式IC卡或非接触IC卡，采集到卡的账号和密码等信息后以射频的方式发送至座机，同时接收座机发送来的数据；座机收到手持机发送的金融信息后，再通过有线方式(电话网或以太网)发送给银行主机，交易数据处理后，银行主机将数据以有线的方式发回给座机，座机再通过无线方式发送给手持机，并打印交易凭证。文中详细介绍了手持机和座机各功能模块的硬件设计和功能实现方式，包括各主要芯片选型依据、所选芯片的特性、设计原理以及各相关模块在POS中的功能。 POS的软件设计包括硬件驱动程序(底层程序)设计和应用程序(上层应用程序)设计，底层程序跟所使用的硬件相关，是CPU控制各外围器件实现各模块硬件功能的程序，通常驱动程序会封装起来，有入口参数，供上层应用调用；上层应用程序足根据产品要实现的服务功能而编写的相关程序，上层应用程序通常需要调用底层程序。文中驱动程序主要介绍了键盘驱动，显示驱动，并重点介绍了射频通信驱动程序的设计，包括CPU如何控制射频收发芯片、为抗干扰而采取的跳频设计和设备问的防碰撞设计；应用程序中主要介绍了磁条卡和IC卡的处理程序。 由于本设计中的金融终端座机与手持机之间的通信速率较高，通信稳定可靠，同时还新增了非接触卡的数据采集功能，使该设备有较大的使用范围，从而有广阔的市场前景。
上传时间： 2013-06-27
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本文介绍了埋弧焊的特点、发展过程、国内外的研究现状；分析了软开关逆变式主回路的优点、模拟电路控制系统和数字化控制系统的优缺点，指出数字化控制是逆变埋弧焊机控制的发展方向；对埋弧焊接工作原理和埋弧焊机控制系统进行分析，介绍了交流方波埋弧焊的优点；论述了变动送丝电弧控制系统的原理及影响因素，并且分析了变动送丝情况下焊接电弧的稳定性，为逆变式交流方波埋弧焊系统的设计提供了理论依据。 在分析传统交流方波埋弧焊主回路的基础上设计了主回路结构，对主回路中一次、二次逆变回路的软开关工作方式进行分析并做了简单仿真。IGBT是逆变电源的核心部件，文中论述了IGBT功率器件的选型和各种保护措施以保证系统的可靠工作。焊机工作发热量很大，本文介绍了整机和关键器件的热设计。 数字化控制方式是逆变埋弧焊机控制的发展方向，本文采用“MCU+DSP”的控制结构，对埋弧焊的整个焊接过程进行精确控制。文中详细介绍了主控制板的设计思路和电源、电流与电压反馈、控制芯片最小系统、通信与保护工作电路。焊机的工作中，各种干扰不可避免，对各种可能干扰分析的基础上在硬件电路设计和PCB板的制作中采取了相应的抗干扰措施。软件设计是焊接稳定进行的关键因素，文中介绍了控制系统中关键步骤的软件设计思路和流程并在软件的实现中采用抗干扰措施。 最后，对采用本控制系统的埋弧焊机进行初步实验，结果表明本文所设计的埋弧焊机控制系统能够满足逆变埋弧自动焊的要求，具有电路简单，控制精度高，抗干扰能力强、操作方便、工作稳定可靠等优点，提高了焊机的综合性能及自动化程度。 本课题所设计的逆变式交流方波埋弧焊电源具有良好的输出特性和控制性能，可满足埋弧自动焊和手工焊的要求。采用交流方波的焊接波形、对焊接整个过程进行实时软件控制，电弧稳定，焊接效果好。 关键词：埋弧焊；交流方波；逆变；软开关
上传时间： 2013-06-08
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多电平逆变器中每个功率器件承受的电压相对较低，因此可以用低耐压功率器件实现高压大容量逆变器，且采用多电平变换技术可以显著提高逆变器输出电压的质量指标。因此，随着功率器件的不断发展，采用多电平变换技术将成为实现高压大容量逆变器的重要途径和方法。本文选取其中一种极具优势的多电平拓扑结构一级联多电平变频器作为研究对象，完成了其拓扑结构、控制策略及测控系统的设计。 @@ 首先，对多电平变频器的研究意义，国内外现状进行了分析，比较了三种成熟拓扑结构的特点，得出了级联型多电平变频器的优点，从而将其作为研究对象。对比分析了四种调制策略，确定载波移相二重化的调制方法和恒压频比的控制策略，进行数学分析和理论仿真，得出了选择的正确性及可行性。并指出了级联单元个数与载波移相角的关系和调制比对输出电压的影响；完成了级联变频器数学模型的建立和死区效应的分析。 @@ 其次，完成了相关硬件的设计，包括DSP、CPLD、IPM的选型，系统电源的设计、检测(转速、电流、电压、故障)电路的设计、通信电路的设计等。用Labwindows/CVI实现了上位机界面的编写，实现了开关机、设定转速、通信配置、电压电流转速检测、电流软件滤波、谐波分析。编写了下位机DSP的串口通信、AD转换、转速检测(QEP)以及部分控制程序。 @@ 最后，在实验台上完成硬件和软件的调试，成功的实现了变频器载波移相SPWM的多电平输出，并驱动异步电机进行了空载变频试验，测控界面能准确的与下位机进行通信，快捷的给定各种控制命令，并能实时的显示变频器的输出频率、输出电压和输出电流，为实验调试增加了方便性，提高了工作效率。 @@关键词：级联多电平逆变器；载波移相；IPM；DSP；Labwindows/CVI；测控界面
上传时间： 2013-04-24
上传用户：米卡
射频功率放大器存在于各种现代无线通信系统的末端，所以射频功率放大器性能的优劣直接影响到整个通信系统的性能指标。如何在兼顾效率的前提下提高功放的线性度是近年来国内外的研究热点，在射频功率放大器的设计过程中这是非常重要的问题。 作为发射机末端的重要模块，射频功率放大器的主要任务是给负载天线提供一定功率的发射信号，因此射频功率放大器一般都工作在大信号条件下。所以设计射频功率放大器时，器件的选型和设计方式都和一般的小信号放大器不同，尤其在宽带射频功率放大器的设计过程中，由于工作频带很宽，且要综合考虑线性度和效率问题，所以射频功率放大器的设计难度很大。 本文设计了一个工作频带为30-108MHz，增益为25dB的宽带射频功率放大器。由于工作频带较宽，输出功率较大，线性度要求高；所以在实际的过程中采用了宽带匹配，功率回退等技术来达到最终的设计目标。 本文首先介绍了关于射频功率放大器的一些基础理论，包括器件在射频段的工作模型，使用传输线变压器实现阻抗变换的基本原理，S参数等，这些是设计射频功率放大器的基本理论依据。然后本文描述了射频功率放大器非线性失真产生的原因，在此基础上介绍了几种线性化技术并做出比较。然后本文介绍了射频功率放大器的主要技术指标并提出一种具体的设计方案，最后利用ADS软件对设计方案进行了仿真。仿真过程包括两个步骤，首先是进行直流仿真来确定功放管的静态工作点，然后进行功率增益即S21的仿真并达到设计要求。
上传时间： 2013-07-28
上传用户：gtf1207
可编程逻辑器件使用参考资料。 解答可编程器件使用中的常见问题。 供参考。
上传时间： 2013-05-19
上传用户：thh29
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
