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单晶

所谓单晶(monocrystal,monocrystalline,singlecrystal),即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列,或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成,整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的,具有重要的工业应用。由于熵效应导致了固体微观结构的不理想,例如杂质,不均匀应变和晶体缺陷,有一定大小的理想单晶在自然界中是极为罕见的,而且也很难在实验室中生产。另一方面,在自然界中,不理想的单晶可以非常巨大,例如已知一些矿物,如绿宝石,石膏,长石形成的晶体可达数米。
  • 高等模拟集成电路

    近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数字信号处理和数字电路为核心已成为必然的趋势。虽然如此,模拟电路仍然是电子系统中非常重要的组成部分。这是因为我们接触到的外部世界的物理量主要都是模拟量,比如图像、声音、压力、温度、湿度、重量等,要将它们变换为数字信号,需要模拟信号处理和数据转换电路,如果这些电路性能不够高,将会影响整个系统的性能。其次,系统中的许多功能不可能或很难用数字电路完成,如微弱信号放大,很高频率和宽频带信号的实时处理等。因此,虽然模拟电路在系统中不再是核心,但作为固有的模拟世界与数字系统的接口,其地位和作用仍然十分重要。 片上系统要求将数字电路和模拟电路集成在一个芯片上,这希望模拟电路使用与数字电路相同的制造工艺。随着MOS器件的线宽不断减小,使MOS器件的性能不断提高,MOS数字电路成为数字集成电路的主流,并因此促进了MOS模拟集成电路的迅速发展。为了适应电子系统功能的不断扩展和性能的不断提高,对模拟电路在降低电源电压、提高工作频率、扩大线性工作范围和提高性能指标的精度和稳定度等方面提出更高要求,促进了新电路技术的发展。 作为研究生课程的教材,本书内容是在本科相关课程基础上的深化和扩展,同时涉及实际设计中需要考虑的一些问题,重点介绍具有高工作频率、低电源电压和高工作稳定性的新电路技术和在电子系统中占有重要地位的功能电路及其中的新技术。全书共7章,大致可分为三个部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章为MOS模拟集成电路基础,比较全面地介绍MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件构成的基本单元电路,为学习本教材其他内容提供必要的知识。由于版图设计与工艺参数对模拟集成电路性能的影响很大,因此第7章简单介绍制造MOS模拟集成电路的CMOS工艺过程和版图设计技术,读者可以通过对该章所介绍的相关背景知识的了解,更深入地理解MOS器件和电路的特性,有助于更好地完成模拟集成电路的可实现性设计。第二部分为新电路技术,由第2章、第3章和第5章的部分组成,包括近年来逐步获得广泛应用的电流模电路、抽样数据电路和对数域电路,它们在提高工作频率、降低电源电压、扩大线性工作范围和提高性能指标的精度和稳定度方面具有明显的潜力,同时它们也引入了一些模拟电路的新概念。这些内容有助于读者开拓提高电路性能方面的思路。第2章介绍电流模电路的工作原理、特点和典型电路。与传统的以电压作为信号载体的电路不同,这是一种以电流作为信号载体的电路,虽然在电路中电压和电流总是共同存在并相互作用的,但由于信号载体不同,不仅电路性能不同而且电路结构也不同。第3章介绍抽样数据电路的特点和开关电容与开关电流电路的工作原理、分析方法与典型电路。抽样数据电路类似于数字电路,处理的是时间离散信号,又类似于模拟电路,处理的是幅度连续信号,它比模拟电路具有稳定准确的时间常数,解决了模拟电路实际应用中的一大障碍。对数域电路在第5章中结合其在滤波器中的应用介绍,这类电路除具有良好的电性能外,还提出了一种利用器件的非线性特性实现线性电路的新思路。第三部分介绍几个模拟电路的功能模块,它们是电子系统中的关键组成部分,并且与信号和信号处理联系密切,有助于在信号和电路间形成整体观念。这部分包括第4章至第6章。第4章介绍数据转换电路的技术指标和高精度与高速度转换电路的构成、工作原理、特点和典型电路。第5章介绍模拟集成滤波器的设计方法和主要类型,包括连续时间滤波器、对数域滤波器和抽样数据滤波器。第6章介绍通信系统中的收发器与射频前端电路,包括收信器、发信器的技术指标、结构和典型电路。因为载波通信系统传输的是模拟信号,射频前端电路的性能对整个通信系统有直接的影响,所以射频集成电路已成为重要的研究课题。 〖〗高等模拟集成电路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本书是在为研究生开设的“高等模拟集成电路”课程讲义的基础上整理而成,由董在望主编,第1、4、7章由李冬梅编写,第6章由王志华编写,第5章由李永明和董在望编写,第2、3章由董在望编写,李国林参加了部分章节的校核工作。 