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功率倒置

  • SM7503高性能原边反馈控制功率开关芯片

    SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出,精度均小于±3℅,并可使系统节省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能,以提高系统的可靠性。封装形式:SOP8

    标签: 7503 SM 性能 反馈控制

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:李哈哈哈

  • SM8502高性能离线式功率开关

    SM8502是应用于小功率AC/DC开关电源系统的高性能离线式功率开关。内置高压功率三极管,采用原边反馈控制技术,在全电压输入范围内实现输出恒压精度小于±5℅,恒流精度小于±10℅。并且可使系统节省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成过流保护、过压保护、欠压保护、过温保护等完善的保护功能以提高系统的可靠性。SOP8、HDIP4的封装形式。

    标签: 8502 SM 性能 功率开关

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:极客

  • SM7505高性能原边反馈控制功率开关芯片

    SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出,精度均小于±3℅,并可使系统节省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能,以提高系统的可靠性。内置输出线压降补偿和前沿消隐电路(LEB),SOP8的封装形式。主要应用于LED照明驱动,小功率电源配适器,电脑、电视等产品的辅助电源或待机电源等

    标签: 7505 SM 性能 反馈控制

    上传时间: 2013-12-12

    上传用户:咔乐坞

  • IGBT和MOSFET功率模块应用手册

    IGBT和MOSFET功率模块应用手册

    标签: MOSFET IGBT 功率模块 应用手册

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:JasonC

  • 开关功率器件的测试示波器

    开关功率器件的测试示波器

    标签: 开关功率器件 测试 示波器

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:chongchong1234

  • 固定开关频率三电平PWM整流器直接功率控制

    提出了一种固定开关频率的三电平PWM整流器的直接功率控制方法。该方法基于空间电压矢量调制,实现了动态过程中有功功率和无功功率的解耦控制。

    标签: PWM 开关频率 三电平 功率控制

    上传时间: 2013-11-07

    上传用户:lml1234lml

  • 基于灰色模型的风速风电功率预测研究

    对不稳定风和阵风进行风速预测,以平稳风为例,根据实际风电功率和对应时序风速的关系建模,得到了风电功率随风速变化的各类模型下的拟合参数。为了提高风电功率的预测精度,通过从分段函数和整体建模两个角度比较各种模型的准确程度,得到了适宜于作为风电功率特性曲线的函数模型。

    标签: 灰色模型 功率预测 风速 风电

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:星仔

  • 谊邦电子-半导体测试专家-IGBT测试-功率器件测试-分立器件全参数测试

    西安谊邦电子 公司引进美国的先进半导体测试技术,在此基础上研制生产了YB6000系列半导体分立器件测试系统,该测试系统拥有功率大、速度快、精度高、测试种类全等技术特点,各项技术指标均达到国际领先水平。其雄厚的技术实力,多年的开发产品经验和独特严谨的设计方案使谊邦电子YB系列测试系统性能更加超群,品质更为可靠稳定。谊邦电子研发技术涉及高端集成电路测试、半导体分立器件测试和各种客户产品测试等领域。产品主要应用于军工、汽车、飞机、船舶制造、能源等行业领域。 西安谊邦凭借较强的技术实力和完善的科学管理,能够给用户提供完善的售前售后技术支持。科技创新、服务无限,是我们工作的宗旨。

    标签: IGBT 测试 电子 半导体测试

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:yangqian

  • CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

    设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2~3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76 以上,适合多模多频段射频前端的应用。

    标签: CMOS 射频功率放大器 变压器 合成技术

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:ewtrwrtwe

  • EL34高功率推挽功放制作

      介绍了一款输入级采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的额定输出功率为, 如果提高输出级电源电压, 还可在不变动电路条件下, 把输出功率提高到, 可以满足一些对功率要求比较高的发烧友需要。

    标签: EL 34 高功率 推挽功放

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:zhaiye