关于滤波电容_去耦电容_旁路电容作用经典讲述！
上传时间： 2013-04-24
上传用户：suxuan110425
去耦电容和旁路电容的区别
上传时间： 2013-10-23
上传用户：libenshu01
什么是去耦电容 1，耦合，有联系的意思。 2，耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。 3，去耦合元件，指消除信号联系的元件。 4，去耦合电容简称去耦电容。
标签： 去耦电容
上传时间： 2016-05-25
上传用户：Yukiseop
自己翻译的旁路和去耦电容的考虑事项,很好的说明了电容的安装
上传时间： 2013-12-06
上传用户：ywqaxiwang
能够在电路布板设计中注意到电磁干扰与电磁兼容性设计，保持电路信号质量。
标签： 去耦电容设计规则
上传时间： 2016-01-22
上传用户：plancking
相控阵雷达导引头是未来导引头发展的一个重要领域，为了消除弹体扰动对导引头测量误差的影响，实现相控阵雷达导引头的捷联去耦，设计了一种相控阵雷达导引头捷联去耦数字平台，采用基于四元数法求取弹体的姿态角，采用相控阵雷达导引头波束扫描稳定算法实现对波束扫描误差的补偿，达到导引头捷联去耦的目的，并在MATLAB中对四元数法和波束扫描稳定算法进行了仿真验证，取得了较好的去耦效果，该相控阵雷达导引头捷联去耦数字平台具有原理简单、算法运算量小和去耦效率高的特点
上传时间： 2013-10-21
上传用户：Tracey
电容应用详解(滤波_旁路_去耦)
上传时间： 2015-01-03
上传用户：ljd123456
本文针对高速PCB板信号接地设计中存在接地噪声及电磁辐射等问题,提出了高速PCB接地模型,并从PCB设计中布线策略的分析和去耦电容的使用等几个方面讨论了解决高速PCB板的接地噪声和电磁辐射问题的方法。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：jingfeng0192
PCB布线设计－模拟和数字布线的异同工程领域中的数字设计人员和数字电路板设计专家在不断增加，这反映了行业的发展趋势。尽管对数字设计的重视带来了电子产品的重大发展，但仍然存在，而且还会一直存在一部分与 模拟 或现实环境接口的电路设计。模拟和数字领域的布线策略有一些类似之处，但要获得更好的工程领域中的数字设计人员和数字电路板设计专家在不断增加，这反映了行业的发展趋势。尽管对数字设计的重视带来了电子产品的重大发展，但仍然存在，而且还会一直存在一部分与模拟或现实环境接口的电路设计。模拟和数字领域的布线策略有一些类似之处，但要获得更好的结果时，由于其布线策略不同，简单电路布线设计就不再是最优方案了。本文就旁路电容、电源、地线设计、电压误差和由PCB布线引起的电磁干扰(EMI)等几个方面，讨论模拟和数字布线的基本相似之处及差别。模拟和数字布线策略的相似之处旁路或去耦电容在布线时，模拟器件和数字器件都需要这些类型的电容，都需要靠近其电源引脚连接一个电容，此电容值通常为0.1mF。系统供电电源侧需要另一类电容，通常此电容值大约为10mF。这些电容的位置如图1所示。电容取值范围为推荐值的1/10至10倍之间。但引脚须较短，且要尽量靠近器件(对于0.1mF电容)或供电电源(对于10mF电容)。在电路板上加旁路或去耦电容，以及这些电容在板上的位置，对于数字和模拟设计来说都属于常识。但有趣的是，其原因却有所不同。在模拟布线设计中，旁路电容通常用于旁路电源上的高频信号，如果不加旁路电容，这些高频信号可能通过电源引脚进入敏感的模拟芯片。一般来说，这些高频信号的频率超出模拟器件抑制高频信号的能力。如果在模拟电路中不使用旁路电容的话，就可能在信号路径上引入噪声，更严重的情况甚至会引起振动。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：shaojie2080
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
