利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠
上传时间: 2013-11-17
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本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间: 2013-11-22
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本文探讨的重点是PCB设计人员利用IP,并进一步采用拓扑规划和布线工具来支持IP,快速完成整个PCB设计。从图1可以看出,设计工程师的职责是通过布局少量必要元件、并在这些元件之间规划关键互连路径来获取IP。一旦获取到了IP,就可将这些IP信息提供给PCB设计人员,由他们完成剩余的设计。 图1:设计工程师获取IP,PCB设计人员进一步采用拓扑规划和布线工具支持IP,快速完成整个PCB设计。现在无需再通过设计工程师和PCB设计人员之间的交互和反复过程来获取正确的设计意图,设计工程师已经获取这些信息,并且结果相当精确,这对PCB设计人员来说帮助很大。在很多设计中,设计工程师和PCB设计人员要进行交互式布局和布线,这会消耗双方许多宝贵的时间。从以往的经历来看交互操作是必要的,但很耗时间,且效率低下。设计工程师提供的最初规划可能只是一个手工绘图,没有适当比例的元件、总线宽度或引脚输出提示。随着PCB设计人员参与到设计中来,虽然采用拓扑规划技术的工程师可以获取某些元件的布局和互连,不过,这个设计可能还需要布局其它元件、获取其它IO及总线结构和所有互连才能完成。PCB设计人员需要采用拓扑规划,并与经过布局的和尚未布局的元件进行交互,这样做可以形成最佳的布局和交互规划,从而提高PCB设计效率。随着关键区域和高密区域布局完成及拓扑规划被获取,布局可能先于最终拓扑规划完成。因此,一些拓扑路径可能必须与现有布局一起工作。虽然它们的优先级较低,但仍需要进行连接。因而一部分规划围绕布局后的元件产生了。此外,这一级规划可能需要更多细节来为其它信号提供必要的优先级。
上传时间: 2013-10-12
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分析并设计实现了一种基于磁耦合谐振的无线电能传输系统。介绍了无线电能传输技术,阐述了磁耦合谐振式无线电能传输技术原理及其优越性,分析了磁耦合谐振无线电能传输系统中传输距离d及负载阻值RL等相关参数对系统传输功率、效率的影响。对所提出的无线电能传输系统进行实验测试,实验结果表明,需综合考虑上述相关参数,以达到传输效率、传输功率的最优化设计。同时验证了理论分析的有效性。
上传时间: 2014-01-04
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利用四分之三波长折叠微带线与四分之一波长微带线级联,并在输入端口引入四分之一波长短路线,设计出一种新型的超宽带功率分配器。采用奇偶模的方法进行理论分析,导出设计参数方程,并通过HFSS进行仿真优化。仿真和测量结果表明, 输入回波损耗从3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入损耗从2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB,从9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。输出端口的回波损耗和隔离度从3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高频的带外抑制在14.2 GHz时达到20 dB。
上传时间: 2013-11-08
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针对振动能量采集器的输出功率过低不足以直接驱动无线传感器的问题,设计了振动自供能无线传感器的电源管理电路,根据调谐和阻抗变换原理对能量采集器进行了阻抗匹配,以最大功率对储能超级电容进行充电,对能量存储和电源管理电路的充放电特性进行了理论分析和实验验证。结果表明,该电路大幅度提高了采集器的输出功率和对储能超级电容充电的效率,当0.47 F超级电容电压达到0.6 V时,能量瞬间释放电路控制超级电容瞬间放电,成功驱动最大功耗为75 mW的无线传感器工作。
上传时间: 2013-10-14
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低功率LED设计的挑战在于实现由监管标准设定的电源调节、 由监管标准指导的能量变换以及通常由市场接受度设定的有效负载控制(其中包括调光保真度)这三者的平衡。 FL7730和FL7732能较好地取得这种平衡,用一个电路即可执行全部三项功能。
上传时间: 2013-11-13
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为研究功率型锂离子电池性能,对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析,由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明,低温下电池的充放电内阻较大,充放电性能衰减显著;常温下电池的内阻较小,充放电温升较小,大电流充放电的容量稳定性好,质量比能量高,作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。
上传时间: 2013-11-13
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结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间: 2013-11-14
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功率MOSFET的驱动电路和保护技术
上传时间: 2013-10-22
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