一：焊机使用注意事项1．焊接电流的调节2．推力电流的调节3．引弧电流的调节4．输出电缆转换开关的使用5．焊机极性的连接二：接线图三：器件明细表
上传时间： 2013-05-29
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1、弧焊逆变器的基本结构1.1弧焊逆变器的基本原理采用逆变技术的装置称为逆变器，而用于电弧焊的逆变器则称为弧焊逆变器。弧焊逆变器的基本原理方框图如图1-1所示。由图可见，三相50Hz的交流网路电压先经输入整流器整流和滤波，经过大功率开关电子元件的交替开关作用，变成几百赫兹到几十千赫兹的高频电压，经高频变压器降至适合焊按的电压，再用输出整流器整流并经电抗器滤波，则可将中频交流变为直流输出。在弧焊逆变器中可采用如下两种模式："AC-DC-AC"或"AC-DC-AC-DC"，根据不同弧炉工艺的需要，通过电子控制电路和电弧电压、电流反馈，弧焊逆变器即可获得各种不同的输出特性。1，2逆变技术和微机技术在弧焊电源中的应用逆变电源运用先进的功率电了器件和高频逆变技术，比传统的工频整流电源的材料减少80%～90%，节能20%~30%，动态反应速度提高2-3个数量级。这种“明天的电源”正在以极高的速度变成今天的电源，并且随着功率开关元器件、微电子技术和控制技术的发展，不断研究开发出新的技术成果和新产品，使得逆变电源向着高频化、轻量化、模块化、智能化和大容量化方向发展。
上传时间： 2022-06-21
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山东山大奥太电气有限公司WSM系列焊机说明书
上传时间： 2014-01-09
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EG8010是一款数字化的、功能很完善的自带死区控制的纯正弦波逆变发生器芯片，应用于DC-DC-AC两级功率变换架构或DC-AC单级工频变压器升压变换架构，外接12MHz晶体振荡器，能实现高精度、失真和谐波都很小的纯正弦波50Hz或60Hz逆变器专用芯片。该芯片采用CMOS工艺，内部集成SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、幅度因子乘法器、软启动电路、保护电路、RS232串行通讯接口和12832串行液晶驱动模块等功能。 应用领域 单相纯正弦波逆变器 光伏发电逆变器 风力发电逆变器 不间断电源UPS系统 数码发电机系统 中频电源 单相电机调速控制器 单相变频器 正弦波调光器 正弦波调压器 正弦波发生器 逆变焊机
上传时间： 2014-07-04
上传用户：fairy0212
根据多用等鸯子切焊机的开关电源变压器漏盛大的特点，采用全桥移相电路，并在其两臂之间串联D—L—R电路，实现摹电匾切换。
上传时间： 2013-10-24
上传用户：432234
介绍电子束焊机电视监视系统工作原理#论述了电视行场扫描原理和视频叠加原理$ 针 对电子束焊机电视监视系统的特点及存在的缺点# 提出一种基PIC16C73单片机及字符叠加芯片 -UPD6453的电子束焊机电视监控系统的设计方案# 并给出了详细的系统软硬件实现方法$ 整个系统 高效可靠#具有电路简单%稳定性好%易于扩展%实用性好等优点#提高了焊接效率和焊接质量$
上传时间： 2013-10-22
上传用户：jasson5678
这是我设计的一款缝焊机程序，其中显示单元用的是BC7281A。
上传时间： 2013-12-21
上传用户：84425894
专业维修焊机资料，电路图可以技术支持QQ2397863702 谢谢
上传时间： 2016-05-19
上传用户：wuyifan
焊机维修资料PCB欢迎来下载 嘻嘻嘻
上传时间： 2016-05-20
上传用户：wuyifan
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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