半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
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上传时间： 2022-01-03
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上传时间： 2022-01-07
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上传时间： 2022-01-10
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功率半导体器件与应用，是一本很好的书籍。从事功率器件，IGBT/MOSFET驱动技术开发工作，会有很大帮助。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2022-01-31
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上传时间： 2022-02-06
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标签： 半导体 功率器件 电流值
上传时间： 2022-02-13
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上传时间： 2022-02-14
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