本书可作为信息与通信工程和电子科学与技术学科相关课程的研究生教材或教学参考书,也可作为本科教学参考书或选修课教材和供相关专业的工程技术人员参考。 清华大学出版社多位编辑为本书的出版做了卓有成效的工作,深致谢意。 限于编者水平,难免有错误和疏漏之处,欢迎批评指正。 目录 1.1MOS器件基础及器件模型 1.1.1结构及工作原理 1.1.2衬底调制效应 1.1.3小信号模型 1.1.4亚阈区效应 1.1.5短沟效应 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大电路 1.2.1共源(CS)放大电路 1.2.2共漏(CD)放大电路 1.2.3共栅(CG)放大电路 1.2.4共源共栅(CSCG)放大电路 1.2.5差分放大电路 1.3电流源电路 1.3.1二极管连接的MOS器件 1.3.2基本镜像电流源 1.3.3威尔逊电流源 1.3.4共源共栅电流源 1.3.5有源负载放大电路 1.4运算放大器 1.4.1运算放大器的主要参数 1.4.2单级运算放大器 1.4.3两级运算放大器 1.4.4共模反馈(CMFB) 1.4.5运算放大器的频率补偿 1.5模拟开关 1.5.1导通电阻 1.5.2电荷注入与时钟馈通 1.6带隙基准电压源 1.6.1工作原理 1.6.2与CMOS工艺兼容的带隙基准电压源 思考题 2电流模电路 2.1概述 2.1.1电流模电路的概念 2.1.2电流模电路的特点 2.2基本电流模电路 2.2.1电流镜电路 2.2.2电流放大器 2.2.3电流模积分器 2.3电流模功能电路 2.3.1跨导线性电路 2.3.2电流传输器 2.4从电压模电路变换到电流模电路 2.5电流模电路中的非理想效应 2.5.1MOSFET之间的失配 2.5.2寄生电容对频率特性的影响 思考题 3抽样数据电路 3.1开关电容电路和开关电流电路的基本分析方法 3.1.1开关电容电路的时域分析 3.1.2开关电流电路的时域分析 3.1.3抽样数据电路的频域分析 3.2开关电容电路 3.2.1开关电容单元电路 3.2.2开关电容电路的特点 3.2.3非理想因素的影响 3.3开关电流电路 3.3.1开关电流单元电路 3.3.2开关电流电路的特点 3.3.3非理想因素的影响 思考题 4A/D转换器与D/A转换器 4.1概述 4.1.1电子系统中的A/D与D/A转换 4.1.2A/D与D/A转换器的基本原理 4.1.3A/D与D/A转换器的性能指标 4.1.4A/D与D/A转换器的分类 4.1.5A/D与D/A转换器中常用的数码类型 4.2高速A/D转换器 4.2.1全并行结构A/D转换器 4.2.2两步结构A/D转换器 4.2.3插值与折叠结构A/D转换器 4.2.4流水线结构A/D转换器 4.2.5交织结构A/D转换器 4.3高精度A/D转换器 4.3.1逐次逼近型A/D转换器 4.3.2双斜率积分型A/D转换器 4.3.3过采样ΣΔA/D转换器 4.4D/A转换器 4.4.1电阻型D/A转换器 4.4.2电流型D/A转换器 4.4.3电容型D/A转换器 思考题 5集成滤波器 5.1引言 5.1.1滤波器的数学描述 5.1.2滤波器的频率特性 5.1.3滤波器设计的逼近方法 5.2连续时间滤波器 5.2.1连续时间滤波器的设计方法 5.2.2跨导电容(GmC)连续时间滤波器 5.2.3连续时间滤波器的片上自动调节电路 5.3对数域滤波器 5.3.1对数域电路概念及其特点 5.3.2对数域电路基本单元 5.3.3对数域滤波器 5.4抽样数据滤波器 5.4.1设计方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3开关电容电路转换为开关电流电路的方法 思考题 6收发器与射频前端电路 6.1通信系统中的射频收发器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收与镜像信号 6.2.2复数信号处理 6.2.3收信器前端结构 6.3集成发信器 6.3.1上变换器 6.3.2发信器结构 6.4收发器的技术指标 6.4.1噪声性能 6.4.2灵敏度 6.4.3失真特性与线性度 6.4.4动态范围 6.5射频电路设计 6.5.1晶体管模型与参数 6.5.2噪声 6.5.3集成无源器件 6.5.4低噪声放大器 6.5.5混频器 6.5.6频率综合器 6.5.7功率放大器 思考题 7CMOS集成电路制造工艺及版图设计 7.1集成电路制造工艺简介 7.1.1单晶生长与衬底制备 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4扩散及离子注入 7.1.5化学气相淀积(CVD) 7.1.6接触与互连 7.2CMOS工艺流程与集成电路中的元件 7.2.1硅栅CMOS工艺流程 7.2.2CMOS集成电路中的无源元件 7.2.3CMOS集成电路中的寄生效应 7.3版图设计 7.3.1硅栅CMOS集成电路的版图构成 7.3.2版图设计规则 7.3.3CMOS版图设计技术 思考题

