SM8502是应用于小功率AC/DC开关电源系统的高性能离线式功率开关。内置高压功率三极管，采用原边反馈控制技术，在全电压输入范围内实现输出恒压精度小于±5℅，恒流精度小于±10℅。并且可使系统节省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成过流保护、过压保护、欠压保护、过温保护等完善的保护功能以提高系统的可靠性。SOP8、HDIP4的封装形式。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：极客
SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。内置输出线压降补偿和前沿消隐电路（LEB），SOP8的封装形式。主要应用于LED照明驱动，小功率电源配适器，电脑、电视等产品的辅助电源或待机电源等
上传时间： 2013-12-12
上传用户：咔乐坞
随着功率开关器件的发展，电力电子装置日益小型化和高频化，电气性能大幅提高，但是随之产生的高次谐波却对电网造成严重污染。在电力电子设备中，整流器(AC／DC变流器)占有较大的比例，是主要的污染源。由于固态感应加热电源对于电网呈现非线性特性，从电网中输出的电流就不是标准的正弦曲线。高频谐波电流对电力设施产生过热或其他危害。 Boost电路应用到功率因数校正方面已经较为成熟，对于几百瓦小功率的功率因数校正，常规的电路是可以实现的。但是对于大功率诸如感应加热电源，还存在很多的实际问题。为了解决开关器件由于二极管反向恢复时产生的冲击电流而易损坏的情况，减少开关器件在高频下的开关损耗，本文采用一种无源无损缓冲电路取代传统的LC滤波电路。在分析了软开关电路的工作原理以及逆变模块的分时-移相功率控制策略后，应用Matlab软件进行了仿真，并通过实验结果验证了理论分析的正确性。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：RQB123
以D S P 芯片TM S 320C240 为核心的永磁无刷直流电机 控制器的设计。其主要内容涉及其核心电路的构成, 功率开关元件的驱动等硬件 电路和软件编程。
上传时间： 2016-01-02
上传用户：chenbhdt
以D S P 芯片TM S 320C240 为核心控制器的设计。其主要内容涉及其核心电路的构成, 功率开关元件的驱动等硬件 电路和软件编程。
上传时间： 2014-01-02
上传用户：cccole0605
异步电机功率开关控制，经调试改进，绝对正确
上传时间： 2014-01-02
上传用户：牛布牛
中频感应加热电源的毕业设计 采用感应加热电源采用IGBT作为开关器件
上传时间： 2014-01-19
上传用户：gxrui1991
实用电子技术专辑 385册 3.609G最新功率半导体器件应用技术 259页 3.4M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSFET、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
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作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
上传用户：XuVshu
