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功率开关

  • 1、 在NMBER INPUT的基础上设计数字密码锁 2、 运行初始密码为学号后8位

    1、 在NMBER INPUT的基础上设计数字密码锁 2、 运行初始密码为学号后8位,密码不正确执行4、5功能 3、 连续3次密码错误,锁定键盘,发出报警指示 4、 输出开锁信号(使用功率开关),LED指示 设置修改密码功能,数据存入24C01EEROM

    标签: NMBER INPUT 8位 数字密码锁

    上传时间: 2014-01-15

    上传用户:sxdtlqqjl

  • 毕业论文开题报告

    功率开关电源设计毕业论文开题报告,Vin36-75v ,vout:3.3V.

    标签: 毕业论文 报告

    上传时间: 2018-10-08

    上传用户:cy_79

  • 双向全桥LLC谐振变换器的理论分析与仿真

    将 LLC 谐振网络引入到全桥双向 DC-DC 变换器中,提出一种新型双向全桥 LLC 谐振变换器。 该变换 器主要由传统全桥双向 DC-DC 电路和 LLC 谐振网络组成。 该电路可以在全负载范围内实现功率开关管的零电压 开通关断和整流环节的零电流开通关断。 文中介绍和分析了变换器的拓扑结构与工作原理,并通过仿真验证了理论 分析的正确性

    标签: LLC 全桥 仿真 谐振变换器

    上传时间: 2019-09-29

    上传用户:red20042004

  • 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

    本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。 另外, 必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸(MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构, 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸(EST), 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断, 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书, 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

    标签: 大功率器件

    上传时间: 2021-11-02

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  • 空间电压矢量调制SVPWM 技术.pdf

    SVPWM 是近年发展的一种比较新颖的控制方法,是由三相功率逆变器的六个功率开关元件组成的特定开关模式产生的脉宽调制波,能够使输出电流波形尽可能接近于理想的正弦波形。

    标签: 矢量调制 svpwm

    上传时间: 2021-11-30

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  • 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战

    作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ,其 中 结 型 栅 结 构 (p 型 栅 )和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ,并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ,业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ,仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。

    标签: 第三代半导体 GaN 功率开关器件

    上传时间: 2021-12-08

    上传用户:XuVshu

  • IGBT驱动 2SP0115T2A0-17. datasheet

    变频器功率开关管IGBT常用驱动电路板驱动模块

    标签: igbt 驱动

    上传时间: 2021-12-15

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  • PT4211-30V350mA高亮度LED恒流驱动器 ALTIUM AD设计硬件原理图+PCB文件

    PT4211-30V350mA高亮度LED恒流驱动器 ALTIUM AD设计硬件原理图+PCB 工程文件 概述    PT4211是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源,专门针对用于驱动1-3颗串联LED而设计。PT4211可接受的输入电压范围从5伏到30伏,输出电流可调至最大350mA。    PT4211 内置功率开关,采用高端电流采样方式,通过一个外部电阻设定LED平均电流。专用调光DIM引脚可以接受宽范围的PWM调光信号。当DIM的电压低于0.4伏时,功率开关关断,PT4211进入极低工作电流的待机状态。     PT4211采用SOT23-5封装。    关键特性极少的外部元器件输入电压范围从5V到30V最大输出350mA电流专用调光管脚可接受PWM调光3%的输出电流精度LED开路自然保护高达93%的效率输出可调的恒流控制方法软过温保护尽大可能减少高温下LED闪烁

    标签: pt4211 led 驱动器

    上传时间: 2022-03-17

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  • 移相全桥的原理及设计

    本文对PWM全桥软开关直流变换器进行了研究。具体阐述了PWM全桥ZS软开关直流变换器的工作原理和软开关的实现条件,就基本的移相控制FB ZVS PWM变换器存在的问题给予分析并对两种改进方案进行了研究:1、能在全部工作范围内实现零电压开关的改进型全桥移相zvs-PWM DCDC变换器,文中通过对其开关过程的分析,得出实现全负载范围内零电压开关的条件。采用改进方案设计了一台48V~6 VDC/DC变换器,实验结果证明其比基本的 ZVS-PWM变换器具有更好的软开关性能。2、采用辅助网络的全桥移相 ZVZCS-PWM DCDC变换器,文中具体分析了其工作原理及变换器特性,并进行实验研究随着电力电子技术的发展,功率变换器在开关电源、不间断电源、CPU电源照明、电机驱动控制、感应加热、电网的无功补偿和谐波治理等众多领域得到日益广泛的应用,电力电子技术高频化的发展趋势使功率变换器的重量大大减轻体积大大减小,提高了产品的性能价格比,但采用传统的硬开关技术,开关损耗将随着开关频率的提高而成正比地增加,限制了开关的高频化提高功率开关器件本身的开关性能,可以减少开关损耗,另一方面,从变换器结构和控制上改善功率开关器件的开关性能,可以减少开关损耗。如缓冲技术、无损缓冲技术、软开关技术等软开关技术在减少功率开关器件的开关损耗方面效果比较好,理论上可使开关损耗减少为零。12软开关技术的原理和类型功率变换器通常采用PwM技术来实现能量的转换。硬开关技术在每次开关通断期间功率器件突然通断全部的负载电流,或者功率器件两端电压在开通时通过开关释放能量,这种方式的工作状况下必将造成比较大的开关损耗和开关应力,使开关频率不能做得很高。软开关技术是利用感性和容性元件的谐振原理,在导通前使功率开关器件两端的电压降为零,而关断时先使功率开关器件中电流下降到零,实现功率开关器件的零损耗开通和关断,并且减少开关应力。

    标签: 移相全桥

    上传时间: 2022-03-29

    上传用户:jason_vip1

  • 感应加热电源频率跟踪控制电路的设计

    感应加热电源运行过程中由于负载的工作特性随温度变化,为了提高电能传输到负载的效率,保证负载工作在串联谐振状态,需要实现对负载的频率跟踪.通过对负载的频率跟踪有效地减少了功率开关器件的开关损耗,实现了零电压开通.本文首先介绍了串联谐振的感应加热电源的主电路结构,采用IGBT作为功率开关器件.其次介绍了锁相环电路,阐述了其结构和工作原理.最后提出了基于SG3525的频率跟踪电路,经过实验证明此电路工作稳定、可靠,现以投入到实际产品中.

    标签: 电源 频率跟踪 控制电路

    上传时间: 2022-04-21

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