    标签: 模拟集成电路

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:chengxin

  • 自制PIC单片机烧写器

    MICROCHIP 公司所生产之单晶片微电脑—PIC16F84A 是一颗很容易上手的IC,功能也 相当强,可重复烧录上千次,价格不到NT150 元,所以有很多非专业的玩家写了很多的应用小 品公布在网路上。

    标签: PIC 单片机 烧写器

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:012345

  • 串口转以太网IP210T/IP210S

    串口转以太网单晶片解决方案。

    标签: 210 IP 串口转以太网

    上传时间: 2013-11-23

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  • 光导型InAsSb红外探测器的研制

    针对室温(293 K)条件下使用要求,采用InAsSb单晶材料加浸没透镜制作成2~9 μm波段高灵敏度光导型InAsSb红外探测器。实测光谱响应值出现在1.656 5~8.989 μm。在光谱响应波段范围内,最大响应度值为对比组C2、C3组。初步实现了室温(293 K)使用要求,响应光谱2~9 μm波段光导型InAsSb红外探测器设计目的。

    标签: InAsSb 光导 红外探测器

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:xiaohanhaowei

  • 微波铁氧体新器件

    微波铁氧体材料分为多晶和单晶两种。多晶材料按晶体结构分,主要要尖晶石型、石榴石型和磁铅石型三种。  

    标签: 铁氧体 器件

    上传时间: 2013-11-09

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  • 深入剖析赛灵思(Xilinx)All Programmable三大创新器件

         深入剖析赛灵思(Xilinx)All Programmable三大创新器件:赛灵思在 28nm 节点上推出的多种新技术为客户带来了重大的超前价值,并使赛灵思领先竞争对手整整一代。赛灵思并不是简单地将现有的 FPGA 架构迁移到新的技术节点上,而是力求引领多种 FPGA 创新,并率先推出了 All Programmable 3D IC 和 SoC。   今天推出的 All Programmable 产品采用了各种形式的可编程技术,包括可编程硬件和软件、数字信号和模拟混合信号(AMS)、单晶片和多片 3D IC 方案(图 1)。有了这些全新的 All Programmable 器件,设计团队就能进一步提升可编程系统的集成度,提高整体系统性能,降低 BOM 成本,并以更快的速度向市场推出更具创新性的智能产品。

    标签: Programmable Xilinx All 赛灵思

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:1427796291

  • pic单片机原理

    pic单片机原理,对于想学习PIC型单片机的同仁是很好的教材,PIC单片机是用途最广这单晶片之一,本教程以PIC16开头的8位单片机为例详细阐述其原理的。

    标签: pic 单片机原理

    上传时间: 2014-01-15

    上传用户:佳期如梦

  • 芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集: 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 6-英寸重掺砷硅单晶

    芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集:300mm硅单晶及抛光片标准.pdf6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf666化学机械抛光技术的研究进展.pdf化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc半导体-第十四讲-CMP.ppt半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf半导体工艺.ppt半导体工艺化学.ppt抛光技术及抛光液.docx直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf

    标签: 芯片制造 单晶 抛光片

    上传时间: 2021-11-02

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  • CCD与CMOS摄像机的区别

    CCD 和CMOS 的区别一、CCD 和CMOS 在制造上的主要区别是CCD 是集成在半导体单晶材料上,而CMOS 是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上,工作原理没有本质的区别。CCD 只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且CCD 制造工艺较复杂,采用CCD 的摄像头价格都会相对比较贵。事实上经过技术改造,目前CCD 和CMOS 的实际效果的差距已经减小了不少。而且CMOS 的制造成本和功耗都要低于CCD 不少,所以很多摄像头生产厂商采用的CMOS 感光元件。成像方面:在相同像素下CCD 的成像通透性、明锐度都很好,色彩还原、曝光可以保证基本准确。而CMOS 的产品往往通透性一般,对实物的色彩还原能力偏弱, 曝光也都不太好, 由于自身物理特性的原因, CMOS 的成像质量和CCD还是有一定距离的。但由于低廉的价格以及高度的整合性, 因此在摄像头领域还是得到了广泛的应用。

    标签: ccd cmos 摄像机

    上传时间: 2022-06-23

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  • 半导体抛光、切片、清洗、研磨资料合集

    半导体切片 保存到我的百度网盘 下载 芯片封装详细图解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片机张刀对切片质量的影响-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 内圆切片机设计.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生产工艺介绍.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半导体集成电路(最终版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半导体晶体的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半导体材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰冻切片的制备.docx 23KB2019-10-08 11:29 半导体芯片制造技术4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半导体全制程介绍.doc 728KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半导体工艺技术.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半导体工业简介-简体中文...ppt 半导体清洗 新型半导体清洗剂的清洗工艺.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工艺提升中的半导体清洗技术.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超声波清洗技术的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半导体制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半导体制造工艺第3章-清-洗-工-艺.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半导体制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半导体清洗技术面临变革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆自动清洗设备.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆的污染杂质及清洗技术.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半导体工艺-晶圆清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半导体第五讲硅片清洗(4课时).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.doc 半导体抛光 直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 抛光技术及抛光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半导体工艺化学.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半导体工艺.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半导体-第十四讲-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化学机械抛光技术的研究进展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 半导体研磨 半导体制造工艺第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半导体晶圆的生产工艺流程介绍.docx 18KB2019-10-08 11:29 半导体硅材料研磨液研究进展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半导体封装制程及其设备介绍.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半导体IC工艺流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半导体CMP工艺介绍.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半导体-第十六讲-新型封装.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半导体基础知识.pdf

    标签: mdt 培训教程

    上传时间: 2013-06-14

    上传用户:eeworm